מוליך למחצה GeneSiC, Inc - יעילות אנרגטית באמצעות חדשנות

G3R ™ SiC MOSFETs של GeneSiC מציגים ביצועים מובילים בתעשייה במיתוג מתח גבוה לרתמה שמעולם לא נצפו רמות יעילות, הפעלה בטמפרטורה גבוהה ואמינות המערכת.

תכונות:

  • טכנולוגיית G3R ™ עבור +15 כונן שער V
  • ש 'מעולהז x RDS(עַל) דמות הכשרון
  • טעינת שער נמוך וקיבולים למכשירים
  • הפסדי הולכה נמוכים בטמפרטורה גבוהה
  • מפולת שלגים מעולה וקשיחות במעגל קצר
  • הפעלה יציבה במצב רגיל עד 175 מעלות צלזיוס
  • דיודת גוף מהירה ואמינה
  • אריזה אופטימלית עם חיבור מקור קלווין

יתרונות:

  • מדד ביצועי עלות מעולה
  • צפיפות כוח מוגברת למערכת קומפקטית
  • R פנימי נמוךז להפעלת תדר מיתוג גבוה
  • הפסדים מופחתים ליעילות גבוהה יותר של המערכת
  • צלצול שער ממוזער
  • יכולות תרמיות משופרות
  • פשוט לנהיגה
  • קלות מקבילות ללא בריחה תרמית

יישומים:

  • רכבים חשמליים - רכבת כוח וטעינה
  • ממירי שמש ואחסון אנרגיה
  • רשת חכמה ו- HVDC
  • כוננים מוטוריים
  • ממירי DC-DC ו- AC-DC מתח גבוה
  • אינדוקציה חימום וריתוך
  • ספקי כוח במצב מיתוג
  • יישומי כוח פועמים

750V SiC MOSFET

בהתנגדות, רDS(עַל)צ'יפ חשוףTO-263-7TO-247-3TO-247-4
10 MΩG3R10MT07-CAL
12 MΩG4R12MT07-CAU
60 MΩG3R60MT07JG3R60MT07DG3R60MT07K

1200V SiC MOSFET

בהתנגדות, רDS(עַל)צ'יפ חשוףTO-263-7TO-247-3TO-247-4SOT-227
10 MΩG4R10MT12-CAU
12 MΩG3R12MT12-CALG3R12MT12K
20 MΩG3R20MT12-CAL G3R20MT12K G3R20MT12N
30 MΩG3R30MT12-CAL G3R30MT12J G3R30MT12K
40 MΩG3R40MT12J G3R40MT12D G3R40MT12K
75 MΩG3R75MT12J G3R75MT12D G3R75MT12K
160 MΩG3R160MT12J G3R160MT12D
350 MΩG3R350MT12J G3R350MT12D

1700V SiC MOSFET

בהתנגדות, רDS(עַל)צ'יפ חשוףTO-263-7TO-247-3TO-247-4SOT-227
20 MΩG3R20MT17-CAL G3R20MT17K G3R20MT17N
45 MΩG3R45MT17-CAL G3R45MT17D G3R45MT17K
160 MΩG3R160MT17J G3R160MT17D
450 MΩG3R450MT17J G3R450MT17D
1000 MΩG2R1000MT17JG2R1000MT17D

3300V SiC MOSFET

בהתנגדות, רDS(עַל)צ'יפ חשוףTO-263-7TO-247-4
50 MΩG2R50MT33-CAL G2R50MT33K
120 MΩG2R120MT33J
1000 MΩG2R1000MT33J

6500V SiC MOSFET

בהתנגדות, רDS(עַל)צ'יפ חשוף
300 MΩG2R300MT65-CAL
325 MΩG2R325MS65-CAL
מוליך למחצה GeneSiC, Inc