פיזיקה חדשה מאפשרת לתריסטור להגיע לרמה גבוהה יותר
DULLES, VA, אוגוסט 30, 2011 – New Physics Lets Thyristors Reach Higher Level An electric power grid supplies reliable power with the help of electronic devices that ensure smooth, reliable…
GeneSiC זוכה ב- R היוקרתית&פרס D100 למכשירי SiC ביישומי אנרגיית סולארית ורוח המחוברים לרשת
DULLES, VA, יולי 14, 2011 — ר&מגזין D בחר ב- GeneSiC Semiconductor Inc.. של דאלס, VA כמקבל היוקרתי 2011 ר&ד 100 Award for the commercialization of…
GeneSiC Semiconductor נבחר להציג טכנולוגיה ב 2011 פסגת חדשנות אנרגיה ARPA-E
DULLES, VA, פברואר 28, 2011 - GeneSiC Semiconductor מתרגשת להכריז על בחירתה לתצוגת הטכנולוגיה היוקרתית בפסגת החדשנות באנרגיה ARPA-E, co-hosted by the Department of…
GeneSiC זוכה בפרויקט ניהול חשמל של נאס"א לתמיכה במשימות חקר ונוס עתידיות
DULLES, VA, דֵצֶמבֶּר 14, 2010 - GeneSiC Semiconductor Inc., חדשן מרכזי של הרומן סיליקון קרביד (SiC) מכשירים לטמפרטורה גבוהה, עוצמה גבוהה, ויישומי מתח גבוה במיוחד, announces selection of…
רב קילו-הרץ, תיריסטורי מתח גבוה במיוחד סיליקון קרביד שנדגמו לחוקרים אמריקאים
DULLES, VA, נוֹבֶמבֶּר 1, 2010 –בהצעה ראשונה מסוגה, GeneSiC Semiconductor announces the availability of a family of 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors for use in power…