רב קילו-הרץ, תיריסטורי מתח גבוה במיוחד סיליקון קרביד שנדגמו לחוקרים אמריקאים
DULLES, VA, נוֹבֶמבֶּר 1, 2010 –בהצעה ראשונה מסוגה, GeneSiC Semiconductor announces the availability of a family of 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors for use in power…
GeneSiC זוכה ב -2.53 מיליון דולר מ- ARPA-E לקראת פיתוח מכשירים מבוססי סיליקון קרביד תיריסטור
DULLES, VA, סֶפּטֶמבֶּר 28, 2010 - סוכנות פרויקטים למחקר מתקדם - אנרגיה (ARPA-E) has entered into a Cooperative Agreement with the GeneSiC Semiconductor-led team towards the development of the novel…
רשתות דחף של אנרגיה מתחדשת GeneSiC מוליכים למחצה 1.5 מיליון דולר ממשרד האנרגיה האמריקני
DULLES, VA, נוֹבֶמבֶּר 12, 2008 – משרד האנרגיה האמריקני העניק ל- GeneSiC Semiconductor שני מענקים נפרדים בהיקף כולל של 1.5 מיליון דולר לפיתוח קרביד סיליקון במתח גבוה. (SiC) devices that…
GeneSiC Semiconductor הוענק מספר מחלקות ארה"ב למענקי SBIR ו- STTR
DULLES, VA, אוֹקְטוֹבֶּר 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., חדשנית מהירה של טמפרטורה גבוהה, פחמן סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים, announced that is has been awarded three separate…