פורסם ב

מיישר SiC Schottky מיישר / מודולי Si IGBT מבית GeneSiC מאפשר הפעלה של 175 מעלות צלזיוס

DULLES, VA, מרץ 5, 2013 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן 1200 מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן. נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier, נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier. נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier, ממירי שמש, נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier.

נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier (נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier) נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier, נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier, נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier, בדרך כלל זמין 15 נהגי שער IGBT. נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier, נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה. נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה, 12נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה, נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה, נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה (נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה), נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה.

“נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה 2 נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה. נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה 1200 נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה, נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה. נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה. "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות, נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.

1200 נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה

  • מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה 1.9 מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה 100 א
  • מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה
  • Tjmax = 175 מעלות צלזיוס
  • נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה 23 נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה (מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה).

כל המכשירים הם 100% נבדק לדירוג מתח / זרם מלא ושוכן ללא הלוגן, חבילות SOT-227 תואמות RoHS. המכשירים זמינים באופן מיידי מהמפיצים המורשים של GeneSiC.

אודות GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים, וספק עולמי של מגוון רחב של מוליכים למחצה כוח. סל המכשירים שלה כולל מיישר מבוסס SiC, טרָנזִיסטוֹר, ומוצרי תיריסטור, כמו גם מוצרי מיישר סיליקון. GeneSiC פיתחה קניין רוחני נרחב וידע טכני המקיף את ההתקדמות העדכנית ביותר בהתקני כוח SiC, עם מוצרים המיועדים לאנרגיה חלופית, רכב, קידוח שמן למטה, שליטה מוטורית, ספק כוח, הוֹבָלָה, ויישומי אל פסק. GeneSiC השיגה חוזי מחקר ופיתוח רבים מסוכנויות ממשלתיות בארה"ב, כולל ARPA-E, משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, DTRA, והמשרד לביטחון פנים, כמו גם קבלנים ראשיים ממשלתיים גדולים. ב 2011, החברה זכתה בפרס R&פרס D100 על מסחור מתח גבוה במיוחד של SiC תיריסטורים.

פורסם ב

GeneSiC מציגה טרנזיסטורים לצומת סיליקון קרביד

DULLES, VA, פברואר 25, 2013 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה חשמל מודיעים היום על זמינות מיידית של משפחה של 1700 וולט ו 1200 טרנזיסטורי צומת V SiC. שילוב מתח גבוה, טרנזיסטורי צומת SiC בעלי תדירות גבוהה וטמפרטורה גבוהה יגדילו את יעילות ההמרה ויקטינו את הגודל / משקל / נפח אלקטרוניקה.. מכשירים אלה מיועדים לשימוש במגוון רחב של יישומים כולל שרתים, ספקי כוח טלקום ורשתות, ספקי כוח ללא הפרעה, ממירי שמש, מערכות בקרת מנוע תעשייתיות, ויישומים במורד החור.

טרנזיסטורי צומת המוצעים על ידי GeneSiC מציגים יכולת מיתוג מהירה במיוחד, אזור הפעלה בטוח מוטה לאחור (RBSOA), כמו גם הפסדי אנרגיה חולפים וזמני מיתוג שאינם תלויים בטמפרטורה. מתגים אלה נטולי תחמוצת שער, כבוי בדרך כלל, להפגין מקדם טמפרטורה חיובי של התנגדות, ומסוגלים להיות מונעים על ידי פרסומות, בדרך כלל זמין 15 נהגי שער IGBT, בניגוד למתגי SiC אחרים. תוך מתן תאימות עם נהגי SiC JFET, ניתן להקביל בקלות טרנזיסטורי צומת בגלל המאפיינים הארעיים התואמים שלהם.

“כמתכנני מערכות חשמל ממשיכים לדחוף את גבולות תדירות ההפעלה, תוך עדיין דרישה ליעילות גבוהה במעגל, הצורך במתגי SiC שיכולים להציע סטנדרט של ביצועים ואחידות ייצור. שימוש במכשירים הייחודיים ובחידושי הייצור, מוצרי הטרנזיסטור של GeneSiC עוזרים למעצבים להשיג את כל זה בפתרון חזק יותר,” אמר ד"ר. רנביר סינג , נשיא GeneSiC Semiconductor.

1700 נקודות השיא הטכניות של טרנזיסטור צומת V

  • שלוש הצעות - 110 אממ (GA16JT17-247); 250 אממ (GA08JT17-247); ו 500 אממ (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175 מעלות צלזיוס
  • הפעל / כבה את זמני העלייה / הסתיו <50 ננו-שניות אופייניות.

1200 נקודות השיא הטכניות של טרנזיסטור צומת V

  • שתי הצעות - 220 אממ (GA06JT12-247); ו 460 אממ (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175 מעלות צלזיוס
  • הפעל / כבה את זמני העלייה / הסתיו <50 ננו-שניות אופייניות

כל המכשירים הם 100% נבדק לדירוג מתח / זרם מלא ושוכן ללא הלוגן, חבילות TO-247 תואמות RoHS. המכשירים זמינים באופן מיידי מהמפיצים המורשים של GeneSiC.

פורסם ב

פיזיקה חדשה מאפשרת לתריסטור להגיע לרמה גבוהה יותר

DULLES, VA, אוגוסט 30, 2011 - פיזיקה חדשה מאפשרת לתריסטורים להגיע לרמה גבוהה יותר

רשת חשמל מספקת חשמל אמין בעזרת מכשירים אלקטרוניים המבטיחים חלקה, זרימת כוח אמינה. עד עכשיו, סומכים על מכלולים מבוססי סיליקון, אך הם לא הצליחו להתמודד עם דרישות הרשת החכמה. חומרים בעלי פער רחב כגון סיליקון קרביד (SiC) מציעים אלטרנטיבה טובה יותר מכיוון שהם מסוגלים למהירויות מיתוג גבוהות יותר, מתח פירוק גבוה יותר, הפסדי מיתוג נמוכים יותר, וטמפרטורת צומת גבוהה יותר מאשר מתגים מבוססי סיליקון מסורתיים. המכשיר הראשון מבוסס SiC שהגיע לשוק הוא תריסטור סיליקון קרביד במתח גבוה במיוחד (SiC Thyristor), פותחה על ידי GeneSiC Semiconductor Inc., דאלס, Va., בתמיכת המעבדות הלאומיות של סנדיה, אלבוקרקי, נ.מ., ארצות הברית. מחלקת משלוח אנרגיה/חשמל, וארה"ב. מחקר צבא/חימוש, מרכז פיתוח והנדסה, ארסנל פיקטיני, N.J.

המפתחים אימצו פיזיקה תפעולית שונה עבור מכשיר זה, הפועלת על הובלת נושאי מיעוטים ומיישר מסוף שלישי משולב, שהוא אחד יותר ממכשירי SiC מסחריים אחרים. מפתחים אימצו טכניקת ייצור חדשה התומכת בדירוגים למעלה 6,500 ו, כמו גם עיצוב חדש של אנודות שער למכשירים בעלי זרם גבוה. מסוגל לבצע בטמפרטורות עד 300 C וזרם ב- 80 א, סירי Thyristor מציע עד 10 מתח גבוה פי כמה, מתח חסימה גבוה פי ארבעה, ו 100 תדר מיתוג מהיר פי כמה מאשר תריסטורים מבוססי סיליקון.

פורסם ב

GeneSiC זוכה ב- R היוקרתית&פרס D100 למכשירי SiC ביישומי אנרגיית סולארית ורוח המחוברים לרשת

DULLES, VA, יולי 14, 2011 — ר&מגזין D בחר ב- GeneSiC Semiconductor Inc.. של דאלס, VA כמקבל היוקרתי 2011 ר&ד 100 פרס על מסחור של מכשירי סיליקון קרביד עם דירוג מתח גבוה.

GeneSiC Semiconductor Inc., חדשנית מרכזית במכשירי החשמל המבוססים על סיליקון קרביד זכתה לכבוד בשבוע שעבר בהודעה כי זכתה בפרס היוקרתי 2011 ר&ד 100 פרס. פרס זה מכיר ב- GeneSiC על הצגת אחד המשמעותיים ביותר, התקדמות מחקר ופיתוח חדשה בקרב דיסציפלינות מרובות במהלך 2010. ר&מגזין D זיהה את Thyristor SiC Thyristor של GeneSiC במיוחד בזכות יכולתו להשיג מתח וחסימות חסימות שמעולם לא נוצלו לקראת הפגנות אלקטרוניקה כוחית.. דירוגי המתח של >6.5kV, דירוג הנוכחי במדינה של 80 A ותדרי הפעלה של >5 kHz גבוהים בהרבה מאלה שהוצגו בעבר בשוק. יכולות אלה שהושגו על ידי Thyristors של GeneSiC מאפשרות באופן ביקורתי לחוקרי אלקטרוניקה כוח לפתח ממירים קשורים לרשת., גָמִישׁ

מערכות הילוכים AC (עובדות) ומערכות מתח גבוה DC (HVDC). זה יאפשר המצאות חדשות ופיתוח מוצרים בתחום האנרגיה המתחדשת, ממירי שמש, ממירי כוח רוח, ותעשיות אחסון אנרגיה. ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor אמר: "צפוי כי שווקים בהיקפים נרחבים בתחנות חשמל במצב מוצק ובמחוללי טורבינות רוח ייפתחו לאחר שחוקרים בזירת הספק החשמל יבינו במלואם את היתרונות של Thyristors SiC.. הדור הראשון של ה- SiC תיריסטורים מנצלים את ירידת המתח במצב הנמוך ביותר והתנגדות ההפרש ההפרשית שהושגו אי פעם ב- SiC תיריסטורים.. אנו מתכוונים לשחרר את הדורות הבאים של Thyristors SiC המותאמים ליכולת כיבוי בשליטה על שער ויכולת הספק מואצת >10דירוגי kV. ככל שאנו ממשיכים לפתח פתרונות אריזה במתח גבוה במיוחד, 6.5kV הנוכחי תיריסטורים ארוזים במודולים עם מגעים מולחמים לחלוטין, מוגבל לטמפרטורות צומת 150oC. " מאז הושק מוצר זה באוקטובר 2010, GeneSiC הזמינה הזמנות מלקוחות מרובים לקראת הדגמת חומרה מתקדמת של מוצרי אלקטרוניקה באמצעות תיריסטורים סיליקון קרביד אלה.. GeneSiC ממשיכה לפתח את משפחת מוצרי הסיליקון קרביד Thyristor. ה- R.&D בגרסה מוקדמת ליישומי המרת חשמל פותחו באמצעות תמיכה במימון SBIR ממחלקת ארה"ב. של אנרגיה. מתקדם יותר, Pulser Power מותאם SiC Thyristors מפותחים תחת חוזה SBIR אחר עם ARDEC, צבא ארה"ב. שימוש בהתפתחויות טכניות אלה, השקעה פנימית של GeneSiC והזמנות מסחריות של מספר לקוחות, GeneSiC הצליחה להציע Thyristors UHV אלה כמוצרים מסחריים.

תחרות הטכנולוגיה השנתית ה -49 שמפעילה R&מגזין D העריך רשומות של חברות ושחקנים בתעשייה השונים, ארגוני מחקר ואוניברסיטאות ברחבי העולם. עורכי המגזין ופאנל מומחים חיצוניים שימשו כשופטים, הערכת כל ערך מבחינת חשיבותו לעולם המדע והמחקר.

על פי ר&מגזין D, לזכות ב- R.&ד 100 הפרס מספק סימן מצוינות המוכר לתעשייה, מֶמְשָׁלָה, והאקדמיה כהוכחה לכך שהמוצר הוא אחד הרעיונות החדשניים ביותר של השנה. פרס זה מכיר ב- GeneSiC כמובילה עולמית ביצירת מוצרים מבוססי טכנולוגיה שעושים את ההבדל באופן בו אנו עובדים וחיים..

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט. GeneSiC Semiconductor Inc.. מפתחת סיליקון קרביד (SiC) התקני מוליכים למחצה מבוססי טמפרטורה גבוהה, קְרִינָה, ויישומי רשת חשמל. זה כולל פיתוח של מיישרים, FETs, התקנים דו קוטביים כמו גם חלקיקים & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש גישה לחבילה נרחבת של עיצוב מוליכים למחצה, זִיוּף, מתקני אפיון ובדיקה של מכשירים כאלה. GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה. החברה מייחדת את עצמה במתן מוצרים באיכות גבוהה המותאמים במיוחד לדרישות של כל לקוח. ל- GeneSiC יש חוזי ראש/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב כולל ARPA-E, משרד האנרגיה האמריקאי, חיל הים, DARPA, המחלקה לביטחון פנים, מחלקת המסחר ומחלקות אחרות במחלקת ארה"ב. של ההגנה. GeneSiC ממשיכה לשפר במהירות את תשתיות הציוד והכוח אדם ב-Dulles שלה, מתקן וירג'יניה. החברה מגייסת באגרסיביות כוח אדם מנוסה בייצור התקני מוליכים למחצה מורכבים, בדיקות מוליכים למחצה ועיצובי גלאים. מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקורwww.genesicsemi.com.

פורסם ב

GeneSiC Semiconductor נבחר להציג טכנולוגיה ב 2011 פסגת חדשנות אנרגיה ARPA-E

DULLES, VA, פברואר 28, 2011 - GeneSiC Semiconductor מתרגשת להכריז על בחירתה לתצוגת הטכנולוגיה היוקרתית בפסגת החדשנות באנרגיה ARPA-E, בשיתוף הסוכנות לפרויקטי מחקר מתקדמים של משרד האנרגיה - אנרגיה (ARPA-E) וארגון טכנולוגיה נקייה ותעשיות בנות קיימא (CTSI). מאות טכנולוגים מובילים וארגוני טכנולוגיה נקייה מהשורה הראשונה התחרו על להשתתף ב-Showcase, מסדרון של הסיכויים המבטיחים ביותר של אמריקה לזכייה בעתיד באנרגיה.

כאחד הארגונים הנבחרים של ARPA-E, GeneSiC Semiconductor תציג את הסיליקון קרביד שלה כמעט 2,000 מנהיגים לאומיים מתאספים כדי להניע את התחרותיות האמריקאית לטווח ארוך במגזר האנרגיה, כולל חוקרים מובילים, משקיעים, יזמים, מנהלי תאגידים ופקידי ממשל. יותר מ 200 טכנולוגיות פורצות דרך של זוכי פרסי ARPA-E, תאגידים, המעבדות הלאומיות ומחלקת האנרגיה R&תוכניות D יוצגו באירוע.

"הפסגה הזו מפגישה ארגונים שמבינים את הצורך לשתף פעולה ולשתף פעולה כדי להביא את הדור הבא של טכנולוגיות אנרגיה לשוק," אמר GeneSiC Semiconductor, נָשִׂיא, ד"ר. רנביר סינג. "זו הזדמנות נדירה ומרגשת שיש כל כך הרבה שחקני מפתח בקהילת האנרגיה ביחד תחת קורת גג אחת ואנו מצפים לחלוק את מכשירי הכוח הסיליקון קרביד שלנו עם חדשנים ומשקיעים אחרים בתערוכת הטכנולוגיה."

צוותי מחקר ופיתוח עסקי מ 14 שותפי האצה תאגידיים המחויבים למסחור טכנולוגיה יהיו נוכחים גם הם, כולל דאו, בוש, Applied Materials ולוקהיד מרטין.

הפסגה כוללת גם רמקולים בעלי פרופיל גבוה כולל ארה"ב. שר האנרגיה סטיבן צ'ו, מנהל ARPA-E ארון מג'ומדר, לָנוּ. שר חיל הים ריימונד מאבוס, מושל קליפורניה לשעבר ארנולד שוורצנגר ויו"ר בנק אוף אמריקה צ'ארלס הולידיי.

הפסגה השנתית השנייה לחדשנות אנרגיה ARPA-E תתקיים בפברואר 28 – מרץ 2, 2011 במרכז הכנסים גיילורד ממש מחוץ לוושינגטון, זֶרֶם יָשָׁר. למידע נוסף או להרשמה אנא בקר: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

על GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor Inc.. מפתחת התקני מוליכים למחצה רחבי פס לטמפרטורה גבוהה, קְרִינָה, ויישומי רשת חשמל. זה כולל פיתוח של מיישרים, מתגי הפעלה והתקנים דו-קוטביים. GeneSiC משתמשת בחבילה ייחודית ונרחבת של עיצוב מוליכים למחצה, זִיוּף, מתקני אפיון ובדיקה של מכשירים כאלה. GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה. החברה מייחדת את עצמה במתן מוצרים באיכות גבוהה למגוון רחב של שווקים בנפח גבוה. ל- GeneSiC יש חוזי ראש/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב כולל ARPA-E, משרד האנרגיה האמריקאי, חיל הים, צָבָא, נאס"א, DARPA, המחלקה לביטחון פנים, מחלקת המסחר ומחלקות אחרות במחלקת ארה"ב. של ההגנה.

על ARPA-E

הסוכנות לפרויקטי מחקר מתקדמים - אנרגיה (ARPA-E) היא סוכנות חדשה בארה"ב. משרד האנרגיה - והראשון שהתמקד אך ורק בטכנולוגיות אנרגיה פורצות דרך שיכולות לשנות באופן קיצוני את הדרך בה אנו משתמשים באנרגיה. במקום לבצע מחקר ישירות, ARPA-E משקיעה בסיכון גבוה, טכנולוגיות אנרגיה בעלות תגמול גבוה המפותחות על ידי אוניברסיטאות, סטארט-אפים, עסקים קטנים, ותאגידים. הצוות שלנו משלב מדענים מובילים בתעשייה, מהנדסים, ומנהלי השקעות כדי לזהות פתרונות מבטיחים לבעיות האנרגיה הקריטיות ביותר של המדינה ולקדם טכנולוגיות מובילות לכיוון השוק - דבר שהוא קריטי להבטחת ההובלה הטכנולוגית הגלובלית של המדינה וליצירת תעשיות ועבודות אמריקאיות חדשות.. לְבַקֵר www.arpa-e.energy.govלמידע נוסף.

לגבי CTSI

הטכנולוגיה הנקייה & ארגון תעשיות בנות קיימא (CTSI), איגוד תעשייתי 501c6 ללא מטרות רווח, מייצג את הארגונים המתפתחים, מסחור, ויישום אנרגיה, מים, וטכנולוגיות סביבתיות. טכנולוגיות נקיות מציעות פתרונות נחוצים לדאגות הולכות וגדלות של אבטחת משאבים וקיימות והן קריטיות לשמירה על תחרותיות כלכלית. CTSI מפגישה מנהיגים עולמיים להסברה, פיתוח קהילתי, רשת, ושיתוף מידע כדי לעזור להביא את הטכנולוגיות הנחוצות הללו לשוק מהר יותר. לְבַקֵר www.ct-si.org למידע נוסף.

פורסם ב

GeneSiC זוכה בפרויקט ניהול חשמל של נאס"א לתמיכה במשימות חקר ונוס עתידיות

DULLES, VA, דֵצֶמבֶּר 14, 2010 - GeneSiC Semiconductor Inc., חדשן מרכזי של הרומן סיליקון קרביד (SiC) מכשירים לטמפרטורה גבוהה, עוצמה גבוהה, ויישומי מתח גבוה במיוחד, מכריזה על בחירת הפרויקט שלה שכותרתו "התקני Transistor-Diode משולבים SiC Super Junction עבור מודולי בקרת מנוע בעלי הספק גבוה הפועלים ב- 500 oC" על ידי מינהל האווירונאוטיקה והחלל הלאומי של ארה"ב (נאס"א) עבור פרס Phase I SBIR. פרויקט SBIR זה מתמקד בפיתוח של טרנזיסטור מונוליטי משולב SiC JBS דיודה-Super Junction (MIDSJT) התקנים לפעולה תחת סביבה דמוית נוגה (500 טמפרטורות פני השטח מעלות צלזיוס). התקני SiC MIDSJT שפותחו בתוכנית זו ישמשו לבניית מודולי כוח בקרת מנוע לאינטגרציה ישירה עם רובי חקירה ונוס.

“אנו שמחים על האמון שהביעה נאס"א בפתרונות מכשירי SiC בטמפרטורה גבוהה שלנו. פרויקט זה יאפשר ל-GeneSiC לפתח טכנולוגיות ניהול חשמל מבוססות SiC מובילות בתעשייה באמצעות פתרונות המכשירים והאריזה החדשניים שלה” אמר ד"ר. סידארת 'סונדרסן, מנהל הטכנולוגיה של GeneSiC. “מכשירי SiC MIDSJT הממוקדים בתוכנית זו יאפשרו לטפל בהספק ברמת קילוואט בדיוק דיגיטלי בטמפרטורות גבוהות כמו 500 מעלות צלזיוס. בנוסף ליישומי החלל החיצון, לטכנולוגיה חדשנית זו יש פוטנציאל לחולל מהפכה בחומרה קריטית לקידוח נפט בתעופה וחלל וגיאותרמית הדורשת טמפרטורות סביבה העולה על 200 מעלות צלזיוס. אזורי יישומים אלה מוגבלים כיום על ידי ביצועי הטמפרטורה הגבוהים הירודים של טכנולוגיות התקן עכשוויות של סיליקון ואפילו SiC כגון JFETs ו-MOSFETs” הוא הוסיף.

GeneSiC ממשיכה לשפר במהירות את תשתיות הציוד והכוח אדם ב-Dulles שלה, מתקן וירג'יניה. החברה מגייסת באגרסיביות כוח אדם מנוסה בייצור התקני מוליכים למחצה מורכבים, בדיקות מוליכים למחצה ועיצובי גלאים. מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקור www.genesicsemi.com.

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. מפתחת סיליקון קרביד (SiC) התקני מוליכים למחצה מבוססי טמפרטורה גבוהה, קְרִינָה, ויישומי רשת חשמל. זה כולל פיתוח של מיישרים, FETs, התקנים דו קוטביים כמו גם חלקיקים & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש גישה לחבילה נרחבת של עיצוב מוליכים למחצה, זִיוּף, מתקני אפיון ובדיקה של מכשירים כאלה. GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה. החברה מייחדת את עצמה במתן מוצרים באיכות גבוהה המותאמים במיוחד לדרישות של כל לקוח. ל- GeneSiC יש חוזי ראש/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב כולל ARPA-E, משרד האנרגיה האמריקאי, חיל הים, DARPA, המחלקה לביטחון פנים, מחלקת המסחר ומחלקות אחרות במחלקת ארה"ב. של ההגנה.

פורסם ב

רב קילו-הרץ, תיריסטורי מתח גבוה במיוחד סיליקון קרביד שנדגמו לחוקרים אמריקאים

DULLES, VA, נוֹבֶמבֶּר 1, 2010 –בהצעה ראשונה מסוגה, GeneSiC Semiconductor מודיעה על זמינותה של משפחה של 6.5kV מצב SCR במצב סיליקון קרביד לשימוש במכשירים אלקטרוניים חשמליים ליישומי רשת חכמה. יתרונות ביצועים מהפכניים של מכשירי כוח אלה צפויים לעודד חידושים מרכזיים בחומרה אלקטרונית כוח בקנה מידה שימושי כדי להגביר את הנגישות והניצול של משאבי אנרגיה מבוזרים. (ה). "עד עכשיו, רב סיליקון קרביד (SiC) התקני כוח לא היו זמינים בגלוי לחוקרים אמריקאים כדי לנצל באופן מלא את היתרונות הידועים - כלומר תדרי הפעלה של 2-10 קילו-הרץ בדירוגים של 5-15 קילו וולט - של מכשירי חשמל מבוססי SiC. " העיר ד"ר דר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC. "GeneSiC השלימה לאחרונה אספקה ​​של 6.5kV / 40A רבים, 6.5kV / 60A ו- 6.5kV / 80A תיריסטורים ללקוחות מרובים העוסקים במחקר באנרגיה מתחדשת, יישומי מערכת כוח צבא וצי. מכשירי SiC עם דירוגים אלה מוצעים כעת באופן נרחב יותר. "

תיריסטורים מבוססי סיליקון קרביד מציעים מתח גבוה פי 10, 100X תדרי מיתוג מהירים יותר והפעלה בטמפרטורה גבוהה יותר בהשוואה לתיריסטורים קונבנציונליים מבוססי סיליקון. הזדמנויות מחקר יישומיות ממוקדות למכשירים אלה כוללות המרת מתח בינוני למטרות כלליות (MVDC), ממירי שמש קשורים לרשת, ממירי כוח רוח, כוח פועם, מערכות נשק, בקרת הצתה, ולהפעיל שליטה. זה כבר מבוסס היטב כי מתח גבוה במיוחד (>10kV) סיליקון קרביד (SiC) טכנולוגיית המכשירים תשחק תפקיד מהפכני ברשת השירות של הדור הבא. מכשירי SiC מבוססי תיריסטור מציעים את הביצועים הגבוהים ביותר במצב >5 התקני kV, וישימות נרחבות כלפי מעגלי המרת מתח מתח בינוני כמו מגבלות זרם תקלה, ממירי AC-DC, מפצי VAR סטטיים ומפצי סדרה. תיריסטורים מבוססי SiC מציעים גם את הסיכוי הטוב ביותר לאימוץ מוקדם בגלל הדמיון שלהם לאלמנטים קונבנציונליים ברשת החשמל. פריסת טכנולוגיות מוליכות למחצה מתקדמות אלה עשויה לספק עד כה 25-30 הפחתת אחוז בצריכת החשמל באמצעות יעילות מוגברת בהספקת חשמל.

ד"ר. סינג ממשיך "הצפי הוא כי שווקים רחבי היקף בתחנות חשמל במצב מוצק ובמחוללי טורבינות רוח ייפתחו לאחר שחוקרים בזירת המרת הכוח יבינו עד תום את היתרונות של SiC Thyristors. הדור הראשון של ה- SiC תיריסטורים מנצלים את ירידת המתח במצב הנמוך ביותר והתנגדות ההפרש ההפרשית שהושגו אי פעם ב- SiC תיריסטורים.. בכוונתנו לשחרר את הדורות הבאים של SiC Thyristors המותאמים ליכולת כיבוי מבוקרת שער >10דירוגי kV. ככל שאנו ממשיכים לפתח פתרונות אריזה במתח גבוה במיוחד, 6.5kV הנוכחי תיריסטורים ארוזים במודולים עם מגעים מולחמים לחלוטין, מוגבל לטמפרטורות צומת של 150 מעלות צלזיוס. " GeneSiC הוא חדשני המתפתח במהירות בתחום מכשירי הכוח של SiC ומחויב מאוד לפיתוח סיליקון קרביד. (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט.

ממוקם ליד וושינגטון, DC בדולס, וירג'יניה, GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, פחמן סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים. מיזמי הפיתוח הנוכחיים כוללים מיישרים בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורי SuperJunction (SJT) ומגוון רחב של מכשירים מבוססי תיריסטור. ל- GeneSiC יש או היו חוזי פריים / משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב, כולל משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, והמשרד לביטחון פנים. החברה חווה כיום צמיחה משמעותית, ושכירת עובדים מוסמכים בתכנון מכשירי חשמל וגלאים, זִיוּף, ובדיקה. לגלות עוד, בבקשה תבקר www.genesicsemi.com.

פורסם ב

GeneSiC זוכה ב -2.53 מיליון דולר מ- ARPA-E לקראת פיתוח מכשירים מבוססי סיליקון קרביד תיריסטור

DULLES, VA, סֶפּטֶמבֶּר 28, 2010 - סוכנות פרויקטים למחקר מתקדם - אנרגיה (ARPA-E) התקשרה בהסכם שיתופי פעולה עם הצוות המוביל על ידי מוליכים למחצה GeneSiC לקראת פיתוח קרביד הסיליקון החדש בעל מתח גבוה. (SiC) מכשירים מבוססי תיריסטור. מכשירים אלה צפויים להיות מאפשרים עיקריים לשילוב תחנות כוח רוח ושמש בקנה מידה גדול בדור הבא של רשת החכמה..

"הפרס התחרותי ביותר הזה ל- GeneSiC יאפשר לנו להרחיב את עמדת המנהיגות הטכנית שלנו בטכנולוגיית סיליקון קרביד מרובה kV., כמו גם המחויבות שלנו לפתרונות אנרגיה חלופיים בקנה מידה רשת עם פתרונות מצב מוצק,"הגיב ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC. "תיריסטורי SiC מרובי kV שאנו מפתחים הם הטכנולוגיה המאפשרת מפתח למימוש מערכות העברת AC גמישות (עובדות) אלמנטים ו DC מתח גבוה (HVDC) אדריכלות המתוכננת לקראת אינטגרציה, יָעִיל, רשת חכמה של העתיד. התיריסטורים מבוססי SiC של GeneSiC מציעים מתח גבוה פי 10, 100X תדרי מיתוג מהירים יותר והפעלה בטמפרטורה גבוהה יותר בפתרונות עיבוד כוח FACTS ו- HVDC בהשוואה לתיריסטורים קונבנציונליים מבוססי סיליקון. "

באפריל 2010, GeneSiC הגיבה למסירה זריזה של טכנולוגיית חשמל (מְיוּמָן) שידול מ- ARPA-E שביקש להשקיע בחומרים להתקדמות בסיסית במתגי מתח גבוה שיש בו פוטנציאל לזנק מביצועי ממיר ההספק הקיים תוך הצעת עלויות. הצעת החברה שכותרתה "תיריסטור מחליף אנודה ממוצרי סיליקון לקרביד להמרת מתח בינוני" נבחרה לספק קל משקל, מצב מוצק, המרת אנרגיה במתח בינוני ליישומי הספק גבוה כגון תחנות חשמל מוצקות וגנרטורי טורבינות רוח. פריסת טכנולוגיות מוליכות למחצה מתקדמות אלה עשויה לספק עד כה 25-30 הפחתת אחוז בצריכת החשמל באמצעות יעילות מוגברת בהספקת חשמל. החידושים שנבחרו היו לתמוך ולקדם את ארה"ב. עסקים באמצעות מנהיגות טכנולוגית, באמצעות תהליך תחרותי ביותר.

קרביד סיליקון הוא חומר מוליך למחצה מהדור הבא בעל תכונות עדיפות להפליא מסיליקון קונבנציונאלי, כגון היכולת להתמודד עם פי עשרה מהמתח - וכפי מאה מהזרם - בטמפרטורות הגבוהות עד 300 מעלות צלזיוס. מאפיינים אלה הופכים אותו למתאים באופן אידיאלי ליישומים בעלי הספק גבוה כמו רכבים היברידיים וחשמליים, אנרגיה מתחדשת (רוח ושמש) התקנות, ומערכות בקרת רשת חשמל.

זה כבר מבוסס היטב כי מתח גבוה במיוחד (>10kV) סיליקון קרביד (SiC) טכנולוגיית המכשירים תשחק תפקיד מהפכני ברשת השירות של הדור הבא. מכשירי SiC מבוססי תיריסטור מציעים את הביצועים הגבוהים ביותר במצב >5 התקני kV, וישימות נרחבות כלפי מעגלי המרת מתח מתח בינוני כמו מגבלות זרם תקלה, ממירי AC-DC, פנסי VAR סטטי ומפצי סדרה. תיריסטורים מבוססי SiC מציעים גם את הסיכוי הטוב ביותר לאימוץ מוקדם בגלל הדמיון שלהם לאלמנטים קונבנציונליים ברשת החשמל. יישומים ויתרונות מבטיחים אחרים למכשירים אלה כוללים:

  • מערכות ניהול צריכת חשמל ומיזוג הסבה להמרת מתח מתח בינוני מבוקשת תחת יכולת ימי עתידית (FNC) של הצי האמריקני, מערכות שיגור אלקטרומגנטיות, מערכות נשק בעלות אנרגיה גבוהה והדמיה רפואית. יכולת תדר ההפעלה הגבוהה ב-10-100X מאפשרת שיפורים חסרי תקדים בגודלם, מִשׁקָל, נפח ובסופו של דבר, עלות מערכות כאלה.
  • מגוון אחסון אנרגיה, יישומי פיזיקה בטמפרטורה גבוהה ואנרגיה גבוהה. יישומי אחסון אנרגיה ורשתות חשמל זוכים לתשומת לב גוברת ככל שהעולם מתמקד בפתרונות יעילים וחסכוניים יותר לניהול אנרגיה.

GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט.

“יצאנו כמובילים בטכנולוגיית SiC במתח גבוה במיוחד על ידי מינוף יכולת הליבה שלנו בעיצוב מכשירים ותהליכים עם מערך ייצור נרחב., אִפיוּן, ומתקני בדיקה,"מסכם ד"ר. סינג. "עמדת GeneSiC אומתה כעת על ידי ה- DOE האמריקנית ביעילות עם פרס המשך משמעותי זה."

על GeneSiC Semiconductor

ממוקם אסטרטגי ליד וושינגטון, DC בדולס, וירג'יניה, GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, פחמן סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים. מיזמי הפיתוח הנוכחיים כוללים מיישרים בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורי SuperJunction (SJT) ומגוון רחב של מכשירים מבוססי תיריסטור. ל- GeneSiC יש או היו חוזי פריים / משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב, כולל משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, והמשרד לביטחון פנים. החברה חווה כיום צמיחה משמעותית, ושכירת עובדים מוסמכים בתכנון מכשירי חשמל וגלאים, זִיוּף, ובדיקה. לגלות עוד, בבקשה תבקרwww.genesicsemi.com.

פורסם ב

רשתות דחף של אנרגיה מתחדשת GeneSiC מוליכים למחצה 1.5 מיליון דולר ממשרד האנרגיה האמריקני

DULLES, VA, נוֹבֶמבֶּר 12, 2008 – משרד האנרגיה האמריקני העניק ל- GeneSiC Semiconductor שני מענקים נפרדים בהיקף כולל של 1.5 מיליון דולר לפיתוח קרביד סיליקון במתח גבוה. (SiC) מכשירים שישמשו כמאפשרים מפתח לרוח- ושילוב אנרגיה סולארית עם רשת החשמל במדינה.

"פרסים אלה מדגימים את האמון של ה- DOE ביכולות של GeneSiC, כמו גם מחויבותה לפתרונות אנרגיה חלופיים,"מציין ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC. "משולב, רשת חשמל יעילה היא קריטית לעתיד האנרגיה של המדינה - ומכשירי ה- SiC שאנו מפתחים הם קריטיים להתגברות על חוסר היעילות של טכנולוגיות הסיליקון המקובלות. "

הפרס הראשון הוא מענק SBIR בשלב II בסך 750,000 דולר לפיתוח מהיר, התקני SiC דו קוטביים במתח גבוה במיוחד. השני הוא מענק שלב II STTR של 750,000 דולר לפיתוח מתגי SiC בעלי הספק גבוה.

קרביד סיליקון הוא חומר מוליך למחצה מהדור הבא עם יכולת להתמודד עם מתח פי 10 וזרם של סיליקון פי 100., מה שהופך אותו לאידיאלי לאפליקציות בעלות הספק גבוה כמו אנרגיה מתחדשת (רוח ושמש) מתקנים ומערכות בקרת רשת חשמל.

במיוחד, שני הפרסים מיועדים:

  • פיתוח בתדירות גבוהה, כיבוי שער SiC רב קילוולט (GTO) מכשירי חשמל. יישומים ממשלתיים ומסחריים כוללים מערכות ניהול חשמל ומיזוג ספינות, תעשיית השירות, והדמיה רפואית.
  • תכנון וייצור של מתח גבוה מגודר אופטי, התקני מיתוג SiC בעלי עוצמה גבוהה. שימוש בסיבים אופטיים להחלפת כוח הוא פיתרון אידיאלי לסביבות המוטרדות מהפרעות אלקטרו-מגנטיות (EMI), ויישומים הדורשים מתח גבוה במיוחד.

מכשירי ה- SiC GeneSiC מפתחים משרתים מגוון אחסון אנרגיה, רשת חשמל, ויישומים צבאיים, אשר זוכים לתשומת לב הולכת וגוברת ככל שהעולם מתמקד בפתרונות יעילים וחסכוניים יותר לניהול אנרגיה.

מבוסס מחוץ לוושינגטון, DC בדולס, וירג'יניה, GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, פחמן סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים. מיזמי הפיתוח הנוכחיים כוללים מיישרים בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורים עם אפקט שדה (FETs) ומכשירים דו קוטביים, כמו גם חלקיק & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש חוזים ראשוניים / תת סוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב, כולל משרד האנרגיה, חיל הים, DARPA, והמשרד לביטחון פנים. החברה חווה כיום צמיחה משמעותית, ושכירת עובדים מוסמכים בתכנון מכשירי חשמל וגלאים, זִיוּף, ובדיקה. לגלות עוד, בבקשה תבקר www.genesicsemi.com.