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5Diodes SiC Schottky MPS ™ 650 V de génération pour une efficacité inégalée

Gen5 650V SiC Schottky MPS™

DULLES, Virginie, Peut 28, 2021 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et fournisseur mondial de carbure de silicium (SiC) dispositifs semi-conducteurs de puissance, annonce la disponibilité de la 5ème génération (Série GE***) Les redresseurs SiC Schottky MPS™ qui établissent une nouvelle référence avec leur indice prix-performance supérieur, Résistance aux courants de surtension et aux avalanches à la pointe de l'industrie, et fabrication de haute qualité.

« GeneSiC a été l'un des premiers fabricants de SiC à fournir commercialement des redresseurs SiC Schottky dans 2011. Après plus d'une décennie de fourniture de redresseurs SiC hautes performances et de haute qualité dans l'industrie, nous sommes ravis de lancer notre 5ème génération de SiC Schottky MPS™ (Fusionné-PiN-Schottky) diodes qui offrent des performances de pointe dans tous les aspects pour atteindre les objectifs de haute efficacité et de densité de puissance dans des applications telles que les alimentations serveur/télécom et les chargeurs de batterie. La fonctionnalité révolutionnaire qui fait de notre 5e génération (Série GE***) Les diodes SiC Schottky MPS™ se distinguent par leur faible tension intégrée (également connu sous le nom de tension au genou);il permet les pertes de conduction de diode les plus faibles dans toutes les conditions de charge - crucial pour les applications exigeant une utilisation énergétique à haut rendement. Contrairement aux autres diodes SiC concurrentes également conçues pour offrir des caractéristiques à faible inclinaison, une caractéristique supplémentaire de nos conceptions de diodes Gen5 est qu'elles maintiennent toujours ce niveau élevé d'avalanche (UIL) robustesse que nos clients attendent du Gen3 de GeneSiC (Série GC***) et Gen4 (Série GD***) SiC Schottky MPS ™” dit le docteur. Siddharth Sundaresan, Vice-président de la technologie chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques –

  • Basse tension intégrée – Pertes de conduction les plus faibles pour toutes les conditions de charge
  • Figure de mérite supérieure – QC x VF
  • Performance de prix optimale
  • Capacité de courant de surtension améliorée
  • 100% avalanche (UIL) Testé
  • Faible résistance thermique pour un fonctionnement plus froid
  • Zero Forward et Reverse Recovery
  • Commutation rapide indépendante de la température
  • Coefficient de température positif de VF

Applications –

  • Diode Boost dans la correction du facteur de puissance (PFC)
  • Alimentations serveur et télécom
  • Onduleurs solaires
  • Alimentations sans interruption (UPS)
  • Chargeurs de batterie
  • Roue libre / Diode anti-parallèle dans les onduleurs

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

Tous les appareils sont disponibles à l'achat auprès de distributeurs agréés – www.genesicsemi.com/sales-support

Pour la fiche technique et d'autres ressources, visite – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ ou contactez sales@genesicsemi.com

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.

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GeneSiC remporte le prestigieux R&Prix ​​D100 pour le commutateur monolithique à transistor-redresseur basé sur SiC

DULLES, Virginie, décembre 5, 2019 — R&D Magazine a sélectionné GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA en tant que récipiendaire du prestigieux 2019 R&ré 100 Prix ​​pour le développement d'un commutateur monolithique à transistor-redresseur basé sur SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovateur clé dans les dispositifs de puissance à base de carbure de silicium a été honoré en annonçant qu'il a reçu la 2019 R&ré 100 Décerner. Ce prix récompense GeneSiC pour avoir introduit l'un des plus importants, les progrès de la recherche et du développement récemment introduits dans plusieurs disciplines au cours 2018. R&D Magazine a reconnu la technologie de dispositif d'alimentation SiC moyenne tension de GeneSiC pour sa capacité à intégrer de manière monolithique MOSFET et le redresseur Schottky sur une seule puce. Ces capacités obtenues par le dispositif de GeneSiC permettent aux chercheurs en électronique de puissance de développer des systèmes électroniques de puissance de nouvelle génération tels que des onduleurs et des convertisseurs CC-CC. Cela permettra des développements de produits au sein des véhicules électriques, infrastructure de recharge, industries des énergies renouvelables et du stockage d'énergie. GeneSiC a réservé des commandes de plusieurs clients pour la démonstration de matériel électronique de puissance avancé utilisant ces appareils et continue de développer sa famille de produits MOSFET en carbure de silicium. Le R&D sur la première version pour les applications de conversion de puissance ont été développés par le département américain. of Energy et collaboration avec Sandia National Laboratories.

Le concours technologique annuel organisé par R&D Magazine a évalué les entrées de diverses entreprises et acteurs de l'industrie, organismes de recherche et universités du monde entier. Les rédacteurs en chef du magazine et un panel d'experts extérieurs ont servi de juges, évaluer chaque entrée en fonction de son importance pour le monde de la science et de la recherche.

D'après R&Magazine D, gagner un R&ré 100 Le prix fournit une marque d'excellence connue de l'industrie, gouvernement, et le milieu universitaire comme preuve que le produit est l'une des idées les plus innovantes de l'année. Ce prix reconnaît GeneSiC en tant que leader mondial dans la création de produits basés sur la technologie qui font une différence dans notre façon de travailler et de vivre.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière. GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense. GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitantwww.genesicsemi.com.

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Capacité de courant élevé 650V, 1200Diodes V et 1700 V SiC Schottky MPS ™ dans un boîtier mini-module SOT-227

DULLES, Virginie, Peut 11, 2019 — GeneSiC devient un leader du marché des (100 A et 200 UNE) Diodes Schottky SiC dans le mini-module SOT-227

GeneSiC a introduit GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 et GC2X100MPS06-227; les diodes Schottky SiC 650 V et 1700 V les plus puissantes de l'industrie, s'ajoutant au portefeuille existant de mini-modules à diodes schottky SiC 1200 V - GB2X50MPS12-227 et GB2X100MPS12-227. Ces diodes SiC remplacent les diodes de récupération ultra-rapides à base de silicium, permettant aux ingénieurs de construire des circuits de commutation avec une plus grande efficacité et une densité de puissance plus élevée. Les applications devraient inclure les chargeurs rapides de véhicules électriques, entraînements moteurs, alimentations électriques de transport, redressement haute puissance et alimentations industrielles.

En plus de la plaque de base isolée du boîtier du mini-module SOT-227, ces diodes nouvellement publiées présentent une faible chute de tension directe, zéro récupération avant, zéro récupération inverse, faible capacité de jonction et sont conçus pour une température de fonctionnement maximale de 175 ° C. La technologie de diode SiC Schottky de troisième génération de GeneSiC offre une résistance aux avalanches et un courant de surtension de pointe (Ifsm) robustesse, combiné à une fabrication de 6 pouces qualifiée pour l'automobile de haute qualité et à une technologie d'assemblage discret de haute fiabilité avancée.

Ces diodes SiC sont des remplacements directs compatibles avec les broches à d'autres diodes disponibles dans le SOT-227 (mini-module) paquet. Bénéficier de leurs faibles pertes de puissance (fonctionnement plus frais) et capacité de commutation haute fréquence, les concepteurs peuvent désormais obtenir une plus grande efficacité de conversion et une plus grande densité de puissance dans les conceptions.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière. GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense. GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitantwww.genesicsemi.com.

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GeneSiC lance le MPS SiC Schottky 1700 V le plus performant du secteur™ diodes

DULLES, Virginie, janvier 7, 2019 — GeneSiC lance un portefeuille complet de diodes SiC Schottky MPS ™ 1700 V de troisième génération dans le boîtier TO-247-2

GeneSiC a introduit GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 et GB50MPS17-247; les diodes SiC 1700 V les plus performantes de l’industrie disponibles dans le populaire boîtier traversant TO-247-2. Ces diodes SiC 1700V remplacent les diodes de récupération ultra-rapides à base de silicium et d'autres JBS SiC 1700V de l'ancienne génération, permettant aux ingénieurs de construire des circuits de commutation avec une plus grande efficacité et une densité de puissance plus élevée. Les applications devraient inclure les chargeurs rapides de véhicules électriques, entraînements moteurs, alimentations électriques de transport et énergies renouvelables.

GB50MPS17-247 est une diode fusionnée PiN-schottky 1700V 50A SiC, la diode de puissance SiC discrète à courant nominal le plus élevé de l'industrie. Ces nouvelles diodes présentent une faible chute de tension directe, zéro récupération avant, zéro récupération inverse, faible capacité de jonction et sont conçus pour une température de fonctionnement maximale de 175 ° C. La technologie de diode SiC Schottky de troisième génération de GeneSiC offre une résistance aux avalanches et un courant de surtension de pointe (Ifsm) robustesse, combiné à une fonderie de 6 pouces qualifiée pour l'automobile de haute qualité et à une technologie d'assemblage discrète avancée de haute fiabilité.

Ces diodes SiC sont des remplacements directs compatibles avec les broches à d'autres diodes disponibles dans le boîtier TO-247-2. Bénéficier de leurs faibles pertes de puissance (fonctionnement plus frais) et capacité de commutation haute fréquence, les concepteurs peuvent désormais obtenir une plus grande efficacité de conversion et une plus grande densité de puissance dans les conceptions.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière. GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense. GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitantwww.genesicsemi.com.