Technologie de l'électronique de puissance
Février, 2012 – SiC: A Rugged Power Semiconductor Compound To Be Reckoned With
Technologie de l'électronique de puissance (nov 21)
Novembre, 2011 – SiC “Super” Junction Transistors Offer Breakthrough High Temp Performance
Bodo’s Power Systems (nov 36)
Octobre, 2011 – Breakthrough High Temperature Electrical Performance of SiC “Super” Junction Transistors
Technologie de l'électronique de puissance (nov 36)
juillet, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diode Copack réduit les pertes de commutation
Bodo’s Power Systems (nov 46)
Peut, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diode Copack for Power Electronic Applications