Étiquette: TO-263-7

DULLES, Virginie, Février 12, 2020 — MOSFET SiC 1200 V G3R ™ de nouvelle génération de GeneSiC Semiconductor avec RDS(SUR) niveaux allant de 20 mΩ à 350 mΩ offrent des niveaux de performances sans précédent, robustesse et qualité qui surpassent ses homologues. Les avantages du système incluent une efficacité accrue, fréquence de commutation plus rapide, augmentation de la densité de puissance, sonnerie réduite (EMI) et taille de système compacte.

GeneSiC annonce la disponibilité de ses MOSFET en carbure de silicium de 3e génération, leaders de l'industrie, dotés de performances de pointe, robustesse et qualité pour exploiter des niveaux d'efficacité et de fiabilité du système jamais vus auparavant dans les applications automobiles et industrielles.

Ces MOSFET G3R ™ SiC, offert dans des boîtiers discrets optimisés à faible inductance (SMD et trou traversant), sont hautement optimisés pour les conceptions de systèmes d'alimentation nécessitant des niveaux d'efficacité élevés et des vitesses de commutation ultra-rapides. Ces appareils ont des niveaux de performances nettement meilleurs par rapport aux produits concurrents. Une qualité assurée, soutenu par une fabrication rapide à grand volume améliore encore leur proposition de valeur.

«Après des années de développement, nous travaillons pour atteindre la plus faible résistance à l'état passant et des performances de court-circuit améliorées, nous sommes ravis de lancer les MOSFET SiC 1200 V les plus performants du secteur avec plus de 15+ produits discrets et à puces nues. Si les systèmes électroniques de puissance de nouvelle génération doivent répondre au défi d'efficacité, densité de puissance et objectifs de qualité dans des applications comme l'automobile, industriel, énergie renouvelable, transport, IT et télécom, ils nécessitent alors des performances et une fiabilité de l'appareil considérablement améliorées par rapport aux MOSFET SiC actuellement disponibles” dit le docteur. Ranbir Singh, Président chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques –

• Supérieur Q_g x R_DS(SUR) symbole de mérite – Les MOSFET G3R ™ SiC présentent la plus faible résistance à l'état passant de l'industrie avec une charge de grille très faible, résultant en 20% meilleure figure de mérite que tout autre appareil concurrent similaire
• Faibles pertes de conduction à toutes les températures – Les MOSFET de GeneSiC présentent la plus faible dépendance à la température de la résistance à l'état passant pour offrir de très faibles pertes de conduction à toutes les températures; nettement mieux que tout autre MOSFET SiC tranchée et planaire du marché
• 100 % testé en avalanche – Une capacité UIL robuste est une exigence critique pour la majorité des applications sur le terrain. Les MOSFET SiC 1200 V de GeneSiC discrets sont 100 % avalanche (UIL) testé en production
• Faible charge de grille et faible résistance de grille interne – Ces paramètres sont essentiels pour réaliser une commutation ultra-rapide et atteindre les plus hauts rendements (faible Eon -Eoff) sur une large gamme de fréquences de commutation d'application
• Fonctionnement stable normalement à l'arrêt jusqu'à 175 ° C – Tous les MOSFET SiC de GeneSiC sont conçus et fabriqués avec des processus de pointe pour fournir des produits stables et fiables dans toutes les conditions de fonctionnement sans aucun risque de dysfonctionnement. La qualité supérieure de l'oxyde de grille de ces appareils empêche tout seuil (V_E) dérive
• Capacités faibles de l'appareil – Les G3R ™ sont conçus pour conduire plus rapidement et plus efficacement grâce à leurs faibles capacités de l'appareil - Ciss, Coss et Crss
• Diode de corps rapide et fiable avec une faible charge intrinsèque – Les MOSFET de GeneSiC présentent une faible charge de récupération inverse de référence (Q_RR) à toutes températures; 30% mieux que tout appareil concurrent de même qualité. Cela offre une réduction supplémentaire des pertes de puissance et augmente les fréquences de fonctionnement
• Facilité d'utilisation – Les MOSFET G3R ™ SiC sont conçus pour être entraînés à + 15V / -5Entraînement de porte en V. Cela offre la plus large compatibilité avec les pilotes de porte IGBT et SiC MOSFET commerciaux existants

Applications –

• Véhicule électrique – Groupe motopropulseur et recharge
• Onduleur solaire et stockage d'énergie
• Entraînement de moteur industriel
• Alimentation sans interruption (UPS)
• Alimentation à découpage (SMPS)
• Convertisseurs DC-DC bidirectionnels
• Smart Grid et HVDC
• Chauffage et soudage par induction
• Application de puissance pulsée

Tous les appareils sont disponibles à l'achat auprès de distributeurs agréés – www.genesicsemi.com/sales-support

Electronique Digi-Key

Élément Newark Farnell14

Électronique Mouser

Arrow Electronics

Pour la fiche technique et d'autres ressources, visite – www.genesicsemi.com/sic-mosfet ou contactez sales@genesicsemi.com

Tous les MOSFET SiC de GeneSiC Semiconductor sont destinés aux applications automobiles (AEC-q101) et compatible PPAP. Tous les appareils sont proposés en D2PAK standard, Forfaits TO-247 et SOT-227.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.