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Les MOSFET SiC G3R™ 750V offrent des performances et une fiabilité inégalées

750MOSFET SiC V G3R

DULLES, Virginie, juin 04, 2021 — Les MOSFET 750V G3R™SiC de nouvelle génération de GeneSiC offriront des niveaux de performances sans précédent, robustesse et qualité qui surpassent ses homologues. Les avantages du système incluent de faibles chutes d'état aux températures de fonctionnement, vitesses de commutation plus rapides, augmentation de la densité de puissance, sonnerie minimale (faible EMI) et taille de système compacte. G3R™ de GeneSiC, offert dans des boîtiers discrets optimisés à faible inductance (SMD et trou traversant), sont optimisés pour fonctionner avec les pertes de puissance les plus faibles dans toutes les conditions de fonctionnement et des vitesses de commutation ultra-rapides. Ces dispositifs ont des niveaux de performances nettement supérieurs à ceux des MOSFET SiC contemporains.

750MOSFET SiC V G3R

« L'utilisation de l'énergie à haut rendement est devenue un livrable essentiel dans les convertisseurs de puissance de nouvelle génération et les dispositifs d'alimentation SiC continuent d'être les composants clés de cette révolution.. Après des années de travail de développement pour atteindre la plus faible résistance à l'état passant et des performances robustes en court-circuit et en avalanche, nous sommes ravis de lancer les MOSFET SiC 750 V les plus performants de l'industrie. Notre G3R™ permet aux concepteurs d'électronique de puissance de répondre aux défis d'efficacité, objectifs de densité de puissance et de qualité dans des applications telles que les onduleurs solaires, Chargeurs embarqués EV et alimentations serveur/télécom. Une qualité assurée, soutenu par des délais d'exécution rapides et une fabrication à haut volume qualifiée pour l'automobile améliore encore leur proposition de valeur. ” dit le docteur. Ranbir Singh, Président chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques –

  • La charge de porte la plus basse de l'industrie (Qg) et résistance de grille interne (RG(INT))
  • R le plus basDS(SUR) changer avec la température
  • Faible capacité de sortie (Cnous) et capacité de miller (CDG)
  • 100% avalanche (UIL) testé en production
  • Capacité de résistance aux courts-circuits de pointe
  • Diode de corps rapide et fiable avec un faible VF et Q faibleRR
  • Tension de seuil de porte élevée et stable (VE) dans toutes les conditions de température et de polarisation de drain
  • Technologie d'emballage avancée pour une résistance thermique et une sonnerie plus faibles
  • Uniformité de fabrication de RDS(SUR), VE et tension de claquage (BV)
  • Portefeuille de produits complet et chaîne d'approvisionnement plus sûre avec une fabrication à haut volume qualifiée pour l'automobile

Applications –

  • Solaire (PV) Onduleurs
  • VE / Chargeurs embarqués HEV
  • Serveur & Alimentations Télécom
  • Alimentations sans interruption (UPS)
  • Convertisseurs DC-DC
  • Alimentations à découpage (SMPS)
  • Stockage d'énergie et charge de batterie
  • Chauffage par induction

Tous les MOSFET SiC de GeneSiC Semiconductor sont destinés aux applications automobiles (AEC-q101) et compatible PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&commerce MOSFET SiC

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&commerce MOSFET SiC

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&commerce MOSFET SiC

Pour la fiche technique et d'autres ressources, visite – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ ou contactez sales@genesicsemi.com

Tous les appareils sont disponibles à l'achat auprès de distributeurs agréés – www.genesicsemi.com/sales-support

Electronique Digi-Key

Élément Newark Farnell14

Électronique Mouser

Arrow Electronics

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.

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Les MOSFET SiC 6,5 kV de GeneSiC, leaders du secteur – l'avant-garde d'une nouvelle vague d'applications

6.5MOSFET kV SiC

DULLES, Virginie, Octobre 20, 2020 — GeneSiC lance des MOSFET en carbure de silicium de 6,5 kV pour être à l'avant-garde en offrant des niveaux de performances sans précédent, efficacité et fiabilité dans les applications de conversion d'énergie moyenne tension telles que la traction, énergie pulsée et infrastructure de réseau intelligent.

Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance, annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate des puces nues 6,5kV SiC MOSFET - G2R300MT65-CAL et G2R325MS65-CAL. Des modules SiC complets utilisant cette technologie seront bientôt disponibles. Les applications devraient inclure la traction, puissance pulsée, infrastructure de réseau intelligent et autres convertisseurs d'énergie moyenne tension.

G2R300MT65-CAL - Puce nue MOSFET SiC G2R ™ 6,5kV 300mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET SiC G2R ™ 6,5 kV 325 mΩ (avec Integrated-Schottky) Puce nue

G2R100MT65-CAL - Puce nue MOSFET SiC G2R ™ 6,5kV 100mΩ

L'innovation de GeneSiC comprend un semi-conducteur à oxyde métallique à double implantation SiC (DMOSFET) structure de l'appareil avec une barrière de jonction schottky (JBS) redresseur intégré dans la cellule unitaire SiC DMOSFET. Ce dispositif d'alimentation de pointe peut être utilisé dans une variété de circuits de conversion de puissance dans la prochaine génération de systèmes de conversion de puissance. D'autres avantages importants incluent des performances bidirectionnelles plus efficaces, commutation indépendante de la température, faibles pertes de commutation et de conduction, besoins de refroidissement réduits, fiabilité à long terme supérieure, facilité de mise en parallèle des appareils et avantages en termes de coûts. La technologie de GeneSiC offre des performances supérieures et a également le potentiel de réduire l'empreinte nette du matériau SiC dans les convertisseurs de puissance.

“Les MOSFET SiC 6,5 kV de GeneSiC sont conçus et fabriqués sur des tranches de 6 pouces pour obtenir une faible résistance à l'état passant, la plus haute qualité, et un indice qualité-prix supérieur. Cette technologie MOSFET de nouvelle génération promet des performances exemplaires, robustesse supérieure et fiabilité à long terme dans les applications de conversion d'énergie moyenne tension.” m'a dit Docteur. Siddharth Sundaresan, Vice-président de la technologie chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques de la technologie MOSFET 6,5 kV G2R ™ SiC de GeneSiC –

  • Avalanche élevée (ISU) et résistance aux courts-circuits
  • Supérieur Qg x RDS(SUR) symbole de mérite
  • Pertes de commutation indépendantes de la température
  • Faibles capacités et faible charge de grille
  • Faibles pertes à toutes les températures
  • Fonctionnement stable normalement à l'arrêt jusqu'à 175 ° C
  • +20 V / -5 Entraînement de porte en V

Pour la fiche technique et d'autres ressources, visite – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip ou contactez sales@genesicsemi.com

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.