Posté sur

GeneSiC lance le MPS SiC Schottky 1700 V le plus performant du secteur™ diodes

DULLES, Virginie, janvier 7, 2019 — GeneSiC lance un portefeuille complet de diodes SiC Schottky MPS ™ 1700 V de troisième génération dans le boîtier TO-247-2

GeneSiC a introduit GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 et GB50MPS17-247; les diodes SiC 1700 V les plus performantes de l’industrie disponibles dans le populaire boîtier traversant TO-247-2. Ces diodes SiC 1700V remplacent les diodes de récupération ultra-rapides à base de silicium et d'autres JBS SiC 1700V de l'ancienne génération, permettant aux ingénieurs de construire des circuits de commutation avec une plus grande efficacité et une densité de puissance plus élevée. Les applications devraient inclure les chargeurs rapides de véhicules électriques, entraînements moteurs, alimentations électriques de transport et énergies renouvelables.

GB50MPS17-247 est une diode fusionnée PiN-schottky 1700V 50A SiC, la diode de puissance SiC discrète à courant nominal le plus élevé de l'industrie. Ces nouvelles diodes présentent une faible chute de tension directe, zéro récupération avant, zéro récupération inverse, faible capacité de jonction et sont conçus pour une température de fonctionnement maximale de 175 ° C. La technologie de diode SiC Schottky de troisième génération de GeneSiC offre une résistance aux avalanches et un courant de surtension de pointe (Ifsm) robustesse, combiné à une fonderie de 6 pouces qualifiée pour l'automobile de haute qualité et à une technologie d'assemblage discrète avancée de haute fiabilité.

Ces diodes SiC sont des remplacements directs compatibles avec les broches à d'autres diodes disponibles dans le boîtier TO-247-2. Bénéficier de leurs faibles pertes de puissance (fonctionnement plus frais) et capacité de commutation haute fréquence, les concepteurs peuvent désormais obtenir une plus grande efficacité de conversion et une plus grande densité de puissance dans les conceptions.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière. GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense. GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitantwww.genesicsemi.com.

Posté sur

Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau

DULLES, Virginie, Novembre 1, 2010 –Dans une offre unique en son genre, GeneSiC Semiconductor annonce la disponibilité d'une famille de thyristors en carbure de silicium en mode SCR de 6,5 kV destinés à être utilisés dans l'électronique de puissance pour les applications Smart Grid. Les avantages de performance révolutionnaires de ces dispositifs d'alimentation devraient stimuler des innovations clés dans le matériel d'électronique de puissance à grande échelle pour augmenter l'accessibilité et l'exploitation des ressources énergétiques distribuées (LES). "Jusqu'ici, Carbure de silicium multi-kV (SiC) Les dispositifs d'alimentation n'étaient pas à la disposition des chercheurs américains pour exploiter pleinement les avantages bien connus - à savoir des fréquences de fonctionnement de 2 à 10 kHz à des valeurs nominales de 5 à 15 kV - des dispositifs d'alimentation à base de SiC. a commenté le Dr. Ranbir Singh, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. « GeneSiC a récemment terminé la livraison de nombreux 6,5kV/40A, 6.5Thyristors kV/60A et 6,5kV/80A à plusieurs clients menant des recherches sur les énergies renouvelables, Applications des systèmes d'alimentation de l'armée et de la marine. Les appareils SiC avec ces cotes sont désormais proposés plus largement. »

Les thyristors à base de carbure de silicium offrent une tension 10 fois plus élevée, 100X fréquences de commutation plus rapides et fonctionnement à température plus élevée par rapport aux thyristors conventionnels à base de silicium. Les opportunités de recherche d'applications ciblées pour ces dispositifs incluent la conversion de puissance moyenne tension à usage général (MVDC), Onduleurs solaires connectés au réseau, onduleurs éoliens, puissance pulsée, systèmes d'armes, contrôle d'allumage, et commande de déclenchement. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau (>10kV) Carbure de silicium (SiC) Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau >5 Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Compensateurs statiques VAR et compensateurs de série. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau 25-30 pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique.

Docteur. Singh poursuit : « Il est prévu que les marchés à grande échelle des sous-stations électriques à semi-conducteurs et des générateurs d'éoliennes s'ouvriront après que les chercheurs dans le domaine de la conversion d'énergie auront pleinement réalisé les avantages des thyristors SiC.. Ces thyristors SiC de première génération utilisent la chute de tension à l'état passant la plus faible et les résistances différentielles à l'état passant jamais atteintes dans les thyristors SiC. Nous avons l'intention de lancer les futures générations de thyristors SiC optimisés pour la capacité d'arrêt commandé par porte et >10Valeurs kV. Alors que nous continuons à développer des solutions d'emballage à très haute tension à haute température, les thyristors 6,5 kV actuels sont emballés dans des modules avec des contacts entièrement soudés, limité à des températures de jonction de 150 °C. GeneSiC est un innovateur émergent dans le domaine des dispositifs d'alimentation SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière.

Situé près de Washington, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SiC) dispositifs. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SJT) pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, DARPA, et le Département de la sécurité intérieure. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, fabrication, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, veuillez visiter www.genesicsemi.com.

Posté sur

nov

DULLES, Virginie, Septembre 28, 2010 - Agence des projets de recherche avancée - Énergie (ARPA-E) a conclu un accord de coopération avec l'équipe dirigée par GeneSiC Semiconductor pour le développement du nouveau carbure de silicium à ultra haute tension (SiC) Dispositifs basés sur les thyristors. Ces dispositifs devraient être des catalyseurs clés pour l'intégration de centrales éoliennes et solaires à grande échelle dans le réseau intelligent de nouvelle génération..

«Ce prix hautement compétitif décerné à GeneSiC nous permettra d'étendre notre position de leader technique dans la technologie du carbure de silicium multi-kV., ainsi que notre engagement en faveur de solutions d'énergie alternative à l'échelle du réseau avec des solutions à semi-conducteurs,»A commenté le Dr. Ranbir Singh, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. «Les thyristors SiC multi-kV que nous développons sont la technologie clé permettant la réalisation de systèmes de transmission CA flexibles (Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau) éléments et haute tension DC (Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau) architectures envisagées vers une, efficace, Smart Grid du futur. Les thyristors à base de SiC de GeneSiC offrent une tension 10 fois plus élevée, 100X fréquences de commutation plus rapides et fonctionnement à température plus élevée dans les solutions de traitement de puissance FACTS et HVDC par rapport aux thyristors conventionnels à base de silicium. »

En avril 2010, GeneSiC a répondu à la livraison agile de la technologie d'alimentation électrique (EXPERT) sollicitation d'ARPA-E qui cherchait à investir dans des matériaux pour des avancées fondamentales dans les commutateurs haute tension qui ont le potentiel de dépasser les performances des convertisseurs de puissance existants tout en offrant des réductions de coûts. La proposition de la société intitulée "Thyristor commuté par anode en carbure de silicium pour la conversion de puissance moyenne tension" a été sélectionnée pour fournir un, état solide, conversion d'énergie moyenne tension pour les applications de haute puissance telles que les sous-stations électriques à semi-conducteurs et les générateurs d'éoliennes. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau 25-30 pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. Les innovations sélectionnées visaient à soutenir et à promouvoir les États-Unis. entreprises par le leadership technologique, grâce à un processus hautement compétitif.

Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur de nouvelle génération avec des propriétés largement supérieures au silicium conventionnel, comme la capacité de gérer dix fois la tension - et cent fois le courant - à des températures aussi élevées que 300 ° C. Ces caractéristiques le rendent parfaitement adapté aux applications de forte puissance telles que les véhicules hybrides et électriques, énergie renouvelable (éolien et solaire) installations, et systèmes de contrôle du réseau électrique.

Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau (>10kV) Carbure de silicium (SiC) Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau >5 Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Compensateurs VAR statiques et compensateurs série. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. Parmi les autres applications et avantages prometteurs de ces appareils, citons:

  • Systèmes de gestion de l'alimentation et de conditionnement d'énergie pour la conversion CC moyenne tension recherchés dans le cadre de la capacité navale future (FNC) de l'US Navy, Systèmes de lancement électromagnétiques, systèmes d'armes à haute énergie et imagerie médicale. La capacité de fréquence de fonctionnement 10-100X plus élevée permet des améliorations de taille sans précédent, poids, volume et finalement, coût de tels systèmes.
  • Une variété de stockage d'énergie, applications de physique à haute température et haute énergie. Les applications de stockage d'énergie et de réseau électrique reçoivent une attention croissante alors que le monde se concentre sur des solutions de gestion de l'énergie plus efficaces et plus rentables.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière.

“Nous sommes devenus un chef de file de la technologie SiC à ultra-haute tension en tirant parti de notre compétence de base dans la conception de dispositifs et de processus avec une vaste gamme de fabrication, caractérisation, et installations d'essai,»Conclut le Dr. Singh. «La position de GeneSiC a maintenant été validée par le DOE des États-Unis avec cette importante récompense consécutive.»

À propos de GeneSiC Semiconductor

Stratégiquement situé près de Washington, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SiC) dispositifs. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SJT) pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, DARPA, et le Département de la sécurité intérieure. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, fabrication, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, veuillez visiterwww.genesicsemi.com.

Posté sur

L'énergie renouvelable permet à GeneSiC Semiconductor de gagner 1,5 million de dollars du département américain de l'Énergie

DULLES, Virginie, Novembre 12, 2008 – Le département américain de l'Énergie a accordé à GeneSiC Semiconductor deux subventions distinctes totalisant 1,5 million de dollars pour le développement de carbure de silicium haute tension (SiC) dispositifs qui serviront de catalyseurs clés pour le vent- et l'intégration de l'énergie solaire au réseau électrique national.

« Ces récompenses démontrent la confiance du DOE dans les capacités de GeneSiC, ainsi que son engagement envers les solutions énergétiques alternatives,» note le Dr. Ranbir Singh, président de GeneSiC. « Un intégré, Un réseau électrique efficace est essentiel pour l'avenir énergétique de la nation - et les dispositifs SiC que nous développons sont essentiels pour surmonter les inefficacités des technologies silicium conventionnelles.

Le premier prix est une subvention SBIR Phase II de 750 000 $ pour le développement de, dispositifs bipolaires SiC ultra haute tension. La seconde est une subvention STTR Phase II de 750 000 $ pour le développement de commutateurs SiC haute puissance à porte optique.

Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur de nouvelle génération capable de gérer 10 fois la tension et 100 fois le courant du silicium, ce qui le rend idéalement adapté aux applications de haute puissance telles que les énergies renouvelables (éolien et solaire) installations et systèmes de contrôle du réseau électrique.

Spécifiquement, les deux prix sont pour:

  • Développement de la haute fréquence, arrêt de porte SiC multi-kilovolts (GTO) appareils d'alimentation. Les applications gouvernementales et commerciales incluent les systèmes de gestion de l'énergie et de conditionnement pour les navires, l'industrie des services publics, et imagerie médicale.
  • Conception et fabrication de haute tension à déclenchement optique, dispositifs de commutation SiC haute puissance. L'utilisation de fibres optiques pour commuter l'alimentation est une solution idéale pour les environnements en proie à des interférences électromagnétiques (EMI), et les applications qui nécessitent des ultra hautes tensions.

Les dispositifs SiC que GeneSiC développe servent une variété de stockage d'énergie, réseau électrique, et applications militaires, qui reçoivent une attention croissante alors que le monde se concentre sur des solutions de gestion de l'énergie plus efficaces et rentables.

Basé en dehors de Washington, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SiC) dispositifs. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, transistors à effet de champ (FET) et appareils bipolaires, ainsi que des particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a des contrats principaux/sous-traités avec les principales agences gouvernementales américaines, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, Marine, DARPA, et le Département de la sécurité intérieure. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, fabrication, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, veuillez visiter www.genesicsemi.com.

Posté sur

GeneSiC Semiconductor reçoit plusieurs subventions SBIR et STTR du département américain de l'Énergie

DULLES, Virginie, Octobre 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., un innovateur en plein essor de la haute température, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SiC) dispositifs, a annoncé qu'il a reçu trois subventions distinctes pour les petites entreprises du département américain de l'Énergie au cours de l'exercice 07. Les subventions SBIR et STTR seront utilisées par GeneSiC pour démontrer de nouveaux dispositifs SiC haute tension pour une variété de stockage d'énergie, réseau électrique, applications de physique à haute température et haute énergie. Les applications de stockage d'énergie et de réseau électrique reçoivent une attention croissante alors que le monde se concentre sur des solutions de gestion de l'énergie plus efficaces et rentables.

“Nous sommes satisfaits du niveau de confiance exprimé par divers bureaux du département américain de l'énergie à l'égard de nos solutions d'appareils haute puissance.. L'injection de ce financement dans nos programmes de technologie SiC avancée se traduira par une ligne de dispositifs SiC de pointe,” a commenté le Président de GeneSiC, Docteur. Ranbir Singh. “Les dispositifs développés dans ces projets promettent de fournir une technologie habilitante essentielle pour soutenir un réseau électrique plus efficace, et ouvrira la porte à une nouvelle technologie matérielle commerciale et militaire qui n'a pas été réalisée en raison des limites des technologies contemporaines à base de silicium.”

Les trois projets comprennent:

  • Un nouveau prix SBIR Phase I axé sur les courants forts, dispositifs multi-kV à base de thyristors orientés vers les applications de stockage d'énergie.
  • Un prix de suivi de phase II SBIR pour le développement de dispositifs d'alimentation SiC multi-kV pour les alimentations haute tension pour les applications de systèmes RF haute puissance décerné par le DOE Office of Science.
  • Un prix STTR Phase I axé sur la haute tension à déclenchement optique, dispositifs de puissance SiC haute fréquence pour les environnements riches en interférences électromagnétiques, y compris les systèmes d'énergie RF haute puissance, et systèmes d'armes à énergie dirigée.

Avec les récompenses, GeneSiC a récemment déménagé ses activités dans un laboratoire agrandi et un immeuble de bureaux à Dulles, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, moderniser considérablement son équipement, infrastructure et est en train d'ajouter du personnel clé supplémentaire.

“GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients, sauvegarder cela avec l'accès à une vaste suite de fabrication, installations de caractérisation et d'essais,” a conclu le Dr. Singh. “Nous pensons que ces capacités ont été effectivement validées par le DOE américain avec ces nouvelles récompenses et les suivantes.”

Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitant www.genesicsemi.com.