GeneSiC משגשג לספק את העיצובים הטובים ביותר המונעים על ידי לקוחות על ידי מתן מכשירי כוח SiC עם מדד ביצועי עלות מעולה, קשיחות גבוהה ואיכותית.
היישומים כוללים:
- שפר את הדיודה בתיקון גורמי כוח (PFC)
- ספק כוח במצב מתג (SMPS)
- כלי רכב חשמליים – רכבת כוח, ממיר DC-DC וטעינה על-גבי הלוח
- תשתית טעינה מהירה במיוחד
- ממירי שמש ואחסון אנרגיה
- גרירה
- ספקי כוח של מרכז הנתונים
- אינדוקציה חימום וריתוך
- ממירי DC-DC מתח גבוה
- רצון חופשי / דיודה אנטי מקבילה
- תאורת LED ו- HID
- מערכות הדמיה רפואיות
- ממירי כוח קידוחי שמן למטה
- חישת מתח גבוהה
- כוח דופק
לְבַקֵר www.genesicsemi.com/applications ללמוד 'יותר!
ליישומי חישה במתח גבוה כמו הגנה על DE-SAT ומעגלי מגף אתחול כונן שער גבוה, חבילות DO-214 ו- TO-252-2 הן פתרונות אידיאליים.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
חבילת TO-247-3 מציעה גמישות רבה לצפיפות הספק גבוהה יותר ולהפחתת BOM ביישומים כמו תיקון מקדם הספק (PFC) אינטר החולקים קתודה משותפת בין שתי דיודות.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
הערות יישום:
AN-1 1200 דיודות V שוטקי עם גבהי מחסום משתנים וגורמי אידיאליות
אוקטובר 2010 AN-1 1200 דיודות V שוטקי עם גבהי מחסום משתנים וגורמי אידיאליות
AN-2 1200 דיודות V SiC JBS עם טעינת התאוששות הפוכה נמוכה במיוחד עבור יישומי מיתוג מהירים
אוקטובר 2010 AN-2 1200 דיודות V SiC JBS עם טעינת התאוששות הפוכה נמוכה במיוחד עבור יישומי מיתוג מהירים
AN1001 אמינות דיודות הספק SiC
סֶפּטֶמבֶּר, 2018AN1001 אמינות דיודות הספק SiC
AN1002 הבנת גליון הנתונים של דיודת כוח SiC Power Schottky
סֶפּטֶמבֶּר, 2018AN1002 הבנת גליון הנתונים של דיודת כוח SiC Power Schottky
הוראות שימוש AN1003 SPICE
דֵצֶמבֶּר, 2018הוראות שימוש AN1003 SPICE
מאמרים טכניים:
מיישרים SiC PiN בהספק גבוה
דצמבר, 2005 מיישרים SiC PiN בהספק גבוה
מיישרים SiC PiN בעלי הספק גבוה
יוני, 2007 מיישרים SiC PiN בעלי הספק גבוה
זיהוי נויטרונים מהיר עם גלאי בידוד למחצה של סיליקון קרביד
יוני, 2008 זיהוי נויטרונים מהיר עם גלאי בידוד למחצה של סיליקון קרביד
פיתוח גלאי קרינה על בסיס בידוד למחצה של סיליקון
אוקטובר, 2008 פיתוח גלאי קרינה על בסיס בידוד למחצה של סיליקון
מתאם בין אורך החיים של רקומבינציה לנשא לבין ירידת מתח קדימה בדיודות 4H-SiC PiN
ספטמבר, 2010 מתאם בין אורך החיים של רקומבינציה לנשא לבין ירידת מתח קדימה בדיודות 4H-SiC PiN