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Les MOSFET SiC 6,5 kV de GeneSiC, leaders du secteur – l'avant-garde d'une nouvelle vague d'applications

6.5MOSFET kV SiC

DULLES, Virginie, Octobre 20, 2020 — GeneSiC lance des MOSFET en carbure de silicium de 6,5 kV pour être à l'avant-garde en offrant des niveaux de performances sans précédent, efficacité et fiabilité dans les applications de conversion d'énergie moyenne tension telles que la traction, énergie pulsée et infrastructure de réseau intelligent.

Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance, annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate des puces nues 6,5kV SiC MOSFET - G2R300MT65-CAL et G2R325MS65-CAL. Des modules SiC complets utilisant cette technologie seront bientôt disponibles. Les applications devraient inclure la traction, puissance pulsée, infrastructure de réseau intelligent et autres convertisseurs d'énergie moyenne tension.

G2R300MT65-CAL - Puce nue MOSFET SiC G2R ™ 6,5kV 300mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET SiC G2R ™ 6,5 kV 325 mΩ (avec Integrated-Schottky) Puce nue

G2R100MT65-CAL - Puce nue MOSFET SiC G2R ™ 6,5kV 100mΩ

L'innovation de GeneSiC comprend un semi-conducteur à oxyde métallique à double implantation SiC (DMOSFET) structure de l'appareil avec une barrière de jonction schottky (JBS) redresseur intégré dans la cellule unitaire SiC DMOSFET. Ce dispositif d'alimentation de pointe peut être utilisé dans une variété de circuits de conversion de puissance dans la prochaine génération de systèmes de conversion de puissance. D'autres avantages importants incluent des performances bidirectionnelles plus efficaces, commutation indépendante de la température, faibles pertes de commutation et de conduction, besoins de refroidissement réduits, fiabilité à long terme supérieure, facilité de mise en parallèle des appareils et avantages en termes de coûts. La technologie de GeneSiC offre des performances supérieures et a également le potentiel de réduire l'empreinte nette du matériau SiC dans les convertisseurs de puissance.

“Les MOSFET SiC 6,5 kV de GeneSiC sont conçus et fabriqués sur des tranches de 6 pouces pour obtenir une faible résistance à l'état passant, la plus haute qualité, et un indice qualité-prix supérieur. Cette technologie MOSFET de nouvelle génération promet des performances exemplaires, robustesse supérieure et fiabilité à long terme dans les applications de conversion d'énergie moyenne tension.” m'a dit Docteur. Siddharth Sundaresan, Vice-président de la technologie chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques de la technologie MOSFET 6,5 kV G2R ™ SiC de GeneSiC –

  • Avalanche élevée (ISU) et résistance aux courts-circuits
  • Supérieur Qg x RDS(SUR) symbole de mérite
  • Pertes de commutation indépendantes de la température
  • Faibles capacités et faible charge de grille
  • Faibles pertes à toutes les températures
  • Fonctionnement stable normalement à l'arrêt jusqu'à 175 ° C
  • +20 V / -5 Entraînement de porte en V

Pour la fiche technique et d'autres ressources, visite – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip ou contactez sales@genesicsemi.com

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.

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nov

DULLES, Virginie, Septembre 28, 2010 - Agence des projets de recherche avancée - Énergie (ARPA-E) a conclu un accord de coopération avec l'équipe dirigée par GeneSiC Semiconductor pour le développement du nouveau carbure de silicium à ultra haute tension (SiC) Dispositifs basés sur les thyristors. Ces dispositifs devraient être des catalyseurs clés pour l'intégration de centrales éoliennes et solaires à grande échelle dans le réseau intelligent de nouvelle génération..

«Ce prix hautement compétitif décerné à GeneSiC nous permettra d'étendre notre position de leader technique dans la technologie du carbure de silicium multi-kV., ainsi que notre engagement en faveur de solutions d'énergie alternative à l'échelle du réseau avec des solutions à semi-conducteurs,»A commenté le Dr. Ranbir Singh, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. «Les thyristors SiC multi-kV que nous développons sont la technologie clé permettant la réalisation de systèmes de transmission CA flexibles (Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau) éléments et haute tension DC (Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau) architectures envisagées vers une, efficace, Smart Grid du futur. Les thyristors à base de SiC de GeneSiC offrent une tension 10 fois plus élevée, 100X fréquences de commutation plus rapides et fonctionnement à température plus élevée dans les solutions de traitement de puissance FACTS et HVDC par rapport aux thyristors conventionnels à base de silicium. »

En avril 2010, GeneSiC a répondu à la livraison agile de la technologie d'alimentation électrique (EXPERT) sollicitation d'ARPA-E qui cherchait à investir dans des matériaux pour des avancées fondamentales dans les commutateurs haute tension qui ont le potentiel de dépasser les performances des convertisseurs de puissance existants tout en offrant des réductions de coûts. La proposition de la société intitulée "Thyristor commuté par anode en carbure de silicium pour la conversion de puissance moyenne tension" a été sélectionnée pour fournir un, état solide, conversion d'énergie moyenne tension pour les applications de haute puissance telles que les sous-stations électriques à semi-conducteurs et les générateurs d'éoliennes. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau 25-30 pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. Les innovations sélectionnées visaient à soutenir et à promouvoir les États-Unis. entreprises par le leadership technologique, grâce à un processus hautement compétitif.

Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur de nouvelle génération avec des propriétés largement supérieures au silicium conventionnel, comme la capacité de gérer dix fois la tension - et cent fois le courant - à des températures aussi élevées que 300 ° C. Ces caractéristiques le rendent parfaitement adapté aux applications de forte puissance telles que les véhicules hybrides et électriques, énergie renouvelable (éolien et solaire) installations, et systèmes de contrôle du réseau électrique.

Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau (>10kV) Carbure de silicium (SiC) Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau >5 Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Compensateurs VAR statiques et compensateurs série. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. Parmi les autres applications et avantages prometteurs de ces appareils, citons:

  • Systèmes de gestion de l'alimentation et de conditionnement d'énergie pour la conversion CC moyenne tension recherchés dans le cadre de la capacité navale future (FNC) de l'US Navy, Systèmes de lancement électromagnétiques, systèmes d'armes à haute énergie et imagerie médicale. La capacité de fréquence de fonctionnement 10-100X plus élevée permet des améliorations de taille sans précédent, poids, volume et finalement, coût de tels systèmes.
  • Une variété de stockage d'énergie, applications de physique à haute température et haute énergie. Les applications de stockage d'énergie et de réseau électrique reçoivent une attention croissante alors que le monde se concentre sur des solutions de gestion de l'énergie plus efficaces et plus rentables.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière.

“Nous sommes devenus un chef de file de la technologie SiC à ultra-haute tension en tirant parti de notre compétence de base dans la conception de dispositifs et de processus avec une vaste gamme de fabrication, caractérisation, et installations d'essai,»Conclut le Dr. Singh. «La position de GeneSiC a maintenant été validée par le DOE des États-Unis avec cette importante récompense consécutive.»

À propos de GeneSiC Semiconductor

Stratégiquement situé près de Washington, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SiC) dispositifs. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SJT) pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, DARPA, et le Département de la sécurité intérieure. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, fabrication, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, veuillez visiterwww.genesicsemi.com.