פורסם ב

זרם גבוה המסוגל 650 וולט, 1200דיודות SiC Schottky MPS ™ V ו- 1700 V בחבילה מיני-מודול SOT-227

DULLES, VA, מאי 11, 2019 — GeneSiC הופכת למובילת שוק בתחום יכולת הזרם הגבוה (100 A ו- 200 א) דיודות שוטקי SiC במודול מיני SOT-227

GeneSiC הציגה את GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 ו- GC2X100MPS06-227; הדיודות הנוכחיות הגבוהות ביותר בתעשייה מדורגות 650 וולט ו 1700 וולט SiC, הוספת לתיק המודולים המיני-מודולי SiC שוטקי SiV 1200V - GB2X50MPS12-227 ו- GB2X100MPS12-227. דיודות SiC אלו מחליפות דיודות התאוששות מהירות במיוחד על בסיס סיליקון, המאפשר למהנדסים לבנות מעגלי מיתוג ביעילות רבה יותר ובצפיפות הספק גבוהה יותר. יישומים צפויים לכלול מטענים מהירים לרכב חשמלי, כונני מנוע, ספקי כוח תחבורתיים, תיקון כוח גבוה ואספקת חשמל תעשייתית.

בנוסף לפלטת הבסיס המבודדת של חבילת המודול מיני SOT-227, דיודות שזה עתה שוחררו כוללות ירידה במתח נמוך קדימה, אפס התאוששות קדימה, אפס התאוששות הפוכה, קיבול צומת נמוך ומדורגים לטמפרטורת פעולה מקסימלית של 175 מעלות צלזיוס. טכנולוגיית דיודות schottky SiC מהדור השלישי של GeneSiC מספקת חוסן מפולת וזרם גל מובילים בתעשייה (Ifsm) חוסן, בשילוב עם ייצור 6 אינץ 'איכותי לרכב וטכנולוגיית הרכבה דיסקרטית מתקדמת באמינות גבוהה.

דיודות SiC אלה הן תחליפים ישירים תואמים לסיכות לדיודות אחרות הזמינות ב- SOT-227 (מיני מודול) חֲבִילָה. נהנים מאובדני הכוח הנמוכים שלהם (פעולת קריר) ויכולת מיתוג בתדר גבוה, מעצבים יכולים כעת להשיג יעילות המרה גדולה יותר וצפיפות הספק גדולה יותר בעיצובים.

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט. GeneSiC Semiconductor Inc.. מפתחת סיליקון קרביד (SiC) התקני מוליכים למחצה מבוססי טמפרטורה גבוהה, קְרִינָה, ויישומי רשת חשמל. זה כולל פיתוח של מיישרים, FETs, התקנים דו קוטביים כמו גם חלקיקים & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש גישה לחבילה נרחבת של עיצוב מוליכים למחצה, זִיוּף, מתקני אפיון ובדיקה של מכשירים כאלה. GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה. החברה מייחדת את עצמה במתן מוצרים באיכות גבוהה המותאמים במיוחד לדרישות של כל לקוח. ל- GeneSiC יש חוזי ראש/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב כולל ARPA-E, משרד האנרגיה האמריקאי, חיל הים, DARPA, המחלקה לביטחון פנים, מחלקת המסחר ומחלקות אחרות במחלקת ארה"ב. של ההגנה. GeneSiC ממשיכה לשפר במהירות את תשתיות הציוד והכוח אדם ב-Dulles שלה, מתקן וירג'יניה. החברה מגייסת באגרסיביות כוח אדם מנוסה בייצור התקני מוליכים למחצה מורכבים, בדיקות מוליכים למחצה ועיצובי גלאים. מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקורwww.genesicsemi.com.

פורסם ב

GeneSiC משחררת את ה-1700V SiC Schottky MPS עם הביצועים הטובים ביותר בתעשייה™ דיודות

DULLES, VA, יָנוּאָר 7, 2019 — GeneSiC משחררת פורטפוליו מקיף של דיודות הדור השלישי שלה 1700V SiC Schottky MPS™ בחבילת TO-247-2

GeneSiC הציגה את GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 ו-GB50MPS17-247; דיודות 1700V SiC עם הביצועים הטובים ביותר בתעשייה, הזמינות בחבילה הפופולרית TO-247-2 דרך חורים. דיודות 1700V SiC אלו מחליפות דיודות התאוששות אולטרה-מהיר המבוססות על סיליקון ושאר דיודות 1700V SiC JBS מהדור הישן, המאפשר למהנדסים לבנות מעגלי מיתוג ביעילות רבה יותר ובצפיפות הספק גבוהה יותר. יישומים צפויים לכלול מטענים מהירים לרכב חשמלי, כונני מנוע, ספקי כוח לתחבורה ואנרגיה מתחדשת.

GB50MPS17-247 היא דיודת 1700V 50A SiC ממוזגת-PiN-schottky, דיודת כוח בדיד SiC בדירוג הנוכחי הגבוה ביותר בתעשייה. דיודות אלה שיצאו לאחרונה כוללות מפל מתח נמוך קדימה, אפס התאוששות קדימה, אפס התאוששות הפוכה, קיבול צומת נמוך ומדורגים לטמפרטורת פעולה מקסימלית של 175 מעלות צלזיוס. טכנולוגיית דיודות schottky SiC מהדור השלישי של GeneSiC מספקת חוסן מפולת וזרם גל מובילים בתעשייה (Ifsm) חוסן, בשילוב עם יציקה 6 אינץ' מוסמכת לרכב באיכות גבוהה וטכנולוגיית הרכבה דיסקרטית מתקדמת באמינות גבוהה.

דיודות SiC אלו הן תחליפים ישירים תואמי פינים לדיודות אחרות הזמינות בחבילת TO-247-2. נהנים מאובדני הכוח הנמוכים שלהם (פעולת קריר) ויכולת מיתוג בתדר גבוה, מעצבים יכולים כעת להשיג יעילות המרה גדולה יותר וצפיפות הספק גדולה יותר בעיצובים.

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט. GeneSiC Semiconductor Inc.. מפתחת סיליקון קרביד (SiC) התקני מוליכים למחצה מבוססי טמפרטורה גבוהה, קְרִינָה, ויישומי רשת חשמל. זה כולל פיתוח של מיישרים, FETs, התקנים דו קוטביים כמו גם חלקיקים & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש גישה לחבילה נרחבת של עיצוב מוליכים למחצה, זִיוּף, מתקני אפיון ובדיקה של מכשירים כאלה. GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה. החברה מייחדת את עצמה במתן מוצרים באיכות גבוהה המותאמים במיוחד לדרישות של כל לקוח. ל- GeneSiC יש חוזי ראש/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב כולל ARPA-E, משרד האנרגיה האמריקאי, חיל הים, DARPA, המחלקה לביטחון פנים, מחלקת המסחר ומחלקות אחרות במחלקת ארה"ב. של ההגנה. GeneSiC ממשיכה לשפר במהירות את תשתיות הציוד והכוח אדם ב-Dulles שלה, מתקן וירג'יניה. החברה מגייסת באגרסיביות כוח אדם מנוסה בייצור התקני מוליכים למחצה מורכבים, בדיקות מוליכים למחצה ועיצובי גלאים. מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקורwww.genesicsemi.com.