פורסם ב 2019-06-102020-05-11 על ידי עורך 0DMOSFET 10 קילוואט שטח גדול 4H-SiC Power DMOSFET עם התנהגות תת-סף יציבה ללא תלות בטמפרטורה אוגוסט, 2008DMOSFET 10 קילוואט שטח גדול 4H-SiC Power DMOSFET עם התנהגות תת-סף יציבה ללא תלות בטמפרטורה