סיליקון קרביד (SiC) devices provide superior thermal properties as compared to their counter-part Silicon devices. In applications where the operating temperature exceeds the limitations of Silicon devices, GeneSiC’s portfolio of bare chips and high temperature devices are an ideal solution for continous duty operation in high voltage motor control.
SiC Schottky MPS ™
| מספר חלק | מתח (ו) | זרם קדמי (א) | חֲבִילָה |
|---|---|---|---|
| GC50MPS06-CAL | 650 | 50 | צ'יפ חשוף |
| GC15MPS12-CAL | 1200 | 15 | צ'יפ חשוף |
| GC20MPS12-CAL | 1200 | 20 | צ'יפ חשוף |
| GC50MPS12-CAL | 1200 | 50 | צ'יפ חשוף |
| GC25MPS17-CAL | 1700 | 25 | צ'יפ חשוף |
| GAP3SHT33-CAU | 3300 | 0.3 | צ'יפ חשוף |
SiC MOSFET
| מספר חלק | מתח (ו) | בהתנגדות (mΩ) | חֲבִילָה |
|---|---|---|---|
| G3R20MT12-CAL | 1200 | 20 | צ'יפ חשוף |
| G3R30MT12-CAL | 1200 | 30 | צ'יפ חשוף |
| G3R40MT12-CAL | 1200 | 40 | צ'יפ חשוף |
| G3R75MT12-CAL | 1200 | 75 | צ'יפ חשוף |
| G3R20MT17-CAL | 1700 | 20 | צ'יפ חשוף |
| G3R45MT17-CAL | 1700 | 45 | צ'יפ חשוף |
| G3R50MT33-CAL | 3300 | 50 | צ'יפ חשוף |
| G3R100MT33-CAL | 3300 | 100 | צ'יפ חשוף |
