DULLES, VA, נוֹבֶמבֶּר 1, 2010 –בהצעה ראשונה מסוגה, GeneSiC Semiconductor מודיעה על זמינותה של משפחה של 6.5kV מצב SCR במצב סיליקון קרביד לשימוש במכשירים אלקטרוניים חשמליים ליישומי רשת חכמה. יתרונות ביצועים מהפכניים של מכשירי כוח אלה צפויים לעודד חידושים מרכזיים בחומרה אלקטרונית כוח בקנה מידה שימושי כדי להגביר את הנגישות והניצול של משאבי אנרגיה מבוזרים. (ה). "עד עכשיו, רב סיליקון קרביד (SiC) התקני כוח לא היו זמינים בגלוי לחוקרים אמריקאים כדי לנצל באופן מלא את היתרונות הידועים - כלומר תדרי הפעלה של 2-10 קילו-הרץ בדירוגים של 5-15 קילו וולט - של מכשירי חשמל מבוססי SiC. " העיר ד"ר דר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC. "GeneSiC השלימה לאחרונה אספקה של 6.5kV / 40A רבים, 6.5kV / 60A ו- 6.5kV / 80A תיריסטורים ללקוחות מרובים העוסקים במחקר באנרגיה מתחדשת, יישומי מערכת כוח צבא וצי. מכשירי SiC עם דירוגים אלה מוצעים כעת באופן נרחב יותר. "
תיריסטורים מבוססי סיליקון קרביד מציעים מתח גבוה פי 10, 100X תדרי מיתוג מהירים יותר והפעלה בטמפרטורה גבוהה יותר בהשוואה לתיריסטורים קונבנציונליים מבוססי סיליקון. הזדמנויות מחקר יישומיות ממוקדות למכשירים אלה כוללות המרת מתח בינוני למטרות כלליות (MVDC), ממירי שמש קשורים לרשת, ממירי כוח רוח, כוח פועם, מערכות נשק, בקרת הצתה, ולהפעיל שליטה. זה כבר מבוסס היטב כי מתח גבוה במיוחד (>10kV) סיליקון קרביד (SiC) טכנולוגיית המכשירים תשחק תפקיד מהפכני ברשת השירות של הדור הבא. מכשירי SiC מבוססי תיריסטור מציעים את הביצועים הגבוהים ביותר במצב >5 התקני kV, וישימות נרחבות כלפי מעגלי המרת מתח מתח בינוני כמו מגבלות זרם תקלה, ממירי AC-DC, מפצי VAR סטטיים ומפצי סדרה. תיריסטורים מבוססי SiC מציעים גם את הסיכוי הטוב ביותר לאימוץ מוקדם בגלל הדמיון שלהם לאלמנטים קונבנציונליים ברשת החשמל. פריסת טכנולוגיות מוליכות למחצה מתקדמות אלה עשויה לספק עד כה 25-30 הפחתת אחוז בצריכת החשמל באמצעות יעילות מוגברת בהספקת חשמל.
ד"ר. סינג ממשיך "הצפי הוא כי שווקים רחבי היקף בתחנות חשמל במצב מוצק ובמחוללי טורבינות רוח ייפתחו לאחר שחוקרים בזירת המרת הכוח יבינו עד תום את היתרונות של SiC Thyristors. הדור הראשון של ה- SiC תיריסטורים מנצלים את ירידת המתח במצב הנמוך ביותר והתנגדות ההפרש ההפרשית שהושגו אי פעם ב- SiC תיריסטורים.. בכוונתנו לשחרר את הדורות הבאים של SiC Thyristors המותאמים ליכולת כיבוי מבוקרת שער >10דירוגי kV. ככל שאנו ממשיכים לפתח פתרונות אריזה במתח גבוה במיוחד, 6.5kV הנוכחי תיריסטורים ארוזים במודולים עם מגעים מולחמים לחלוטין, מוגבל לטמפרטורות צומת של 150 מעלות צלזיוס. " GeneSiC הוא חדשני המתפתח במהירות בתחום מכשירי הכוח של SiC ומחויב מאוד לפיתוח סיליקון קרביד. (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט.
ממוקם ליד וושינגטון, DC בדולס, וירג'יניה, GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, פחמן סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים. מיזמי הפיתוח הנוכחיים כוללים מיישרים בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורי SuperJunction (SJT) ומגוון רחב של מכשירים מבוססי תיריסטור. ל- GeneSiC יש או היו חוזי פריים / משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב, כולל משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, והמשרד לביטחון פנים. החברה חווה כיום צמיחה משמעותית, ושכירת עובדים מוסמכים בתכנון מכשירי חשמל וגלאים, זִיוּף, ובדיקה. לגלות עוד, בבקשה תבקר www.genesicsemi.com.
