אנרגיה מוליכים למחצה, מוביל בתעשייה ב-Gallium Nitride Power ICs, מכריזה על רכישת GeneSiC Semiconductor, סיליקון קרביד פיוניר

 

השני, CA., 15 באוגוסט, 2022 - אנרגיה מוליכים למחצה (נאסד"ק: NVTS), המובילה בתעשייה בגליום ניטריד (GaN) ICs כוח, הודיעה היום על רכישת GeneSiC Semiconductor, סיליקון קרביד (SiC) pioneer with deep expertise in SiC power device design and process. The transaction is immediately accretive to Navitas as GeneSiC is highly profitable, with more than 25% EBITDA margins. Calendar 2022 revenues are expected to be approximately $25 million with demonstrated annual growth rates of over 60%. The combined company creates a comprehensive, industry-leading technology portfolio in next-generation power semiconductors – both GaN and SiC – with an aggregate market opportunity estimated at over $20 billion per year by 2026.

“GeneSiC is an ideal partner for Navitas with their focus and success in developing industry-leading SiC technology,” said Gene Sheridan, Navitas CEO and co-founder. “Navitas has significant investments in global sales, operations and technical support teams, along with system design centers in EV and data centers. These capabilities are a perfect complement to GeneSiC and will further accelerate their growth in both synergistic and new customers and markets. Today, we have taken a major step in our company’s mission to ‘Electrify Our World™’ and drive our planet’s transition from fossil fuels to clean, יָעִיל, electrical energy.”

“GeneSiC’s patent-protected, advanced technology and innovative, experienced team are critical factors in the growth of our company. Our SiC MOSFETs offer the industry’s highest performance, reliability, and ruggedness – parameters critical towards widespread adoption of electric vehicles and associated infrastructure,” said GeneSiC President Dr. רנביר סינג. “With almost 20 years of leading-edge R&ד, proven platforms, over 500 diverse customers, and growing revenue and profitability, we can leverage Navitas’ mass-production expertise and go-to-market strategy to accelerate SiC revenues. We are very excited about this new partnership.”

ד"ר. Singh joins Navitas as Executive Vice-President for the GeneSiC business and Navitas expects to retain all members of the GeneSiC team.

In power semiconductors, both GaN and SiC are superior materials to legacy silicon, enabling higher speeds, greater energy savings, faster charging, and significantly reduced size, מִשׁקָל, and cost. Together, these complementary, next-generation materials address a broad range of applications from 20W smartphone chargers, to 20kW EV chargers, to 20MW grid-infrastructure systems and everything in between. With over 500 customers, the GeneSiC acquisition delivers diversified and synergistic markets and customers, and accelerates Navitas’ revenue in strategic, higher-power applications:

  • רכב חשמלי: Navitas GaN ICs are optimized for 400V EV systems, and GeneSiC technology is ideal for 800V EV systems, with existing revenue and development customers which include BYD – the world’s #1 EV supplier, Land Rover, Mercedes AMG, Geely, Shinry, LG Magna, Saab, and Inovance, along with dozens of others.
  • סוֹלָרִי & Energy Storage: Navitas GaN ICs serve residential solar, while GeneSiC has immediate revenue in higher power, commercial solar and energy storage customers, including APS, Advanced Energy, Chint, Sungrow, Growatt, CATL, Exide and many others.
  • Broader Industrial Markets: GeneSiC high-voltage products bring immediate revenue in a wide range of additional industrial markets which include rail, יו פי אס, wind, grid power, מנועים תעשייתיים, והדמיה רפואית.

Transaction Details

The acquisition of GeneSiC is expected to be immediately accretive to Navitas’ earnings per share. Total consideration consisted of approximately $100 million in cash, 24.9 million shares of Navitas stock and possible earn-out payments of up to $25 million conditioned on the achievement of substantial revenue targets for the GeneSiC business over the four fiscal quarters ending September 30, 2023. More information about GeneSiC is available at ir.navitassemi.com.

Advisors

Jefferies LLC acted as financial advisor to Navitas and Bank of America acted as financial advisor to GeneSiC. TCF Law Group, PLLC acted as legal advisor to Navitas and Gibson, Dunn & Crutcher LLP acted as legal advisor to GeneSiC.

Conference Call and Webcast Information

The GeneSiC acquisition will be discussed as part of the Navitas Q2 2022 earnings call:

When: Monday, אוגוסט 15th, 2022

Time: 2:00 p.m. Pacific / 5:00 p.m. Eastern

Toll Free Dial-in: (800) 715-9871 or (646) 307-1963

Conference ID: 6867001

Live Webcast: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Replay: A replay of the call will be accessible from the Investor Relations section of the Company’s website at https://ir.navitassemi.com/.

Cautionary Statement Regarding Forward-Looking Statements

This press release includes “forward-looking statements” within the meaning of Section 21E of the Securities Exchange Act of 1934, as amended. Forward-looking statements may be identified by the use of words such as “we expect” or “are expected to be,” “estimate,” “plan,” “project,” “forecast,” “intend,” “anticipate,” “believe,” “seek,” or other similar expressions that predict or indicate future events or trends or that are not statements of historical matters. These forward-looking statements include, but are not limited to, statements regarding estimates and forecasts of other financial and performance metrics and projections of market opportunity and market share. These statements are based on various assumptions, whether or not identified in this press release. These statements are also based on current expectations of the management of Navitas and are not predictions of actual performance. Such forward-looking statements are provided for illustrative purposes only and are not intended to serve as, and must not be relied on by any investor as, a guarantee, an assurance, a prediction or a definitive statement of fact or probability. Actual events and circumstances are difficult or impossible to predict and will differ from assumptions and expectations. Many actual events and circumstances that affect performance are beyond the control of Navitas. Forward-looking statements are subject to a number of risks and uncertainties, including the possibility that the expected growth of Navitas’ and GeneSiC’s businesses will not be realized, or will not be realized within expected time periods, due to, among other things, the failure to successfully integrate GeneSiC into Navitas’ business and operational systems; the effect of the acquisition on customer and supplier relationships or the failure to retain and expand those relationships; the success or failure of other business development efforts; Navitas’ financial condition and results of operations; Navitas’ ability to accurately predict future revenues for the purpose of appropriately budgeting and adjusting Navitas’ expenses; Navitas’ ability to diversify its customer base and develop relationships in new markets; Navitas’ ability to scale its technology into new markets and applications; the effects of competition on Navitas’ business, including actions of competitors with an established presence and resources in markets we hope to penetrate, including silicon carbide markets; the level of demand in Navitas’ and GeneSiC’s customers’ end markets, both generally and with respect to successive generations of products or technology; Navitas’ ability to attract, train and retain key qualified personnel; changes in government trade policies, including the imposition of tariffs; the impact of the COVID-19 pandemic on Navitas’ business, results of operations and financial condition; the impact of the COVID-19 pandemic on the global economy, including but not limited to Navitas’ supply chain and the supply chains of customers and suppliers; regulatory developments in the United States and foreign countries; and Navitas’ ability to protect its intellectual property rights. These and other risk factors are discussed in the Risk Factors section beginning on p. 11 of our annual report on Form 10-K for the year ended December 31, 2021, which we filed with the Securities and Exchange Commission (the “SEC”) on March 31, 2022 and as thereafter amended, and in other documents we file with the SEC, including our quarterly reports on Form 10-Q. If any of these risks materialize or our assumptions prove incorrect, actual results could differ materially from the results implied by these forward-looking statements. There may be additional risks that Navitas is not aware of or that Navitas currently believes are immaterial that could also cause actual results to differ materially from those contained in the forward-looking statements. In addition, forward-looking statements reflect Navitas’ expectations, plans or forecasts of future events and views as of the date of this press release. Navitas anticipates that subsequent events and developments will cause Navitas’ assessments to change. למרות זאת, while Navitas may elect to update these forward-looking statements at some point in the future, Navitas specifically disclaims any obligation to do so. These forward-looking statements should not be relied upon as representing Navitas’ assessments as of any date subsequent to the date of this press release.

About Navitas

אנרגיה מוליכים למחצה (נאסד"ק: NVTS) is the industry leader in gallium nitride (GaN) ICs כוח, founded in 2014. GaNFast™ power ICs integrate GaN power with drive, control, sensing and protection to enable faster charging, higher power density and greater energy savings for mobile, consumer, data center, EV and solar markets. Over 165 Navitas patents are issued or pending. Over 50 million units have been shipped with zero reported GaN field failures, and Navitas introduced the industry’s first and only 20-year warranty. Navitas is the world’s first semiconductor company to be CarbonNeutral®-certified.

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

מוליך למחצה GeneSiC is a pioneer and world-leader in silicon carbide (SiC) technology. Leading global manufacturers depend on GeneSiC’s technology to elevate the performance and efficiency of their products. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, and more economically and play a key role in conserving energy in a wide array of high-power systems. GeneSiC holds leading patents on wide band-gap power device technologies, שוק שצפוי להגיע ליותר מ $5 מיליארד על ידי 2025. Our core strengths of design, process and technology add more value to our customers’ end-product, with performance and cost metrics setting new standards in the silicon carbide industry.

Contact Information

כְּלֵי תִקְשׁוֹרֶת

Graham Robertson, CMO Grand Bridges

Graham@GrandBridges.com

Investors

Stephen Oliver, VP Corporate Marketing & Investor Relations

ir@navitassemi.com

אנרגיה מוליכים למחצה, GaNFast, GaNSense and the Navitas logo are trademarks or registered trademarks of Navitas Semiconductor Limited. All other brands, product names and marks are or may be trademarks or registered trademarks used to identify products or services of their respective owners.

G3R ™ 750V SiC MOSFETs מציעים ביצועים ואמינות שאין שני להם

750V G3R SiC MOSFET

DULLES, VA, יוני 04, 2021 — הדור הבא של GeneSiC 750 V G3R ™ MOSFETs SiC יספקו רמות ביצועים חסרות תקדים, חוסן ואיכות העולים על מקביליו. יתרונות המערכת כוללים ירידה נמוכה במצב במצב בטמפרטורות הפעלה, מהירויות מעבר מהירות יותר, צפיפות הספק מוגברת, צלצול מינימלי (EMI נמוך) וגודל מערכת קומפקטי. G3R™ של GeneSiC, מוצעת בחבילות דיסקרטיות עם אינדוקציה נמוכה (SMD ודרך חור), מותאמים לפעול עם הפסדי הספק הנמוכים ביותר בכל תנאי ההפעלה ומהירויות מיתוג מהירות במיוחד. למכשירים אלה יש רמות ביצועים טובות יותר באופן משמעותי בהשוואה למכשירי SiC MOSFET עכשוויים.

750V G3R SiC MOSFET

"שימוש באנרגיה ביעילות גבוהה הפך למוצר קריטי בממירי כוח מהדור הבא והתקני כוח SiC ממשיכים להיות המרכיבים העיקריים המניעים את המהפכה הזו. לאחר שנים של עבודת פיתוח להשגת ההתנגדות הנמוכה ביותר במצב וביצועי קצר חשמלי ומפולות חזקים, אנו נרגשים לשחרר את ה-MOSFETs 750V SiC עם הביצועים הטובים ביותר בתעשייה. G3R™ שלנו מאפשר למעצבי אלקטרוניקה כח לעמוד ביעילות המאתגרת, יעדי צפיפות הספק ואיכות ביישומים כמו ממירים סולאריים, מטענים מובנים ל-EV וספקי כוח לשרת/טלקום. איכות מובטחת, הנתמכת על ידי הסבה מהירה וייצור מוכשר לרכב בנפח גבוה משפר עוד יותר את הצעת הערך שלהם. ” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא ב- GeneSiC Semiconductor.

תכונות –

  • טעינת השער הנמוכה ביותר בתעשייה (שז) והתנגדות שער פנימי (RG(INT))
  • R הנמוך ביותרDS(עַל) להשתנות עם הטמפרטורה
  • קיבול פלט נמוך (גלָנוּ) וקיבול מיילר (גGD)
  • 100% מַפּוֹלֶת שְׁלָגִים (UIL) נבדק במהלך הייצור
  • יכולת עמידה בקצר חשמלי מובילה בתעשייה
  • דיודת גוף מהירה ואמינה עם V נמוךו ו-Q נמוךRR
  • מתח סף שער גבוה ויציב (וTH) על פני כל תנאי הטמפרטורה והטיית הניקוז
  • טכנולוגיית אריזה מתקדמת לעמידות תרמית נמוכה יותר וצלצול נמוך יותר
  • אחידות ייצור של RDS(עַל), וTH ומתח התפרקות (BV)
  • סל מוצרים מקיף ושרשרת אספקה ​​בטוחה יותר עם ייצור מוכשר לרכב בנפח גבוה

יישומים –

  • סוֹלָרִי (PV) ממירים
  • EV / מטענים משולבים של HEV
  • שרת & ספקי כוח טלקום
  • ספקי כוח אל פסק (יו פי אס)
  • ממירי DC-DC
  • ספקי כוח במצב מיתוג (SMPS)
  • אחסון אנרגיה וטעינת סוללה
  • חימום אינדוקציה

כל ה- SiC MOSFET של GeneSiC Semiconductor מיועדים ליישומי רכב (AEC-q101) ובעל יכולת PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&סחר ב-SiC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&סחר ב-SiC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&סחר ב-SiC MOSFET

עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ או ליצור קשר sales@genesicsemi.com

כל המכשירים זמינים לרכישה באמצעות מפיצים מורשים – www.genesicsemi.com/sales-support

רכב חשמלי

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

אלקטרוניקה חץ

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.

5דור דיו 650V SiC Schottky MPS ™ דיודות ליעילות הטובה ביותר בכיתה

Gen5 650V SiC Schottky MPS ™

DULLES, VA, מאי 28, 2021 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של סיליקון קרביד (SiC) התקני מוליכים למחצה חשמליים, מודיעה על זמינות הדור החמישי (סדרת GE ***) SiC Schottky MPS™ rectifiers that are setting up a new benchmark with their superior price-performance index, industry-leading surge current and avalanche robustness, and high quality manufacturing.

“GeneSiC was one of the first SiC manufacturers to commercially supply SiC Schottky rectifiers in 2011. After more than a decade of supplying high-performance and high-quality SiC rectifiers in the industry, we are excited to release our 5th generation of SiC Schottky MPS™ (Merged-PiN-Schottky) diodes that offer industry-leading performance in all aspects to meet the high efficiency and power density goals in applications like server/telecom power supplies and battery chargers. The revolutionary feature that makes our 5th Generation (סדרת GE ***) SiC Schottky MPS™ diodes stand out among its peers is the low built-in voltage (also known as knee-voltage);it enables lowest diode conduction losses at all load conditions – crucial for applications demanding high-efficiency energy usage. In contrast to other competitor SiC diodes also designed to offer low-knee characteristics, an additional feature of our Gen5 diode designs is that they still maintain that high level of avalanche (UIL) ruggedness that our customers have come to expect from GeneSiC’s Gen3 (GC*** series) and Gen4 (GD*** series) SiC Schottky MPS ™” אמר ד"ר. סידארת 'סונדרסן, Vice President of Technology at GeneSiC Semiconductor.

תכונות –

  • Low Built-In VoltageLowest Conduction Losses for All Load Conditions
  • Superior Figure of MeritQC x VF
  • Optimal Price Performance
  • יכולת זרם נחשול משופרת
  • 100% Avalanche (UIL) Tested
  • Low Thermal Resistance for Cooler Operation
  • Zero Forward and Reverse Recovery
  • Temperature Independent Fast Switching
  • Positive Temperature Coefficient of VF

יישומים –

  • שפר את הדיודה בתיקון גורמי כוח (PFC)
  • Server and Telecom Power Supplies
  • ממירי שמש
  • ספקי כוח אל פסק (יו פי אס)
  • Battery Chargers
  • רצון חופשי / דיודה אנטי מקבילה בממירים

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

כל המכשירים זמינים לרכישה באמצעות מפיצים מורשים – www.genesicsemi.com/sales-support

עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ או ליצור קשר sales@genesicsemi.com

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.

הדור השלישי החדש של SiC MOSFETs של GeneSiC המציע את מיטב העניינים הטובים ביותר בתעשייה

DULLES, VA, פברואר 12, 2020 — הדור הבא של GeneSiC Semiconductor 1200V G3R ™ SiC MOSFETs עם RDS(עַל) רמות הנעים בין 20 mΩ ל 350 mΩ מספקים רמות ביצועים חסרות תקדים, חוסן ואיכות העולים על מקביליו. יתרונות המערכת כוללים יעילות גבוהה יותר, תדר מיתוג מהיר יותר, צפיפות הספק מוגברת, צלצול מופחת (EMI) וגודל מערכת קומפקטי.

GeneSiC מודיעה על זמינות MOSFETs המובילים בענף הסיליקון קרביד הדור השלישי המובילים בתעשייה, הכוללים ביצועים מובילים בתעשייה, עמידות ואיכות לרתום רמות יעילות ואמינות של המערכת ביישומי רכב ותעשייה.

אלה G3R ™ SiC MOSFETs, מוצעת בחבילות דיסקרטיות עם אינדוקציה נמוכה (SMD ודרך חור), מותאמים מאוד לתכנון מערכות חשמל הדורשות רמות יעילות גבוהות ומהירויות מיתוג מהירות במיוחד. למכשירים אלה יש רמות ביצועים טובות יותר בהשוואה למוצרים מתחרים. איכות מובטחת, נתמך על ידי ייצור מהיר של נפח גבוה, המשפר עוד יותר את הצעת הערך שלהם.

"לאחר שנים של עבודות פיתוח לקראת השגת ההתנגדות הנמוכה ביותר במצב וביצועי קצר חשמלי משופרים, אנו שמחים לשחרר את מיטב ה- SiC MOSFET של 1200 וולט עם הביצועים הטובים ביותר בתעשייה 15+ מוצרי שבב בדידים וחשופים. אם מערכות האלקטרוניקה החשמליות מהדור הבא יעמדו ביעילות המאתגרת, צפיפות הספק ויעדי איכות ביישומים כמו רכב, תַעֲשִׂיָתִי, אנרגיה מתחדשת, הוֹבָלָה, IT וטלקום, אז הם דורשים שיפור משמעותי בביצועי המכשיר ובאמינותם בהשוואה ל- SiC MOSFET הקיימים כיום” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא ב- GeneSiC Semiconductor.

תכונות –

  • ש 'מעולהז x RDS(עַל) דמות הכשרון – G3R ™ SiC MOSFETs כוללים את ההתנגדות הנמוכה ביותר בתעשייה עם טעינת שער נמוכה מאוד, וכתוצאה מכך ל 20% נתון שווי טוב יותר מכל מכשיר מתחרה דומה אחר
  • הפסדי הולכה נמוכים בכל הטמפרטורות – MOSFETs של GeneSiC כוללים תלות בטמפרטורה הרכה ביותר של התנגדות במצב כדי להציע הפסדי הולכה נמוכים מאוד בכל הטמפרטורות.; טוב יותר באופן משמעותי מכל תעלות אחרות מסוג SiC MOSFET משטחיות
  • 100 % מפולת שלגים נבדקה – יכולת UIL חזקה היא דרישה קריטית עבור רוב היישומים בשטח. 1200V SiC MOSFET דיסקרטי של GeneSiC הם 100 % מַפּוֹלֶת שְׁלָגִים (UIL) נבדק במהלך הייצור
  • טעינת שער נמוכה והתנגדות שער פנימית נמוכה – פרמטרים אלה הם קריטיים לקראת מימוש מיתוג מהיר במיוחד והשגת יעילות גבוהה ביותר (Eon נמוך - Off) במגוון רחב של תדרי החלפת יישומים
  • הפעלה יציבה באופן רגיל עד 175 מעלות צלזיוס – כל ה- MOSFET של SiC של GeneSiC מתוכננים ומייצרים בתהליכים חדישים כדי לספק מוצרים יציבים ואמינים בכל תנאי ההפעלה ללא כל סיכון לתקלה.. איכות תחמוצת השער המעולה של מכשירים אלה מונעת כל סף (וTH) סְחִיפָה
  • קיבולי מכשיר נמוכים – G3R ™ נועדו לנהוג מהר יותר ויעיל יותר עם קיבולי המכשיר הנמוכים שלהם - Ciss, קוז וקרס
  • דיודת גוף מהירה ואמינה עם מטען פנימי נמוך – MOSFETs של GeneSiC כוללים חיוב נמוך לשחזור הפוך (שRR) בכל הטמפרטורות; 30% טוב יותר מכל מכשיר מתחרה בעל דירוג דומה. זה מציע ירידה נוספת בהפסדי החשמל ומגביר את תדרי ההפעלה
  • קלות שימוש – G3R ™ SiC MOSFET מיועדים להניע ב + 15 וולט / -5כונן שער V. זה מציע תאימות רחבה ביותר עם מנהלי שער IGBT ו- SiC MOSFET מסחריים קיימים

יישומים –

  • רכב חשמלי – רכבת כוח וטעינה
  • מהפך סולארי ואחסון אנרגיה
  • כונן מנוע תעשייתי
  • ספק כוח ללא הפרעה (יו פי אס)
  • ספק כוח במצב מתג (SMPS)
  • ממירי DC-DC דו כיווניים
  • רשת חכמה ו- HVDC
  • אינדוקציה חימום וריתוך
  • יישום כוח מפועם

כל המכשירים זמינים לרכישה באמצעות מפיצים מורשים – www.genesicsemi.com/sales-support

רכב חשמלי

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

אלקטרוניקה חץ

עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-mosfet או ליצור קשר sales@genesicsemi.com

כל ה- SiC MOSFET של GeneSiC Semiconductor מיועדים ליישומי רכב (AEC-q101) ובעל יכולת PPAP. כל המכשירים מוצעים בתקן התעשייתי D2PAK, חבילות TO-247 ו- SOT-227.

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.

MOSFET SiC 3300V ו- 1700V 1000mΩ SiC של GeneSiC מחוללים מהפכה במיניאטור של ספקי כוח עזר

DULLES, VA, דֵצֶמבֶּר 4, 2020 — GeneSiC מודיעה על זמינות של מובילי תעשייה 3300V ו- 1700V SiC MOSFET מובילים בתעשייה המותאמים להשגת מזעור ללא תחרות, אמינות וחיסכון באנרגיה בכוח משק הבית התעשייתי.

מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של תיק מקיף של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה חשמליים, היום מודיעה על זמינות מיידית של הדור הבא 3300V ו- 1700V 1000mΩ SiC MOSFETs - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, ו- G2R1000MT33J. אלה SiC MOSFETs מאפשרים רמות ביצועים מעולות, מבוסס על נתוני הדגל של הכשרון (FoM) המשפרים ומפשטים מערכות חשמל באחסון אנרגיה, אנרגיה מתחדשת, מנועים תעשייתיים, ממירים לשימוש כללי ותאורה תעשייתית. המוצרים שפורסמו הם:

G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

MOSFET SiC 3300V ו- 1700V החדשים של GeneSiC, זמין באפשרויות 1000mΩ ו- 450mΩ כחבילות נפרדות מסוג SMD ו- Through-Hole, מותאמים מאוד לתכנון מערכות חשמל הדורשות רמות יעילות גבוהות ומהירויות מיתוג מהירות במיוחד. למכשירים אלה יש רמות ביצועים טובות יותר בהשוואה למוצרים מתחרים. איכות מובטחת, נתמך על ידי ייצור מהיר של נפחים גבוהים המשפר עוד יותר את הצעת הערך שלהם.

"ביישומים כמו ממירי שמש 1500 וולט, ה- MOSFET באספקת חשמל עזר עשוי להידרש לעמוד במתח בטווח של 2500 וולט, תלוי במתח הכניסה, יחס סיבובים של השנאי ומתח המוצא. מתח MOSFET של מתח תקלה גבוה מייתר את הצורך במתגים המחוברים בסדרה ב- Flyback, ממריצים Boost ו- Forward ובכך מקטינים את ספירת החלקים ומפחיתים את מורכבות המעגל. 3300V ו- 1700V SiC MOSFET בדידים של GeneSiC מאפשרים למעצבים להשתמש בטופולוגיה פשוטה יותר המבוססת על מתגים בודדים ובמקביל לספק ללקוחות אמינים, מערכת קומפקטית וחסכונית” אמרה סומית ג'אדב, מנהל יישומים בכיר ב- GeneSiC Semiconductor.

תכונות –

  • מדד ביצועי מחיר מעולה
  • ספינת הדגל שז x RDS(עַל) דמות הכשרון
  • קיבול פנימי נמוך וטעינה נמוכה של השער
  • הפסדים נמוכים בכל הטמפרטורות
  • מפולת גבוהה ומחוספס קצר חשמלי
  • מתח סף אמת מידה להפעלה יציבה במצב רגיל עד 175 מעלות צלזיוס

יישומים –

  • אנרגיה מתחדשת (ממירי שמש) ואחסון אנרגיה
  • מנועים תעשייתיים (וקשר)
  • ממירים לשימוש כללי
  • תאורה תעשייתית
  • נהגי פיזו
  • גנרטורים לקורות יון

כל המכשירים זמינים לרכישה באמצעות מפיצים מורשים – www.genesicsemi.com/sales-support

עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-mosfet או ליצור קשר sales@genesicsemi.com

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.

התעשייה המובילה בתעשייה של GeneSiC 6.5kV SiC MOSFETs – ואנגארד לגל חדש של יישומים

6.5KV SiC MOSFETs

DULLES, VA, אוֹקְטוֹבֶּר 20, 2020 — GeneSiC משחררת 6.5kV סיליקון קרביד MOSFET כדי להוביל את החזית באספקת רמות ביצועים חסרות תקדים, יעילות ואמינות ביישומי המרת מתח בינוני כגון מתיחה, פועמת חשמל ותשתית רשת חכמה.

מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה חשמליים, היום מכריזה על זמינות מיידית של שבבים חשופים מסוג SiC MOSFET של 6.5kV - G2R300MT65-CAL ו- G2R325MS65-CAL. בקרוב ישוחררו מודולי SiC מלאים המשתמשים בטכנולוגיה זו. יישומים צפויים לכלול מתיחה, כוח פועם, תשתית רשת חכמה וממירי כוח מתח בינוני אחרים.

G2R300MT65-CAL - 6.5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET שבב חשוף

G2R325MS65-CAL - 6.5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (עם משולב-שוטקי) צ'יפ חשוף

G2R100MT65-CAL - 6.5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET שבב חשוף

החידוש של GeneSiC כולל מוליך למחצה של תחמוצת מתכת שתולה כפול (DMOSFET) מבנה מכשיר עם מחסום צומת שוטקי (JBS) מיישר המשולב בתא היחידה SiC DMOSFET. ניתן להשתמש במכשיר כוח מוביל זה במגוון מעגלי המרת הספק בדור הבא של מערכות המרת הספק. יתרונות משמעותיים אחרים כוללים ביצועים דו-כיווניים יעילים יותר, מיתוג בלתי תלוי בטמפרטורה, הפסדי מיתוג והולכה נמוכים, דרישות קירור מופחתות, אמינות מעולה לטווח הארוך, קלות מכשירים מקבילים ויתרונות עלות. הטכנולוגיה של GeneSiC מציעה ביצועים מעולים ויש בה גם פוטנציאל להפחית את טביעת הרגל החומרית של SiC בממירי הספק.

“6.5KV SiC MOSFETs של GeneSiC מתוכננים ומייצרים על רקמות בגודל 6 אינץ 'כדי לממש עמידות נמוכה במצב., האיכות הטובה ביותר, ומדד ביצועי מחיר מעולה. טכנולוגיית MOSFETs מהדור הבא מבטיחה ביצועים למופת, חסינות מעולה ואמינות ארוכת טווח ביישומי המרת מתח בינוני.” אמר ד"ר. סידארת 'סונדרסן, סמנכ"ל טכנולוגיה ב- GeneSiC Semiconductor.

תכונות הטכנולוגיה G2R ™ SiC MOSFET של 6.5kV של GeneSiC –

  • מפולת גבוהה (UIS) וחוסן קצר חשמלי
  • ש 'מעולהז x RDS(עַל) דמות הכשרון
  • הפסדי מיתוג עצמאיים
  • קיבולים נמוכים וטעינה נמוכה של שער
  • הפסדים נמוכים בכל הטמפרטורות
  • הפעלה יציבה באופן רגיל עד 175 מעלות צלזיוס
  • +20 ו / -5 כונן שער V

עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip או ליצור קשר sales@genesicsemi.com

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.

GeneSiC התראיין ב-PCIM 2016 בנירנברג, גֶרמָנִיָה

ראיונות עיצוב מערכות חשמל GeneSiC

נירנברג, גרמניה מאי 12, 2016 — נשיא GeneSiC Semiconductor התראיין על ידי Alix Paultre מ-Power Systems Design (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) בתערוכת PCIM בנירנברג, גֶרמָנִיָה.

 

כל-סיליקון קרביד טרנזיסטורים-דיודות המוצעות ב 4 מיני מודול עופרת

שילוב SiC טרנזיסטור-דיודה באריזה משותפת במבנה חזק, מְבוּדָד, 4-עופרת, אריזת מיני-מודולים מפחיתה הפסדי אנרגיה בהפעלה ומאפשרת עיצובי מעגלים גמישים עבור ממירי הספק בתדר גבוה

DULLES, VA, מאי 13, 2015 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה כוח מכריזים היום על זמינות מיידית של 20 mOhm-1200 V SiC צומת טרנזיסטור-דיודות במבודד, 4-אריזת מיני מודול עופרת המאפשרת הפסדי אנרגיות הפעלה נמוכים במיוחד תוך מתן גמישות, עיצובים מודולריים בממירי הספק בתדר גבוה. השימוש בתדר גבוה, טרנזיסטורי ומיישרים SiC בעלי מתח גבוה והתנגדות נמוכה יצמצמו את הגודל/משקל/נפח של יישומי אלקטרוניקה הדורשים טיפול בהספק גבוה יותר בתדרי פעולה גבוהים. התקנים אלה מיועדים לשימוש במגוון רחב של יישומים כולל תנורי אינדוקציה, מחוללי פלזמה, מטענים מהירים, ממירי DC-DC, וספקי כוח מודפסים.

סיליקון קרביד טרנזיסטור Co-pack מיישר SOT-227 איזוטופ

1200 V/20 mOhm מיישר טרנזיסטור צומת סיליקון קרביד ארוז באריזה מבודדת SOT-227 המספקת יכולת נפרדת של מקור שער וכיור

טרנזיסטורי SiC Junction באריזה משותפת (SJT)-מיישרי SiC המוצעים על ידי GeneSiC מתאימים באופן ייחודי ליישומי מיתוג אינדוקטיבי מכיוון ש-SJTs הם היחידים שמציעים מתג רחב-פס >10 יכולת קצר חשמלי חוזרת של microsec, אפילו ב 80% של המתחים הנקובים (לְמָשָׁל. 960 V עבור א 1200 מכשיר V). בנוסף לזמני העלייה/נפילות מתחת ל-10 נס"ק ואזור פעולה בטוח מוטה הפוכה מרובע (RBSOA), מסוף ה-Gate Return בתצורה החדשה משפר משמעותית את היכולת להפחית את אנרגיות המיתוג. מחלקה חדשה זו של מוצרים מציעה הפסדי אנרגיה חולפים וזמני מיתוג שאינם תלויים בטמפרטורת הצומת. טרנזיסטורי SiC Junction מבית GeneSiC הם ללא תחמוצת שער, כבוי בדרך כלל, להפגין מקדם טמפרטורה חיובי של התנגדות, ומסוגלים להיות מונעים במתחי שער נמוכים, בניגוד למתגי SiC אחרים.
מיישרי SiC Schottky המשמשים במיני-מודולים אלה מראים נפילות מתח נמוכות במצב במצב, דירוג זרם נחשול טוב וזרמי הדליפה הנמוכים ביותר בתעשייה בטמפרטורות גבוהות. עם טמפרטורה בלתי תלויה, מאפייני מיתוג התאוששות הפוכה כמעט באפס, מיישרי SiC Schottky הם מועמדים אידיאליים לשימוש במעגלים בעלי יעילות גבוהה.
“מוצרי הטרנזיסטור והמיישר SiC של GeneSiC מתוכננים ומיוצרים כדי לממש הפסדי מצב ומיתוג נמוכים. שילוב של טכנולוגיות אלו בחבילה חדשנית מבטיח ביצועים מופתיים במעגלי חשמל הדורשים התקנים מבוססי פער פס רחב. אריזת המיני מודול מציעה גמישות עיצובית רבה לשימוש במגוון מעגלי חשמל כמו H-Bridge, Flyback וממירים מרובי רמות” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.
המוצר ששוחרר היום כולל
20 mOhm/1200 V SiC Junction Transistor/Remectifier Co-pack (GA50SICP12-227):
• חבילת SOT-227 מבודדת/מיני בלוק/איזוטופ
• חיזוק זרם טרנזיסטור (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (מוגבל על ידי אריזה)
• הדלק / כבה; זמני עלייה/נפילה <10 ננו-שניות אופייניות.

כל המכשירים הם 100% נבדק לפי דירוגי מתח/זרם מלאים. המכשירים זמינים מיד מבית GeneSiC מפיצים מורשים.

למידע נוסף, בבקשה תבקר: https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-modules-copack/

אודות GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים, וספק עולמי של מגוון רחב של מוליכים למחצה כוח. סל המכשירים שלה כולל מיישר מבוסס SiC, טרָנזִיסטוֹר, ומוצרי תיריסטור, כמו גם מודולים של דיודות סיליקון. GeneSiC פיתחה קניין רוחני נרחב וידע טכני המקיף את ההתקדמות העדכנית ביותר בהתקני כוח SiC, עם מוצרים המיועדים לאנרגיה חלופית, רכב, קידוח שמן למטה, שליטה מוטורית, ספק כוח, הוֹבָלָה, ויישומי אל פסק. ב 2011, החברה זכתה בפרס R&פרס D100 על מסחור מתח גבוה במיוחד של SiC תיריסטורים.

טרנזיסטורי ומיישרים SiC בטמפרטורה גבוהה לשימוש כללי מוצעים בעלות נמוכה

טמפרטורה גבוהה (>210הג) טרנזיסטורי צומת ומיישרים באריזות פחיות מתכת קטנות, מציעות יתרונות ביצועים מהפכניים למגוון יישומים, כולל הגברה, מעגלים עם רעש נמוך ובקרות מפעיל למטה

DULLES, VA, מרץ 9, 2015 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה כוח מכריזים היום על זמינות מיידית של קו קומפקטי, טרנזיסטורי SiC Junction בטמפרטורה גבוהה וכן שורה של מיישרים באריזות פחיות מתכת TO-46. רכיבים נפרדים אלה מתוכננים ומיוצרים כך שיפעלו תחת טמפרטורות סביבה גבוהות מ 215הג. השימוש בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורי ומיישרים SiC בעלי מתח גבוה והתנגדות נמוכה יצמצמו את הגודל/משקל/נפח של יישומי אלקטרוניקה הדורשים טיפול בהספק גבוה יותר בטמפרטורות גבוהות. התקנים אלה מיועדים לשימוש במגוון רחב של יישומים כולל מגוון רחב של מעגלים למטה, מכשור גיאותרמי, הפעלת סולנואיד, הגברה לשימוש כללי, וספקי כוח מודפסים.

טרנזיסטורי SiC Junction בטמפרטורה גבוהה (SJT) מוצעת על ידי GeneSiC תערוכת תת-10 nsec זמני עלייה/נפילה מאפשרים >10 מיתוג מגה-הרץ וכן אזור פעולה בטוח מוטה הפוכה מרובעת (RBSOA). הפסדי האנרגיה הזמניים וזמני המיתוג אינם תלויים בטמפרטורת הצומת. מתגים אלה נטולי תחמוצת שער, כבוי בדרך כלל, להפגין מקדם טמפרטורה חיובי של התנגדות, והם מסוגלים להיות מונעים על ידי 0/+5 דרייברים לשער V TTL, בניגוד למתגי SiC אחרים. היתרונות הייחודיים של SJT בניגוד למתגי SiC אחרים הם האמינות הגבוהה יותר לטווח ארוך, >20 יכולת קצר חשמלית של usec, ויכולת מפולת מעולה. התקנים אלה יכולים לשמש כמגברים יעילים מכיוון שהם מבטיחים ליניאריות גבוהה בהרבה מכל מתג SiC אחר.

מיישרי SiC Schottky בטמפרטורה גבוהה המוצעים על ידי GeneSiC מראים נפילות מתח נמוכות במצב במצב, וזרמי הדליפה הנמוכים ביותר בתעשייה בטמפרטורות גבוהות. עם טמפרטורה בלתי תלויה, מאפייני מיתוג התאוששות הפוכה כמעט באפס, מיישרי SiC Schottky הם מועמדים אידיאליים לשימוש ביעילות גבוהה, מעגלים בטמפרטורה גבוהה. אריזות פחיות המתכת TO-46 כמו גם תהליכי האריזה הנלווים המשמשים ליצירת מוצרים אלה מאפשרים שימוש לטווח ארוך כאשר אמינות גבוהה היא קריטית.

“מוצרי הטרנזיסטור והמיישר של GeneSiC מתוכננים ומיוצרים מהשטח כדי לאפשר פעולה בטמפרטורה גבוהה. SJTs קומפקטיים ארוזים TO-46 מציעים רווחי זרם גבוהים (>110), 0/+5 בקרת V TTL, וביצועים חזקים. התקנים אלה מציעים הפסדי הולכה נמוכים וליניאריות גבוהה. אנו מעצבים את קו המיישרים "SHT" שלנו, להציע זרמי דליפה נמוכים בטמפרטורות גבוהות. מוצרי מתכת ארוזים אלה מגדילים את מוצרי ה-TO-257 ומוצרי SMD המתכת שיצאו בשנה שעברה כדי להציע מבנה קטן, פתרונות עמידים בפני רעידות” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.

מוצרים שפורסמו היום כוללים:דיודות טרנזיסטור TO-46 SiC

240 mOhm טרנזיסטורי SiC Junction:

  • 300 מתח חסימת V. מספר חלק GA05JT03-46
  • 100 מתח חסימת V. מספר חלק GA05JT01-46
  • רווח נוכחי (חFE) >110
  • טjmax = 210הג
  • הדלק / כבה; זמני עלייה/נפילה <10 ננו-שניות אופייניות.

עד ל 4 דיודות שוטקי בטמפרטורה גבוהה אמפר:

  • 600 מתח חסימת V. מספר חלק GB02SHT06-46
  • 300 מתח חסימת V. מספר חלק GB02SHT03-46
  • 100 מתח חסימת V. מספר חלק GB02SHT01-46
  • מטען קיבולי כולל 9 nC
  • טjmax = 210הג.

כל המכשירים הם 100% נבדק לפי דירוגי מתח/זרם מלאים ומאוכסן באריזות TO-46 מתכת. המכשירים זמינים מיד מהמפיצים המורשים של GeneSiC.

אודות GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים, וספק עולמי של מגוון רחב של מוליכים למחצה כוח. סל המכשירים שלה כולל מיישר מבוסס SiC, טרָנזִיסטוֹר, ומוצרי תיריסטור, כמו גם מודולים של דיודות סיליקון. GeneSiC פיתחה קניין רוחני נרחב וידע טכני המקיף את ההתקדמות העדכנית ביותר בהתקני כוח SiC, עם מוצרים המיועדים לאנרגיה חלופית, רכב, קידוח שמן למטה, שליטה מוטורית, ספק כוח, הוֹבָלָה, ויישומי אל פסק. ב 2011, החברה זכתה בפרס R&פרס D100 על מסחור מתח גבוה במיוחד של SiC תיריסטורים.

למידע נוסף, בבקשה תבקר https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; ו https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

לוח דרייבר של שער ודגמי SPICE עבור טרנזיסטורי צומת סיליקון קרביד (SJT) מְשׁוּחרָר

לוח דרייבר שער מותאם למהירויות מיתוג גבוהות ומודלים מבוססי התנהגות מאפשר למהנדסי תכנון אלקטרוניים כוח לאמת ולכמת את היתרונות של SJTs בהערכה ברמת הלוח ובסימולציית מעגלים

DULLES, V.A., נובמבר 19, 2014 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה כוח מכריזים היום על הזמינות המיידית של לוח הערכת Gate Driver והרחיב את תמיכת התכנון שלו למתגי האובדן הנמוכים ביותר בתעשייה - טרנזיסטור SiC Junction (SJT) - עם דגם LTSPICE IV מוסמך לחלוטין. שימוש בלוח דרייבר השער החדש, מתכנני מעגלי המרת הספק יכולים לאמת את היתרונות של מתחת ל-15 ננו-שניות, מאפייני מיתוג בלתי תלויים בטמפרטורה של טרנזיסטורי צומת SiC, עם הפסדי כוח נמוכים של הנהג. שילוב דגמי SPICE החדשים, מתכנני מעגלים יכולים להעריך בקלות את היתרונות שה-SJTs של GeneSiC מספקים להשגת רמת יעילות גבוהה יותר מזו האפשרית עם התקני מיתוג כוח סיליקון קונבנציונליים עבור התקנים בעלי דירוג דומה.

GA03IDDJT30-FR4_image

לוח מנהלי התקן GA03IDDJT30-FR4 חל על SJTs מ- GeneSiC

טרנזיסטורי SiC Junction הם בעלי מאפיינים שונים באופן משמעותי מטכנולוגיות SiC Transistor אחרות, כמו גם טרנזיסטורי סיליקון. לוחות דרייבר של שער שיכולים לספק הפסדי הספק נמוכים ועדיין מציעים מהירויות מיתוג גבוהות היו נחוצים כדי לספק פתרונות הנעה לניצול היתרונות של טרנזיסטורי SiC Junction. GeneSiC מבודד לחלוטין GA03IDDJT30-FR4 לוח הדרייבר של השער קולט 0/12V ואות TTL כדי להתנות בצורה מיטבית את צורות הגל של המתח/זרם הנדרשות כדי לספק זמני עלייה/ירידה קטנים, תוך מזעור דרישת הזרם המתמשך לשמירה על הולכת SJT כבויה רגילה במהלך מצב מופעל. תצורת הפינים וגורמי הצורה נשמרים דומים לטרנזיסטורי SiC אחרים. GeneSiC שחררה גם קבצי Gerber ו-BOM למשתמשי הקצה כדי לאפשר להם לשלב את היתרונות של חידושי עיצוב הדרייברים שהתממשו.

SJTs מציעים מאפייני מצב ומעבר מתנהגים היטב, מה שמקל על יצירת מודלי SPICE מבוססי התנהגות המסתיימים בצורה יוצאת דופן עם המודלים הבסיסיים של הפיזיקה.. שימוש במודלים מבוססי פיזיקה מבוססים ומובנים, פרמטרי SPICE שוחררו לאחר בדיקות מקיפות עם התנהגות המכשיר. דגמי SPICE של GeneSiC מושווים לנתונים שנמדדו בניסוי בכל גליונות הנתונים של המכשיר, והם מתאימים לכל 1200 V ו 1700 V SiC Junction Transistors שוחררו.
SJTs של GeneSiC מסוגלים לספק תדרי מיתוג שהם יותר מ 15 גבוה פי כמה מפתרונות מבוססי IGBT. תדרי המיתוג הגבוהים יותר שלהם יכולים לאפשר אלמנטים מגנטיים וקיבוליים קטנים יותר, ובכך מכווץ את הגודל הכללי, משקל ועלות של מערכות אלקטרוניקה כוח.

דגם ה-SiC Junction Transistor SPICE מוסיף לחבילה המקיפה של GeneSiC של כלי תמיכה בעיצוב, תיעוד טכני, ומידע מהימנות כדי לספק למהנדסי אלקטרוניקה כוח את משאבי התכנון הדרושים ליישום המשפחה המקיפה של GeneSiC של טרנזיסטורים ומיישרים צומת SiC בדור הבא של מערכות החשמל.

ניתן להוריד את גליונות הנתונים של Gate Driver Board ודגמי SJT SPICE של GeneSiC https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/