טמפרטורה גבוהה (>210הג) טרנזיסטורי צומת ומיישרים באריזות פחיות מתכת קטנות, מציעות יתרונות ביצועים מהפכניים למגוון יישומים, כולל הגברה, מעגלים עם רעש נמוך ובקרות מפעיל למטה
DULLES, VA, מרץ 9, 2015 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה כוח מכריזים היום על זמינות מיידית של קו קומפקטי, טרנזיסטורי SiC Junction בטמפרטורה גבוהה וכן שורה של מיישרים באריזות פחיות מתכת TO-46. רכיבים נפרדים אלה מתוכננים ומיוצרים כך שיפעלו תחת טמפרטורות סביבה גבוהות מ 215הג. השימוש בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורי ומיישרים SiC בעלי מתח גבוה והתנגדות נמוכה יצמצמו את הגודל/משקל/נפח של יישומי אלקטרוניקה הדורשים טיפול בהספק גבוה יותר בטמפרטורות גבוהות. התקנים אלה מיועדים לשימוש במגוון רחב של יישומים כולל מגוון רחב של מעגלים למטה, מכשור גיאותרמי, הפעלת סולנואיד, הגברה לשימוש כללי, וספקי כוח מודפסים.
טרנזיסטורי SiC Junction בטמפרטורה גבוהה (SJT) מוצעת על ידי GeneSiC תערוכת תת-10 nsec זמני עלייה/נפילה מאפשרים >10 מיתוג מגה-הרץ וכן אזור פעולה בטוח מוטה הפוכה מרובעת (RBSOA). הפסדי האנרגיה הזמניים וזמני המיתוג אינם תלויים בטמפרטורת הצומת. מתגים אלה נטולי תחמוצת שער, כבוי בדרך כלל, להפגין מקדם טמפרטורה חיובי של התנגדות, והם מסוגלים להיות מונעים על ידי 0/+5 דרייברים לשער V TTL, בניגוד למתגי SiC אחרים. היתרונות הייחודיים של SJT בניגוד למתגי SiC אחרים הם האמינות הגבוהה יותר לטווח ארוך, >20 יכולת קצר חשמלית של usec, ויכולת מפולת מעולה. התקנים אלה יכולים לשמש כמגברים יעילים מכיוון שהם מבטיחים ליניאריות גבוהה בהרבה מכל מתג SiC אחר.
מיישרי SiC Schottky בטמפרטורה גבוהה המוצעים על ידי GeneSiC מראים נפילות מתח נמוכות במצב במצב, וזרמי הדליפה הנמוכים ביותר בתעשייה בטמפרטורות גבוהות. עם טמפרטורה בלתי תלויה, מאפייני מיתוג התאוששות הפוכה כמעט באפס, מיישרי SiC Schottky הם מועמדים אידיאליים לשימוש ביעילות גבוהה, מעגלים בטמפרטורה גבוהה. אריזות פחיות המתכת TO-46 כמו גם תהליכי האריזה הנלווים המשמשים ליצירת מוצרים אלה מאפשרים שימוש לטווח ארוך כאשר אמינות גבוהה היא קריטית.
“מוצרי הטרנזיסטור והמיישר של GeneSiC מתוכננים ומיוצרים מהשטח כדי לאפשר פעולה בטמפרטורה גבוהה. SJTs קומפקטיים ארוזים TO-46 מציעים רווחי זרם גבוהים (>110), 0/+5 בקרת V TTL, וביצועים חזקים. התקנים אלה מציעים הפסדי הולכה נמוכים וליניאריות גבוהה. אנו מעצבים את קו המיישרים "SHT" שלנו, להציע זרמי דליפה נמוכים בטמפרטורות גבוהות. מוצרי מתכת ארוזים אלה מגדילים את מוצרי ה-TO-257 ומוצרי SMD המתכת שיצאו בשנה שעברה כדי להציע מבנה קטן, פתרונות עמידים בפני רעידות” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.
מוצרים שפורסמו היום כוללים:
240 mOhm טרנזיסטורי SiC Junction:
- 300 מתח חסימת V. מספר חלק GA05JT03-46
- 100 מתח חסימת V. מספר חלק GA05JT01-46
- רווח נוכחי (חFE) >110
- טjmax = 210הג
- הדלק / כבה; זמני עלייה/נפילה <10 ננו-שניות אופייניות.
עד ל 4 דיודות שוטקי בטמפרטורה גבוהה אמפר:
- 600 מתח חסימת V. מספר חלק GB02SHT06-46
- 300 מתח חסימת V. מספר חלק GB02SHT03-46
- 100 מתח חסימת V. מספר חלק GB02SHT01-46
- מטען קיבולי כולל 9 nC
- טjmax = 210הג.
כל המכשירים הם 100% נבדק לפי דירוגי מתח/זרם מלאים ומאוכסן באריזות TO-46 מתכת. המכשירים זמינים מיד מהמפיצים המורשים של GeneSiC.
אודות GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים, וספק עולמי של מגוון רחב של מוליכים למחצה כוח. סל המכשירים שלה כולל מיישר מבוסס SiC, טרָנזִיסטוֹר, ומוצרי תיריסטור, כמו גם מודולים של דיודות סיליקון. GeneSiC פיתחה קניין רוחני נרחב וידע טכני המקיף את ההתקדמות העדכנית ביותר בהתקני כוח SiC, עם מוצרים המיועדים לאנרגיה חלופית, רכב, קידוח שמן למטה, שליטה מוטורית, ספק כוח, הוֹבָלָה, ויישומי אל פסק. ב 2011, החברה זכתה בפרס R&פרס D100 על מסחור מתח גבוה במיוחד של SiC תיריסטורים.
למידע נוסף, בבקשה תבקר https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; ו https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.
