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Les MOSFET SiC G3R™ 750V offrent des performances et une fiabilité inégalées

750MOSFET SiC V G3R

DULLES, Virginie, juin 04, 2021 — Les MOSFET 750V G3R™SiC de nouvelle génération de GeneSiC offriront des niveaux de performances sans précédent, robustesse et qualité qui surpassent ses homologues. Les avantages du système incluent de faibles chutes d'état aux températures de fonctionnement, vitesses de commutation plus rapides, augmentation de la densité de puissance, sonnerie minimale (faible EMI) et taille de système compacte. G3R™ de GeneSiC, offert dans des boîtiers discrets optimisés à faible inductance (SMD et trou traversant), sont optimisés pour fonctionner avec les pertes de puissance les plus faibles dans toutes les conditions de fonctionnement et des vitesses de commutation ultra-rapides. Ces dispositifs ont des niveaux de performances nettement supérieurs à ceux des MOSFET SiC contemporains.

750MOSFET SiC V G3R

« L'utilisation de l'énergie à haut rendement est devenue un livrable essentiel dans les convertisseurs de puissance de nouvelle génération et les dispositifs d'alimentation SiC continuent d'être les composants clés de cette révolution.. Après des années de travail de développement pour atteindre la plus faible résistance à l'état passant et des performances robustes en court-circuit et en avalanche, nous sommes ravis de lancer les MOSFET SiC 750 V les plus performants de l'industrie. Notre G3R™ permet aux concepteurs d'électronique de puissance de répondre aux défis d'efficacité, objectifs de densité de puissance et de qualité dans des applications telles que les onduleurs solaires, Chargeurs embarqués EV et alimentations serveur/télécom. Une qualité assurée, soutenu par des délais d'exécution rapides et une fabrication à haut volume qualifiée pour l'automobile améliore encore leur proposition de valeur. ” dit le docteur. Ranbir Singh, Président chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques –

  • La charge de porte la plus basse de l'industrie (Qg) et résistance de grille interne (RG(INT))
  • R le plus basDS(SUR) changer avec la température
  • Faible capacité de sortie (Cnous) et capacité de miller (CDG)
  • 100% avalanche (UIL) testé en production
  • Capacité de résistance aux courts-circuits de pointe
  • Diode de corps rapide et fiable avec un faible VF et Q faibleRR
  • Tension de seuil de porte élevée et stable (VE) dans toutes les conditions de température et de polarisation de drain
  • Technologie d'emballage avancée pour une résistance thermique et une sonnerie plus faibles
  • Uniformité de fabrication de RDS(SUR), VE et tension de claquage (BV)
  • Portefeuille de produits complet et chaîne d'approvisionnement plus sûre avec une fabrication à haut volume qualifiée pour l'automobile

Applications –

  • Solaire (PV) Onduleurs
  • VE / Chargeurs embarqués HEV
  • Serveur & Alimentations Télécom
  • Alimentations sans interruption (UPS)
  • Convertisseurs DC-DC
  • Alimentations à découpage (SMPS)
  • Stockage d'énergie et charge de batterie
  • Chauffage par induction

Tous les MOSFET SiC de GeneSiC Semiconductor sont destinés aux applications automobiles (AEC-q101) et compatible PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&commerce MOSFET SiC

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&commerce MOSFET SiC

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&commerce MOSFET SiC

Pour la fiche technique et d'autres ressources, visite – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ ou contactez sales@genesicsemi.com

Tous les appareils sont disponibles à l'achat auprès de distributeurs agréés – www.genesicsemi.com/sales-support

Electronique Digi-Key

Élément Newark Farnell14

Électronique Mouser

Arrow Electronics

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.

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Nouveaux MOSFET SiC de 3e génération de GeneSiC présentant la meilleure figure de mérite de l'industrie

DULLES, Virginie, Février 12, 2020 — MOSFET SiC 1200 V G3R ™ de nouvelle génération de GeneSiC Semiconductor avec RDS(SUR) niveaux allant de 20 mΩ à 350 mΩ offrent des niveaux de performances sans précédent, robustesse et qualité qui surpassent ses homologues. Les avantages du système incluent une efficacité accrue, fréquence de commutation plus rapide, augmentation de la densité de puissance, sonnerie réduite (EMI) et taille de système compacte.

GeneSiC annonce la disponibilité de ses MOSFET en carbure de silicium de 3e génération, leaders de l'industrie, dotés de performances de pointe, robustesse et qualité pour exploiter des niveaux d'efficacité et de fiabilité du système jamais vus auparavant dans les applications automobiles et industrielles.

Ces MOSFET G3R ™ SiC, offert dans des boîtiers discrets optimisés à faible inductance (SMD et trou traversant), sont hautement optimisés pour les conceptions de systèmes d'alimentation nécessitant des niveaux d'efficacité élevés et des vitesses de commutation ultra-rapides. Ces appareils ont des niveaux de performances nettement meilleurs par rapport aux produits concurrents. Une qualité assurée, soutenu par une fabrication rapide à grand volume améliore encore leur proposition de valeur.

«Après des années de développement, nous travaillons pour atteindre la plus faible résistance à l'état passant et des performances de court-circuit améliorées, nous sommes ravis de lancer les MOSFET SiC 1200 V les plus performants du secteur avec plus de 15+ produits discrets et à puces nues. Si les systèmes électroniques de puissance de nouvelle génération doivent répondre au défi d'efficacité, densité de puissance et objectifs de qualité dans des applications comme l'automobile, industriel, énergie renouvelable, transport, IT et télécom, ils nécessitent alors des performances et une fiabilité de l'appareil considérablement améliorées par rapport aux MOSFET SiC actuellement disponibles” dit le docteur. Ranbir Singh, Président chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques –

  • Supérieur Qg x RDS(SUR) symbole de mérite – Les MOSFET G3R ™ SiC présentent la plus faible résistance à l'état passant de l'industrie avec une charge de grille très faible, résultant en 20% meilleure figure de mérite que tout autre appareil concurrent similaire
  • Faibles pertes de conduction à toutes les températures – Les MOSFET de GeneSiC présentent la plus faible dépendance à la température de la résistance à l'état passant pour offrir de très faibles pertes de conduction à toutes les températures; nettement mieux que tout autre MOSFET SiC tranchée et planaire du marché
  • 100 % testé en avalanche – Une capacité UIL robuste est une exigence critique pour la majorité des applications sur le terrain. Les MOSFET SiC 1200 V de GeneSiC discrets sont 100 % avalanche (UIL) testé en production
  • Faible charge de grille et faible résistance de grille interne – Ces paramètres sont essentiels pour réaliser une commutation ultra-rapide et atteindre les plus hauts rendements (faible Eon -Eoff) sur une large gamme de fréquences de commutation d'application
  • Fonctionnement stable normalement à l'arrêt jusqu'à 175 ° C – Tous les MOSFET SiC de GeneSiC sont conçus et fabriqués avec des processus de pointe pour fournir des produits stables et fiables dans toutes les conditions de fonctionnement sans aucun risque de dysfonctionnement. La qualité supérieure de l'oxyde de grille de ces appareils empêche tout seuil (VE) dérive
  • Capacités faibles de l'appareil – Les G3R ™ sont conçus pour conduire plus rapidement et plus efficacement grâce à leurs faibles capacités de l'appareil - Ciss, Coss et Crss
  • Diode de corps rapide et fiable avec une faible charge intrinsèque – Les MOSFET de GeneSiC présentent une faible charge de récupération inverse de référence (QRR) à toutes températures; 30% mieux que tout appareil concurrent de même qualité. Cela offre une réduction supplémentaire des pertes de puissance et augmente les fréquences de fonctionnement
  • Facilité d'utilisation – Les MOSFET G3R ™ SiC sont conçus pour être entraînés à + 15V / -5Entraînement de porte en V. Cela offre la plus large compatibilité avec les pilotes de porte IGBT et SiC MOSFET commerciaux existants

Applications –

  • Véhicule électrique – Groupe motopropulseur et recharge
  • Onduleur solaire et stockage d'énergie
  • Entraînement de moteur industriel
  • Alimentation sans interruption (UPS)
  • Alimentation à découpage (SMPS)
  • Convertisseurs DC-DC bidirectionnels
  • Smart Grid et HVDC
  • Chauffage et soudage par induction
  • Application de puissance pulsée

Tous les appareils sont disponibles à l'achat auprès de distributeurs agréés – www.genesicsemi.com/sales-support

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Tous les MOSFET SiC de GeneSiC Semiconductor sont destinés aux applications automobiles (AEC-q101) et compatible PPAP. Tous les appareils sont proposés en D2PAK standard, Forfaits TO-247 et SOT-227.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.

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Les MOSFET SiC 3300V et 1700V 1000mΩ de GeneSiC révolutionnent la miniaturisation des alimentations auxiliaires

DULLES, Virginie, décembre 4, 2020 — GeneSiC annonce la disponibilité de MOSFET SiC discrets 3300 V et 1700 V, leaders de l'industrie, optimisés pour atteindre une miniaturisation inégalée, fiabilité et économies d'énergie dans le domaine de l'énergie domestique industrielle.

Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'un portefeuille complet de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance, annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate des MOSFET SiC 3300V et 1700V 1000mΩ de nouvelle génération - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, et G2R1000MT33J. Ces MOSFET SiC permettent des niveaux de performance supérieurs, basé sur les figures phares du mérite (FoM) qui améliorent et simplifient les systèmes d'alimentation tout au long du stockage d'énergie, énergie renouvelable, moteurs industriels, onduleurs universels et éclairage industriel. Les produits libérés sont:

G2R1000MT33J - MOSFET SiC 3300V 1000mΩ TO-263-7

G2R1000MT17D - MOSFET SiC TO-247-3 1700V 1000mΩ

G2R1000MT17J - MOSFET SiC 1700V 1000mΩ TO-263-7

G3R450MT17D - MOSFET SiC TO-247-3 1700V 450mΩ

G3R450MT17J - MOSFET SiC 1700V 450mΩ TO-263-7

Nouveaux MOSFET SiC 3300 V et 1700 V de GeneSiC, disponible en options 1000 mΩ et 450 mΩ sous forme de boîtiers discrets SMD et traversant, sont hautement optimisés pour les conceptions de systèmes d'alimentation nécessitant des niveaux d'efficacité élevés et des vitesses de commutation ultra-rapides. Ces appareils ont des niveaux de performances nettement meilleurs par rapport aux produits concurrents. Une qualité assurée, soutenus par une fabrication rapide à grand volume, améliorent encore leur proposition de valeur.

«Dans des applications telles que les onduleurs solaires 1500V, le MOSFET de l'alimentation auxiliaire peut avoir à résister à des tensions de l'ordre de 2500V, en fonction de la tension d'entrée, rapport de tours du transformateur et de la tension de sortie. Les MOSFET à tension de claquage élevée évitent le besoin de commutateurs connectés en série dans Flyback, Convertisseurs Boost et Forward réduisant ainsi le nombre de pièces et la complexité du circuit. Les MOSFET SiC discrets 3300 V et 1700 V de GeneSiC permettent aux concepteurs d’utiliser une topologie simple basée sur un commutateur unique tout en fournissant aux clients des, système compact et économique” dit Sumit Jadav, Senior Applications Manager chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques –

  • Indice prix-performance supérieur
  • Produit phare Qg x RDS(SUR) symbole de mérite
  • Faible capacité intrinsèque et faible charge de grille
  • Faibles pertes à toutes les températures
  • Robustesse élevée contre les avalanches et les courts-circuits
  • Tension de seuil de référence pour un fonctionnement stable normalement éteint jusqu'à 175 ° C

Applications –

  • Énergie renouvelable (onduleurs solaires) et stockage d'énergie
  • Moteurs industriels (et lien)
  • Onduleurs à usage général
  • Éclairage industriel
  • Pilotes piézo
  • Générateurs de faisceaux ioniques

Tous les appareils sont disponibles à l'achat auprès de distributeurs agréés – www.genesicsemi.com/sales-support

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À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.

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Les MOSFET SiC 6,5 kV de GeneSiC, leaders du secteur – l'avant-garde d'une nouvelle vague d'applications

6.5MOSFET kV SiC

DULLES, Virginie, Octobre 20, 2020 — GeneSiC lance des MOSFET en carbure de silicium de 6,5 kV pour être à l'avant-garde en offrant des niveaux de performances sans précédent, efficacité et fiabilité dans les applications de conversion d'énergie moyenne tension telles que la traction, énergie pulsée et infrastructure de réseau intelligent.

Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance, annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate des puces nues 6,5kV SiC MOSFET - G2R300MT65-CAL et G2R325MS65-CAL. Des modules SiC complets utilisant cette technologie seront bientôt disponibles. Les applications devraient inclure la traction, puissance pulsée, infrastructure de réseau intelligent et autres convertisseurs d'énergie moyenne tension.

G2R300MT65-CAL - Puce nue MOSFET SiC G2R ™ 6,5kV 300mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET SiC G2R ™ 6,5 kV 325 mΩ (avec Integrated-Schottky) Puce nue

G2R100MT65-CAL - Puce nue MOSFET SiC G2R ™ 6,5kV 100mΩ

L'innovation de GeneSiC comprend un semi-conducteur à oxyde métallique à double implantation SiC (DMOSFET) structure de l'appareil avec une barrière de jonction schottky (JBS) redresseur intégré dans la cellule unitaire SiC DMOSFET. Ce dispositif d'alimentation de pointe peut être utilisé dans une variété de circuits de conversion de puissance dans la prochaine génération de systèmes de conversion de puissance. D'autres avantages importants incluent des performances bidirectionnelles plus efficaces, commutation indépendante de la température, faibles pertes de commutation et de conduction, besoins de refroidissement réduits, fiabilité à long terme supérieure, facilité de mise en parallèle des appareils et avantages en termes de coûts. La technologie de GeneSiC offre des performances supérieures et a également le potentiel de réduire l'empreinte nette du matériau SiC dans les convertisseurs de puissance.

“Les MOSFET SiC 6,5 kV de GeneSiC sont conçus et fabriqués sur des tranches de 6 pouces pour obtenir une faible résistance à l'état passant, la plus haute qualité, et un indice qualité-prix supérieur. Cette technologie MOSFET de nouvelle génération promet des performances exemplaires, robustesse supérieure et fiabilité à long terme dans les applications de conversion d'énergie moyenne tension.” m'a dit Docteur. Siddharth Sundaresan, Vice-président de la technologie chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques de la technologie MOSFET 6,5 kV G2R ™ SiC de GeneSiC –

  • Avalanche élevée (ISU) et résistance aux courts-circuits
  • Supérieur Qg x RDS(SUR) symbole de mérite
  • Pertes de commutation indépendantes de la température
  • Faibles capacités et faible charge de grille
  • Faibles pertes à toutes les températures
  • Fonctionnement stable normalement à l'arrêt jusqu'à 175 ° C
  • +20 V / -5 Entraînement de porte en V

Pour la fiche technique et d'autres ressources, visite – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip ou contactez sales@genesicsemi.com

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.

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GeneSiC remporte le prestigieux R&Prix ​​D100 pour le commutateur monolithique à transistor-redresseur basé sur SiC

DULLES, Virginie, décembre 5, 2019 — R&D Magazine a sélectionné GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA en tant que récipiendaire du prestigieux 2019 R&ré 100 Prix ​​pour le développement d'un commutateur monolithique à transistor-redresseur basé sur SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovateur clé dans les dispositifs de puissance à base de carbure de silicium a été honoré en annonçant qu'il a reçu la 2019 R&ré 100 Décerner. Ce prix récompense GeneSiC pour avoir introduit l'un des plus importants, les progrès de la recherche et du développement récemment introduits dans plusieurs disciplines au cours 2018. R&D Magazine a reconnu la technologie de dispositif d'alimentation SiC moyenne tension de GeneSiC pour sa capacité à intégrer de manière monolithique MOSFET et le redresseur Schottky sur une seule puce. Ces capacités obtenues par le dispositif de GeneSiC permettent aux chercheurs en électronique de puissance de développer des systèmes électroniques de puissance de nouvelle génération tels que des onduleurs et des convertisseurs CC-CC. Cela permettra des développements de produits au sein des véhicules électriques, infrastructure de recharge, industries des énergies renouvelables et du stockage d'énergie. GeneSiC a réservé des commandes de plusieurs clients pour la démonstration de matériel électronique de puissance avancé utilisant ces appareils et continue de développer sa famille de produits MOSFET en carbure de silicium. Le R&D sur la première version pour les applications de conversion de puissance ont été développés par le département américain. of Energy et collaboration avec Sandia National Laboratories.

Le concours technologique annuel organisé par R&D Magazine a évalué les entrées de diverses entreprises et acteurs de l'industrie, organismes de recherche et universités du monde entier. Les rédacteurs en chef du magazine et un panel d'experts extérieurs ont servi de juges, évaluer chaque entrée en fonction de son importance pour le monde de la science et de la recherche.

D'après R&Magazine D, gagner un R&ré 100 Le prix fournit une marque d'excellence connue de l'industrie, gouvernement, et le milieu universitaire comme preuve que le produit est l'une des idées les plus innovantes de l'année. Ce prix reconnaît GeneSiC en tant que leader mondial dans la création de produits basés sur la technologie qui font une différence dans notre façon de travailler et de vivre.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière. GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense. GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitantwww.genesicsemi.com.