קטגוריה: חֲדָשׁוֹת

שילוב SiC טרנזיסטור-דיודה באריזה משותפת במבנה חזק, מְבוּדָד, 4-עופרת, אריזת מיני-מודולים מפחיתה הפסדי אנרגיה בהפעלה ומאפשרת עיצובי מעגלים גמישים עבור ממירי הספק בתדר גבוה

DULLES, VA, מאי 13, 2015 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה כוח מכריזים היום על זמינות מיידית של 20 mOhm-1200 V SiC צומת טרנזיסטור-דיודות במבודד, 4-אריזת מיני מודול עופרת המאפשרת הפסדי אנרגיות הפעלה נמוכים במיוחד תוך מתן גמישות, עיצובים מודולריים בממירי הספק בתדר גבוה. השימוש בתדר גבוה, טרנזיסטורי ומיישרים SiC בעלי מתח גבוה והתנגדות נמוכה יצמצמו את הגודל/משקל/נפח של יישומי אלקטרוניקה הדורשים טיפול בהספק גבוה יותר בתדרי פעולה גבוהים. התקנים אלה מיועדים לשימוש במגוון רחב של יישומים כולל תנורי אינדוקציה, מחוללי פלזמה, מטענים מהירים, ממירי DC-DC, וספקי כוח מודפסים.

טרנזיסטורי SiC Junction באריזה משותפת (SJT)-מיישרי SiC המוצעים על ידי GeneSiC מתאימים באופן ייחודי ליישומי מיתוג אינדוקטיבי מכיוון ש-SJTs הם היחידים שמציעים מתג רחב-פס >10 יכולת קצר חשמלי חוזרת של microsec, אפילו ב 80% של המתחים הנקובים (לְמָשָׁל. 960 V עבור א 1200 מכשיר V). בנוסף לזמני העלייה/נפילות מתחת ל-10 נס"ק ואזור פעולה בטוח מוטה הפוכה מרובע (RBSOA), מסוף ה-Gate Return בתצורה החדשה משפר משמעותית את היכולת להפחית את אנרגיות המיתוג. מחלקה חדשה זו של מוצרים מציעה הפסדי אנרגיה חולפים וזמני מיתוג שאינם תלויים בטמפרטורת הצומת. טרנזיסטורי SiC Junction מבית GeneSiC הם ללא תחמוצת שער, כבוי בדרך כלל, להפגין מקדם טמפרטורה חיובי של התנגדות, ומסוגלים להיות מונעים במתחי שער נמוכים, בניגוד למתגי SiC אחרים.
מיישרי SiC Schottky המשמשים במיני-מודולים אלה מראים נפילות מתח נמוכות במצב במצב, דירוג זרם נחשול טוב וזרמי הדליפה הנמוכים ביותר בתעשייה בטמפרטורות גבוהות. עם טמפרטורה בלתי תלויה, מאפייני מיתוג התאוששות הפוכה כמעט באפס, מיישרי SiC Schottky הם מועמדים אידיאליים לשימוש במעגלים בעלי יעילות גבוהה.
“מוצרי הטרנזיסטור והמיישר SiC של GeneSiC מתוכננים ומיוצרים כדי לממש הפסדי מצב ומיתוג נמוכים. שילוב של טכנולוגיות אלו בחבילה חדשנית מבטיח ביצועים מופתיים במעגלי חשמל הדורשים התקנים מבוססי פער פס רחב. אריזת המיני מודול מציעה גמישות עיצובית רבה לשימוש במגוון מעגלי חשמל כמו H-Bridge, Flyback וממירים מרובי רמות” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.
המוצר ששוחרר היום כולל
20 mOhm/1200 V SiC Junction Transistor/Remectifier Co-pack (GA50SICP12-227):
• חבילת SOT-227 מבודדת/מיני בלוק/איזוטופ
• חיזוק זרם טרנזיסטור (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (מוגבל על ידי אריזה)
• הדלק / כבה; זמני עלייה/נפילה <10 ננו-שניות אופייניות.

כל המכשירים הם 100% נבדק לפי דירוגי מתח/זרם מלאים. המכשירים זמינים מיד מבית GeneSiC מפיצים מורשים.

למידע נוסף, בבקשה תבקר: https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-modules-copack/

אודות GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים, וספק עולמי של מגוון רחב של מוליכים למחצה כוח. סל המכשירים שלה כולל מיישר מבוסס SiC, טרָנזִיסטוֹר, ומוצרי תיריסטור, כמו גם מודולים של דיודות סיליקון. GeneSiC פיתחה קניין רוחני נרחב וידע טכני המקיף את ההתקדמות העדכנית ביותר בהתקני כוח SiC, עם מוצרים המיועדים לאנרגיה חלופית, רכב, קידוח שמן למטה, שליטה מוטורית, ספק כוח, הוֹבָלָה, ויישומי אל פסק. ב 2011, החברה זכתה בפרס R&פרס D100 על מסחור מתח גבוה במיוחד של SiC תיריסטורים.

טמפרטורה גבוהה (>210^הג) טרנזיסטורי צומת ומיישרים באריזות פחיות מתכת קטנות, מציעות יתרונות ביצועים מהפכניים למגוון יישומים, כולל הגברה, מעגלים עם רעש נמוך ובקרות מפעיל למטה

DULLES, VA, מרץ 9, 2015 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה כוח מכריזים היום על זמינות מיידית של קו קומפקטי, טרנזיסטורי SiC Junction בטמפרטורה גבוהה וכן שורה של מיישרים באריזות פחיות מתכת TO-46. רכיבים נפרדים אלה מתוכננים ומיוצרים כך שיפעלו תחת טמפרטורות סביבה גבוהות מ 215^הג. השימוש בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורי ומיישרים SiC בעלי מתח גבוה והתנגדות נמוכה יצמצמו את הגודל/משקל/נפח של יישומי אלקטרוניקה הדורשים טיפול בהספק גבוה יותר בטמפרטורות גבוהות. התקנים אלה מיועדים לשימוש במגוון רחב של יישומים כולל מגוון רחב של מעגלים למטה, מכשור גיאותרמי, הפעלת סולנואיד, הגברה לשימוש כללי, וספקי כוח מודפסים.

טרנזיסטורי SiC Junction בטמפרטורה גבוהה (SJT) מוצעת על ידי GeneSiC תערוכת תת-10 nsec זמני עלייה/נפילה מאפשרים >10 מיתוג מגה-הרץ וכן אזור פעולה בטוח מוטה הפוכה מרובעת (RBSOA). הפסדי האנרגיה הזמניים וזמני המיתוג אינם תלויים בטמפרטורת הצומת. מתגים אלה נטולי תחמוצת שער, כבוי בדרך כלל, להפגין מקדם טמפרטורה חיובי של התנגדות, והם מסוגלים להיות מונעים על ידי 0/+5 דרייברים לשער V TTL, בניגוד למתגי SiC אחרים. היתרונות הייחודיים של SJT בניגוד למתגי SiC אחרים הם האמינות הגבוהה יותר לטווח ארוך, >20 יכולת קצר חשמלית של usec, ויכולת מפולת מעולה. התקנים אלה יכולים לשמש כמגברים יעילים מכיוון שהם מבטיחים ליניאריות גבוהה בהרבה מכל מתג SiC אחר.

מיישרי SiC Schottky בטמפרטורה גבוהה המוצעים על ידי GeneSiC מראים נפילות מתח נמוכות במצב במצב, וזרמי הדליפה הנמוכים ביותר בתעשייה בטמפרטורות גבוהות. עם טמפרטורה בלתי תלויה, מאפייני מיתוג התאוששות הפוכה כמעט באפס, מיישרי SiC Schottky הם מועמדים אידיאליים לשימוש ביעילות גבוהה, מעגלים בטמפרטורה גבוהה. אריזות פחיות המתכת TO-46 כמו גם תהליכי האריזה הנלווים המשמשים ליצירת מוצרים אלה מאפשרים שימוש לטווח ארוך כאשר אמינות גבוהה היא קריטית.

“מוצרי הטרנזיסטור והמיישר של GeneSiC מתוכננים ומיוצרים מהשטח כדי לאפשר פעולה בטמפרטורה גבוהה. SJTs קומפקטיים ארוזים TO-46 מציעים רווחי זרם גבוהים (>110), 0/+5 בקרת V TTL, וביצועים חזקים. התקנים אלה מציעים הפסדי הולכה נמוכים וליניאריות גבוהה. אנו מעצבים את קו המיישרים "SHT" שלנו, להציע זרמי דליפה נמוכים בטמפרטורות גבוהות. מוצרי מתכת ארוזים אלה מגדילים את מוצרי ה-TO-257 ומוצרי SMD המתכת שיצאו בשנה שעברה כדי להציע מבנה קטן, פתרונות עמידים בפני רעידות” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.

מוצרים שפורסמו היום כוללים:

240 mOhm טרנזיסטורי SiC Junction:

• 300 מתח חסימת V. מספר חלק GA05JT03-46
• 100 מתח חסימת V. מספר חלק GA05JT01-46
• רווח נוכחי (ח_FE) >110
• ט_jmax = 210^הג
• הדלק / כבה; זמני עלייה/נפילה <10 ננו-שניות אופייניות.

עד ל 4 דיודות שוטקי בטמפרטורה גבוהה אמפר:

• 600 מתח חסימת V. מספר חלק GB02SHT06-46
• 300 מתח חסימת V. מספר חלק GB02SHT03-46
• 100 מתח חסימת V. מספר חלק GB02SHT01-46
• מטען קיבולי כולל 9 nC
• ט_jmax = 210^הג.

כל המכשירים הם 100% נבדק לפי דירוגי מתח/זרם מלאים ומאוכסן באריזות TO-46 מתכת. המכשירים זמינים מיד מהמפיצים המורשים של GeneSiC.

אודות GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים, וספק עולמי של מגוון רחב של מוליכים למחצה כוח. סל המכשירים שלה כולל מיישר מבוסס SiC, טרָנזִיסטוֹר, ומוצרי תיריסטור, כמו גם מודולים של דיודות סיליקון. GeneSiC פיתחה קניין רוחני נרחב וידע טכני המקיף את ההתקדמות העדכנית ביותר בהתקני כוח SiC, עם מוצרים המיועדים לאנרגיה חלופית, רכב, קידוח שמן למטה, שליטה מוטורית, ספק כוח, הוֹבָלָה, ויישומי אל פסק. ב 2011, החברה זכתה בפרס R&פרס D100 על מסחור מתח גבוה במיוחד של SiC תיריסטורים.

למידע נוסף, בבקשה תבקר https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; ו https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

לוח דרייבר שער מותאם למהירויות מיתוג גבוהות ומודלים מבוססי התנהגות מאפשר למהנדסי תכנון אלקטרוניים כוח לאמת ולכמת את היתרונות של SJTs בהערכה ברמת הלוח ובסימולציית מעגלים

DULLES, V.A., נובמבר 19, 2014 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה כוח מכריזים היום על הזמינות המיידית של לוח הערכת Gate Driver והרחיב את תמיכת התכנון שלו למתגי האובדן הנמוכים ביותר בתעשייה - טרנזיסטור SiC Junction (SJT) - עם דגם LTSPICE IV מוסמך לחלוטין. שימוש בלוח דרייבר השער החדש, מתכנני מעגלי המרת הספק יכולים לאמת את היתרונות של מתחת ל-15 ננו-שניות, מאפייני מיתוג בלתי תלויים בטמפרטורה של טרנזיסטורי צומת SiC, עם הפסדי כוח נמוכים של הנהג. שילוב דגמי SPICE החדשים, מתכנני מעגלים יכולים להעריך בקלות את היתרונות שה-SJTs של GeneSiC מספקים להשגת רמת יעילות גבוהה יותר מזו האפשרית עם התקני מיתוג כוח סיליקון קונבנציונליים עבור התקנים בעלי דירוג דומה.

טרנזיסטורי SiC Junction הם בעלי מאפיינים שונים באופן משמעותי מטכנולוגיות SiC Transistor אחרות, כמו גם טרנזיסטורי סיליקון. לוחות דרייבר של שער שיכולים לספק הפסדי הספק נמוכים ועדיין מציעים מהירויות מיתוג גבוהות היו נחוצים כדי לספק פתרונות הנעה לניצול היתרונות של טרנזיסטורי SiC Junction. GeneSiC מבודד לחלוטין GA03IDDJT30-FR4 לוח הדרייבר של השער קולט 0/12V ואות TTL כדי להתנות בצורה מיטבית את צורות הגל של המתח/זרם הנדרשות כדי לספק זמני עלייה/ירידה קטנים, תוך מזעור דרישת הזרם המתמשך לשמירה על הולכת SJT כבויה רגילה במהלך מצב מופעל. תצורת הפינים וגורמי הצורה נשמרים דומים לטרנזיסטורי SiC אחרים. GeneSiC שחררה גם קבצי Gerber ו-BOM למשתמשי הקצה כדי לאפשר להם לשלב את היתרונות של חידושי עיצוב הדרייברים שהתממשו.

SJTs מציעים מאפייני מצב ומעבר מתנהגים היטב, מה שמקל על יצירת מודלי SPICE מבוססי התנהגות המסתיימים בצורה יוצאת דופן עם המודלים הבסיסיים של הפיזיקה.. שימוש במודלים מבוססי פיזיקה מבוססים ומובנים, פרמטרי SPICE שוחררו לאחר בדיקות מקיפות עם התנהגות המכשיר. דגמי SPICE של GeneSiC מושווים לנתונים שנמדדו בניסוי בכל גליונות הנתונים של המכשיר, והם מתאימים לכל 1200 V ו 1700 V SiC Junction Transistors שוחררו.
SJTs של GeneSiC מסוגלים לספק תדרי מיתוג שהם יותר מ 15 גבוה פי כמה מפתרונות מבוססי IGBT. תדרי המיתוג הגבוהים יותר שלהם יכולים לאפשר אלמנטים מגנטיים וקיבוליים קטנים יותר, ובכך מכווץ את הגודל הכללי, משקל ועלות של מערכות אלקטרוניקה כוח.

דגם ה-SiC Junction Transistor SPICE מוסיף לחבילה המקיפה של GeneSiC של כלי תמיכה בעיצוב, תיעוד טכני, ומידע מהימנות כדי לספק למהנדסי אלקטרוניקה כוח את משאבי התכנון הדרושים ליישום המשפחה המקיפה של GeneSiC של טרנזיסטורים ומיישרים צומת SiC בדור הבא של מערכות החשמל.

ניתן להוריד את גליונות הנתונים של Gate Driver Board ודגמי SJT SPICE של GeneSiC https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

מתגי SiC המציעים הפסדי הולכה הנמוכים ביותר ויכולת קצר חשמלית מעולה ששוחררו עבור מעגלי חשמל בתדר גבוה

דאלס, וירג'יניה., אוקטובר 28, 2014 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה מתח מכריזים היום על זמינות מיידית של משפחה של 1700V והתנגדות נמוכה. 1200 טרנזיסטורי V SiC Junction בחבילות TO-247. השימוש במתח גבוה, תדר גבוה, טרנזיסטורי SiC Junction עם טמפרטורה גבוהה והתנגדות נמוכה, יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של יישומי אלקטרוניקה הספקים הדורשים מתחי אוטובוס גבוהים יותר.. התקנים אלה מיועדים לשימוש במגוון רחב של יישומים כולל DC microgrids, מטענים מהירים לרכב, שרת, ספקי כוח טלקום ורשתות, ספקי כוח ללא הפרעה, ממירי שמש, מערכות כוח רוח, ומערכות בקרת מנוע תעשייתיות.

טרנזיסטורי SiC Junction (SJT) המוצעת על ידי GeneSiC מציגה יכולת מיתוג מהירה במיוחד (דומה לזה של SiC MOSFETs), אזור הפעלה בטוח מוטה לאחור (RBSOA), כמו גם הפסדי אנרגיה חולפים וזמני מיתוג שאינם תלויים בטמפרטורה. מתגים אלה נטולי תחמוצת שער, כבוי בדרך כלל, להפגין מקדם טמפרטורה חיובי של התנגדות, והם מסוגלים להיות מונעים על ידי נהגי שערים מסחריים, בניגוד למתגי SiC אחרים. היתרונות הייחודיים של SJT בניגוד למתגי SiC אחרים הם האמינות הגבוהה יותר לטווח ארוך, >10 יכולת קצר חשמלית של usec, ויכולת מפולת מעולה

“SJTs משופרים אלה מציעים רווחים נוכחיים גבוהים בהרבה (>100), ביצועים יציבים וחזקים ביותר בהשוואה למתגי SiC אחרים. ה-SJTs של GeneSiC מציעים הפסדי הולכה נמוכים במיוחד בזרמים מדורגים כמו הפסדי כיבוי מעולים במעגלי חשמל. שימוש במכשירים הייחודיים ובחידושי הייצור, מוצרי הטרנזיסטור של GeneSiC עוזרים למעצבים להשיג פתרון חזק יותר,” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.

1700 V SiC Junction Transistor שוחרר

• 25 אממ (GA50JT17-247), 65 אממ (GA16JT17-247), 220 אממ (GA04JT17-247)
• רווח נוכחי (ח_FE) >90
• ט_jmax = 175^הג
• הדלק / כבה; זמני עלייה/נפילה <30 ננו-שניות אופייניות.

1200 V SiC Junction Transistor שוחרר

• 25 אממ (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 אממ (GA05JT12-247)
• רווח נוכחי (ח_FE) >90
• ט_jmax = 175^הג
• הדלק / כבה; זמני עלייה/נפילה <30 ננו-שניות אופייניות.

כל המכשירים הם 100% נבדק לדירוג מתח / זרם מלא ושוכן ללא הלוגן, חבילות TO-247 תואמות RoHS. המכשירים זמינים באופן מיידי מהמפיצים המורשים של GeneSiC.

למידע נוסף, אנא בקר ב-https://192.168.88.14/מסחרי-sic/sic-צומת-טרנזיסטורים/

טרנזיסטור SiC ומיישרים של GeneSiC מציעים יתרונות משמעותיים לקראת השגת המטרות של Little Box Challenge

חדיש. טרנזיסטורי כוח סיליקון קרביד & מיישרים. זמין. עַכשָׁיו!

ל- GeneSiC יש סל רחב של מוצרים הזמינים כעת ברחבי העולם מהמפיצים המובילים

Bare Die Chip צורת התקני SiC זמינים ישירות מהמפעל (אנא מלא את הטופס למטה)

נִבדָל SJTs ו מיישרים בדירוגי טמפרטורה מסחריים (175°C)

נִבדָל HiT SJTs ו מיישרי HiT בטמפרטורה גבוהה (עד 250 מעלות צלזיוס)

GeneSiC מציעה את המגוון הרחב ביותר של מוצרי SiC - במוצרים ארוזים כמו גם בפורמט חשוף כדי לאפשר גמישות עיצוב וחדשנות רבה יותר. GeneSiC מציעה את המגוון הרחב ביותר של מוצרי SiC - במוצרים ארוזים כמו גם בפורמט חשוף כדי לאפשר גמישות עיצוב וחדשנות רבה יותר, מוצרים חדשניים. GeneSiC מציעה את המגוון הרחב ביותר של מוצרי SiC - במוצרים ארוזים כמו גם בפורמט חשוף כדי לאפשר גמישות עיצוב וחדשנות רבה יותר, אתה עשוי לראות את זה בעתיד הקרוב.

ההבטחה לטמפרטורה גבוהה בטרנזיסטורי SiC שתמומש באמצעות חבילות תואמות בתקן תעשייתי תשפר באופן קריטי את המפעילים ואת ספקי הכוח בבור ובתעופה וחלל

דאלס, וירג'יניה., דצמבר 10, 2013 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה כוח מכריזים היום על זמינות מיידית דרך המפיצים שלהם ובאופן ישיר משפחתית ארוזה בטמפרטורה גבוהה 600 טרנזיסטורי צומת V SiC (SJT) בתוך ה 3-50 דירוגים נוכחיים של אמפר בתקן JEDEC דרך חורים והרכבה על פני השטח. שילוב של טמפרטורות גבוהות אלה, התנגדות נמוכה, טרנזיסטורי SiC בתדר גבוה באריזות הרמטיות, הלחמות ואנקפסולציה בטמפרטורה גבוהה יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של יישומי המרת הספק בטמפרטורה גבוהה.

ספק כוח עכשווי בטמפרטורה גבוהה, מעגלי בקרת מנוע ומפעילים המשמשים ביישומי נפט/גז/בור בור וחלל סובלים מחוסר זמינות של פתרון סיליקון קרביד בר-קיימא בטמפרטורה גבוהה. טרנזיסטורי סיליקון סובלים מיעילות מעגל נמוכה ומגדלים גדולים מכיוון שהם סובלים מזרמי דליפה גבוהים וממאפייני מיתוג נמוכים. שני הפרמטרים הללו מחמירים בטמפרטורות גבוהות יותר של צומת. עם סביבות מגבלות תרמיות, טמפרטורות הצומת עולות די בקלות גם כאשר עוברים זרמים צנועים. טרנזיסטורי SiC ארוזים הרמטית מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה ביכולת של יישומי בור ותעופה וחלל. של GeneSiC 650 טרנזיסטורי V/3-50 A SiC Junction כוללים כמעט אפס זמני מיתוג שאינם משתנה עם הטמפרטורה. ה 210^ההתקנים מדורגים בטמפרטורה של צומת C מציעים שולי טמפרטורה גדולים יחסית עבור יישומים הפועלים בסביבות קיצוניות.

טרנזיסטורי צומת המוצעים על ידי GeneSiC מציגים יכולת מיתוג מהירה במיוחד, אזור הפעלה בטוח מוטה לאחור (RBSOA), כמו גם הפסדי אנרגיה חולפים וזמני מיתוג שאינם תלויים בטמפרטורה. מתגים אלה נטולי תחמוצת שער, כבוי בדרך כלל, להפגין מקדם טמפרטורה חיובי של התנגדות, ומסוגלים להיות מונעים על ידי פרסומות, בדרך כלל זמין 15 נהגי שער IGBT, בניגוד למתגי SiC אחרים. תוך מתן תאימות עם נהגי SiC JFET, ניתן להקביל בקלות טרנזיסטורי SiC Junction בגלל מאפייני המעבר התואמים שלהם.

“בעוד מתכנני יישומי בור וחלל ממשיכים לדחוף את גבולות תדירות ההפעלה, תוך עדיין דרישה ליעילות גבוהה במעגל, הם צריכים מתגי SiC שיכולים להציע סטנדרט של ביצועים, אמינות ואחידות ייצור. שימוש במכשירים הייחודיים ובחידושי הייצור, מוצרי SJT של GeneSiC עוזרים למעצבים להשיג את כל זה בפתרון חזק יותר. מוצרים אלה משלימים את מיישר SiC הארוז הרמטי שיצא בשנה שעברה על ידי GeneSiC, ומוצרי המות החשופות שיצאו מוקדם יותר השנה, תוך סלילה לנו את הדרך להציע טמפרטורה גבוהה, השראות נמוכה, מודולי כוח בעתיד הקרוב ” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.

מבודד TO-257 עם 600 ב-SJTs:

• 65 mOhms/20 אמפר (2N7639-GA); 170 mOhms/8 אמפר (2N7637-GA); ו 425 mOhms/4 אמפר (2N7635-GA)
• ט_jmax = 210^הג
• הדלק / כבה; זמני עלייה/נפילה <50 ננו-שניות אופייניות.
• המקביל Bare Die GA20JT06-CAL (ב-2N7639-GA); GA10JT06-CAL (ב-2N7637-GA); ו-GA05JT06-CAL (ב-2N7635-GA)

חבילת אב טיפוס לא מבודדת TO-258 עם 600 SJTs

• 25 mOhms/50 אמפר (חבילת אב טיפוס GA50JT06-258)
• ט_jmax = 210^הג
• הדלק / כבה; זמני עלייה/נפילה <50 ננו-שניות אופייניות.
• המקביל Bare Die GA50JT06-CAL (ב-GA50JT06-258)

מתלה עילי TO-276 (SMD0.5) עם 600 SJTs

• 65 mOhms/20 אמפר (2N7640-GA); 170 mOhms/8 אמפר (2N7638-GA); ו 425 mOhms/4 אמפר (2N7636-GA)
• ט_jmax = 210^הג
• הדלק / כבה; זמני עלייה/נפילה <50 ננו-שניות אופייניות.

כל המכשירים הם 100% נבדק לדירוג מתח/זרם מלא ומאוחסן באריזות הרמטיות. נבדק לדירוג מתח/זרם מלא ומאוחסן באריזות הרמטיות. המכשירים זמינים באופן מיידי מ- GeneSiC ישירות ו/או דרך המפיצים המורשים שלה.

אודות GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים, וספק עולמי של מגוון רחב של מוליכים למחצה כוח. סל המכשירים שלה כולל מיישר מבוסס SiC, טרָנזִיסטוֹר, ומוצרי תיריסטור, כמו גם מוצרי מיישר סיליקון. GeneSiC פיתחה קניין רוחני נרחב וידע טכני המקיף את ההתקדמות העדכנית ביותר בהתקני כוח SiC, עם מוצרים המיועדים לאנרגיה חלופית, רכב, קידוח שמן למטה, שליטה מוטורית, ספק כוח, הוֹבָלָה, ויישומי אל פסק. GeneSiC השיגה חוזי מחקר ופיתוח רבים מסוכנויות ממשלתיות בארה"ב, כולל ARPA-E, משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, DTRA, והמשרד לביטחון פנים, כמו גם קבלנים ראשיים ממשלתיים גדולים. ב 2011, החברה זכתה בפרס R&פרס D100 על מסחור מתח גבוה במיוחד של SiC תיריסטורים.

למידע נוסף, בבקשה תבקר https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

GeneSiC מציעה את המגוון הרחב ביותר של מוצרי SiC - במוצרים ארוזים כמו גם בפורמט חשוף כדי לאפשר גמישות עיצוב וחדשנות רבה יותר, GeneSiC מציעה את המגוון הרחב ביותר של מוצרי SiC - במוצרים ארוזים כמו גם בפורמט חשוף כדי לאפשר גמישות עיצוב וחדשנות רבה יותר

דאלס, וירג'יניה., נובמבר 19, 2013 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) GeneSiC מציעה את המגוון הרחב ביותר של מוצרי SiC - במוצרים ארוזים כמו גם בפורמט חשוף כדי לאפשר גמישות עיצוב וחדשנות רבה יותר (GeneSiC מציעה את המגוון הרחב ביותר של מוצרי SiC - במוצרים ארוזים כמו גם בפורמט חשוף כדי לאפשר גמישות עיצוב וחדשנות רבה יותר) GeneSiC מציעה את המגוון הרחב ביותר של מוצרי SiC - במוצרים ארוזים כמו גם בפורמט חשוף כדי לאפשר גמישות עיצוב וחדשנות רבה יותר 650 GeneSiC מציעה את המגוון הרחב ביותר של מוצרי SiC - במוצרים ארוזים כמו גם בפורמט חשוף כדי לאפשר גמישות עיצוב וחדשנות רבה יותר 3300 GeneSiC מציעה את המגוון הרחב ביותר של מוצרי SiC - במוצרים ארוזים כמו גם בפורמט חשוף כדי לאפשר גמישות עיצוב וחדשנות רבה יותר. GeneSiC מציעה את המגוון הרחב ביותר של מוצרי SiC - במוצרים ארוזים כמו גם בפורמט חשוף כדי לאפשר גמישות עיצוב וחדשנות רבה יותר, GeneSiC מציעה את המגוון הרחב ביותר של מוצרי SiC - במוצרים ארוזים כמו גם בפורמט חשוף כדי לאפשר גמישות עיצוב וחדשנות רבה יותר, דיודות SiC עם תדר גבוה וטמפרטורות גבוהות יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של מכלולי ריבוי קילו וולט.. דיודות SiC עם תדר גבוה וטמפרטורות גבוהות יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של מכלולי ריבוי קילו וולט., דיודות SiC עם תדר גבוה וטמפרטורות גבוהות יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של מכלולי ריבוי קילו וולט..

דיודות SiC עם תדר גבוה וטמפרטורות גבוהות יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של מכלולי ריבוי קילו וולט.. דיודות SiC עם תדר גבוה וטמפרטורות גבוהות יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של מכלולי ריבוי קילו וולט., דיודות SiC עם תדר גבוה וטמפרטורות גבוהות יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של מכלולי ריבוי קילו וולט.. דיודות SiC עם תדר גבוה וטמפרטורות גבוהות יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של מכלולי ריבוי קילו וולט., טמפרטורות הצומת עולות די בקלות גם כאשר עוברים זרמים צנועים. מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה בממירי המיקרו-סולאריים ובמכלולי המתח הגבוה. של GeneSiC 650 מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה בממירי המיקרו-סולאריים ובמכלולי המתח הגבוה; 1200 מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה בממירי המיקרו-סולאריים ובמכלולי המתח הגבוה 3300 מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה בממירי המיקרו-סולאריים ובמכלולי המתח הגבוה. ה 3300 מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה בממירי המיקרו-סולאריים ובמכלולי המתח הגבוה, מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה בממירי המיקרו-סולאריים ובמכלולי המתח הגבוה. מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה בממירי המיקרו-סולאריים ובמכלולי המתח הגבוה. מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה בממירי המיקרו-סולאריים ובמכלולי המתח הגבוה (מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה בממירי המיקרו-סולאריים ובמכלולי המתח הגבוה) מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה בממירי המיקרו-סולאריים ובמכלולי המתח הגבוה.

"הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות. "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות, "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות. "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות, "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.

1200 "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות (GB02SLT12-214) "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות

• "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות 1.5 ו
• ט_jmax = 175^הג
• "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות 14 nC.

3300 "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות (GAP3SLT33-214) "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות

• "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות 1.7 ו
• ט_jmax = 175^הג
• "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות 52 nC.

650 "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות (GB01SLT06-214) "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות

• "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות 1.5 ו
• ט_jmax = 175^הג
• "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות 7 nC.

כל המכשירים הם 100% נבדק לדירוג מתח / זרם מלא ושוכן ללא הלוגן, "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות (מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה בממירי המיקרו-סולאריים ובמכלולי המתח הגבוה) "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות. נבדק לדירוג מתח/זרם מלא ומאוחסן באריזות הרמטיות. המכשירים זמינים באופן מיידי מהמפיצים המורשים של GeneSiC.

אודות GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים, וספק עולמי של מגוון רחב של מוליכים למחצה כוח. סל המכשירים שלה כולל מיישר מבוסס SiC, טרָנזִיסטוֹר, ומוצרי תיריסטור, כמו גם מוצרי מיישר סיליקון. GeneSiC פיתחה קניין רוחני נרחב וידע טכני המקיף את ההתקדמות העדכנית ביותר בהתקני כוח SiC, עם מוצרים המיועדים לאנרגיה חלופית, רכב, קידוח שמן למטה, שליטה מוטורית, ספק כוח, הוֹבָלָה, ויישומי אל פסק. GeneSiC השיגה חוזי מחקר ופיתוח רבים מסוכנויות ממשלתיות בארה"ב, כולל ARPA-E, משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, DTRA, והמשרד לביטחון פנים, כמו גם קבלנים ראשיים ממשלתיים גדולים. ב 2011, החברה זכתה בפרס R&פרס D100 על מסחור מתח גבוה במיוחד של SiC תיריסטורים.

למידע נוסף, אנא בקר ב-https://192.168.88.14/"הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות

מכלולי מתח גבוה כדי להפיק תועלת ממיישרים בעלי קיבול נמוך אלה המציעים זרמי התאוששות אפס בלתי תלויים בטמפרטורה בחבילות מבודדות

מכלולי מתח גבוה כדי להפיק תועלת ממיישרים בעלי קיבול נמוך אלה המציעים זרמי התאוששות אפס בלתי תלויים בטמפרטורה בחבילות מבודדות, וירג'יניה., מאי 28, 2013 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מכלולי מתח גבוה כדי להפיק תועלת ממיישרים בעלי קיבול נמוך אלה המציעים זרמי התאוששות אפס בלתי תלויים בטמפרטורה בחבילות מבודדות 3300 מכלולי מתח גבוה כדי להפיק תועלת ממיישרים בעלי קיבול נמוך אלה המציעים זרמי התאוששות אפס בלתי תלויים בטמפרטורה בחבילות מבודדות – מכלולי מתח גבוה כדי להפיק תועלת ממיישרים בעלי קיבול נמוך אלה המציעים זרמי התאוששות אפס בלתי תלויים בטמפרטורה בחבילות מבודדות. מכלולי מתח גבוה כדי להפיק תועלת ממיישרים בעלי קיבול נמוך אלה המציעים זרמי התאוששות אפס בלתי תלויים בטמפרטורה בחבילות מבודדות, מכלולי מתח גבוה כדי להפיק תועלת ממיישרים בעלי קיבול נמוך אלה המציעים זרמי התאוששות אפס בלתי תלויים בטמפרטורה בחבילות מבודדות, דיודות SiC עם תדר גבוה וטמפרטורות גבוהות יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של מכלולי ריבוי קילו וולט..

מכלולי מתח גבוה כדי להפיק תועלת ממיישרים בעלי קיבול נמוך אלה המציעים זרמי התאוששות אפס בלתי תלויים בטמפרטורה בחבילות מבודדות. דיודות SiC עם תדר גבוה וטמפרטורות גבוהות יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של מכלולי ריבוי קילו וולט., דיודות SiC עם תדר גבוה וטמפרטורות גבוהות יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של מכלולי ריבוי קילו וולט.. דיודות SiC עם תדר גבוה וטמפרטורות גבוהות יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של מכלולי ריבוי קילו וולט., טמפרטורות הצומת עולות די בקלות גם כאשר עוברים זרמים צנועים. מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה. של GeneSiC 3300 מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה בממירי המיקרו-סולאריים ובמכלולי המתח הגבוה. מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה, מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה בממירי המיקרו-סולאריים ובמכלולי המתח הגבוה. מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה בממירי המיקרו-סולאריים ובמכלולי המתח הגבוה. מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה.

מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה. מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה 3300 מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה, "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות. "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות, מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.

3300 מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה

• מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה 1.7 מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה 0.3 א
• מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה
• ט_jmax = 175^הג
• מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה 52 nC (מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה).

כל המכשירים הם 100% נבדק לדירוג מתח / זרם מלא ושוכן ללא הלוגן, TO-220FP תואם RoHS (TO-220FP תואם RoHS) "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות. TO-220FP תואם RoHS, TO-220FP תואם RoHS.

אודות GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים, וספק עולמי של מגוון רחב של מוליכים למחצה כוח. סל המכשירים שלה כולל מיישר מבוסס SiC, טרָנזִיסטוֹר, ומוצרי תיריסטור, כמו גם מוצרי מיישר סיליקון. GeneSiC פיתחה קניין רוחני נרחב וידע טכני המקיף את ההתקדמות העדכנית ביותר בהתקני כוח SiC, עם מוצרים המיועדים לאנרגיה חלופית, רכב, קידוח שמן למטה, שליטה מוטורית, ספק כוח, הוֹבָלָה, ויישומי אל פסק. GeneSiC השיגה חוזי מחקר ופיתוח רבים מסוכנויות ממשלתיות בארה"ב, כולל ARPA-E, משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, DTRA, והמשרד לביטחון פנים, כמו גם קבלנים ראשיים ממשלתיים גדולים. ב 2011, החברה זכתה בפרס R&פרס D100 על מסחור מתח גבוה במיוחד של SiC תיריסטורים.

למידע נוסף, TO-220FP תואם RoHS

TO-220FP תואם RoHS

דאלס, וירג'יניה., נובמבר 7, 2013 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מכלולי מתח גבוה כדי להפיק תועלת ממיישרים בעלי קיבול נמוך אלה המציעים זרמי התאוששות אפס בלתי תלויים בטמפרטורה בחבילות מבודדות 8000 TO-220FP תואם RoHS; 8000 TO-220FP תואם RoHS, 3300 TO-220FP תואם RoHS 6500 TO-220FP תואם RoHS. TO-220FP תואם RoHS, TO-220FP תואם RoHS, TO-220FP תואם RoHS.

מעגלי מתח אולטרה-גבוה עכשוויים סובלים מיעילות מעגלים נמוכה ומגדלים גדולים מכיוון שזרמי ההתאוששות ההפוכה ממיישרי סיליקון פורקים את הקבלים המחוברים במקביל. דיודות SiC עם תדר גבוה וטמפרטורות גבוהות יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של מכלולי ריבוי קילו וולט., מעגלי מתח אולטרה-גבוה עכשוויים סובלים מיעילות מעגלים נמוכה ומגדלים גדולים מכיוון שזרמי ההתאוששות ההפוכה ממיישרי סיליקון פורקים את הקבלים המחוברים במקביל. דיודות SiC עם תדר גבוה וטמפרטורות גבוהות יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של מכלולי ריבוי קילו וולט., טמפרטורות הצומת עולות די בקלות גם כאשר עוברים זרמים צנועים. מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה. של GeneSiC 8000 V ו 3300 מעגלי מתח אולטרה-גבוה עכשוויים סובלים מיעילות מעגלים נמוכה ומגדלים גדולים מכיוון שזרמי ההתאוששות ההפוכה ממיישרי סיליקון פורקים את הקבלים המחוברים במקביל. מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה, מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה בממירי המיקרו-סולאריים ובמכלולי המתח הגבוה. מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה בממירי המיקרו-סולאריים ובמכלולי המתח הגבוה. 8000 מעגלי מתח אולטרה-גבוה עכשוויים סובלים מיעילות מעגלים נמוכה ומגדלים גדולים מכיוון שזרמי ההתאוששות ההפוכה ממיישרי סיליקון פורקים את הקבלים המחוברים במקביל. 6500 מעגלי מתח אולטרה-גבוה עכשוויים סובלים מיעילות מעגלים נמוכה ומגדלים גדולים מכיוון שזרמי ההתאוששות ההפוכה ממיישרי סיליקון פורקים את הקבלים המחוברים במקביל&מעגלי מתח אולטרה-גבוה עכשוויים סובלים מיעילות מעגלים נמוכה ומגדלים גדולים מכיוון שזרמי ההתאוששות ההפוכה ממיישרי סיליקון פורקים את הקבלים המחוברים במקביל.

מעגלי מתח אולטרה-גבוה עכשוויים סובלים מיעילות מעגלים נמוכה ומגדלים גדולים מכיוון שזרמי ההתאוששות ההפוכה ממיישרי סיליקון פורקים את הקבלים המחוברים במקביל. מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה 8000 מעגלי מתח אולטרה-גבוה עכשוויים סובלים מיעילות מעגלים נמוכה ומגדלים גדולים מכיוון שזרמי ההתאוששות ההפוכה ממיישרי סיליקון פורקים את הקבלים המחוברים במקביל, "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות. "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות, מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.

8000 מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן

• ט_jmax = 210^הג
• מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן < 50 מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן 175^הג
• מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן 558 nC (מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה).

8000 מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן

• מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן 25 מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן (מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה, מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן -1 ו, 25^הג).
• מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה
• ט_jmax = 175^הג

6500 מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן

• שלוש הצעות - 80 מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן (מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן); 60 מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן (מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן); ו 40 מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן (מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן)
• ט_jmax = 200^הג

3300 מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן

• מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה 1.7 מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה 0.3 א
• מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה
• ט_jmax = 175^הג
• מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה 52 nC (מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה).

אודות GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים, וספק עולמי של מגוון רחב של מוליכים למחצה כוח. סל המכשירים שלה כולל מיישר מבוסס SiC, טרָנזִיסטוֹר, ומוצרי תיריסטור, כמו גם מוצרי מיישר סיליקון. GeneSiC פיתחה קניין רוחני נרחב וידע טכני המקיף את ההתקדמות העדכנית ביותר בהתקני כוח SiC, עם מוצרים המיועדים לאנרגיה חלופית, רכב, קידוח שמן למטה, שליטה מוטורית, ספק כוח, הוֹבָלָה, ויישומי אל פסק. GeneSiC השיגה חוזי מחקר ופיתוח רבים מסוכנויות ממשלתיות בארה"ב, כולל ARPA-E, משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, DTRA, והמשרד לביטחון פנים, כמו גם קבלנים ראשיים ממשלתיים גדולים. ב 2011, החברה זכתה בפרס R&פרס D100 על מסחור מתח גבוה במיוחד של SiC תיריסטורים.

למידע נוסף, בבקשה תבקר https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie