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Les MOSFET SiC G3R™ 750V offrent des performances et une fiabilité inégalées

750MOSFET SiC V G3R

DULLES, Virginie, juin 04, 2021 — Les MOSFET 750V G3R™SiC de nouvelle génération de GeneSiC offriront des niveaux de performances sans précédent, robustesse et qualité qui surpassent ses homologues. Les avantages du système incluent de faibles chutes d'état aux températures de fonctionnement, vitesses de commutation plus rapides, augmentation de la densité de puissance, sonnerie minimale (faible EMI) et taille de système compacte. G3R™ de GeneSiC, offert dans des boîtiers discrets optimisés à faible inductance (SMD et trou traversant), sont optimisés pour fonctionner avec les pertes de puissance les plus faibles dans toutes les conditions de fonctionnement et des vitesses de commutation ultra-rapides. Ces dispositifs ont des niveaux de performances nettement supérieurs à ceux des MOSFET SiC contemporains.

750MOSFET SiC V G3R

« L'utilisation de l'énergie à haut rendement est devenue un livrable essentiel dans les convertisseurs de puissance de nouvelle génération et les dispositifs d'alimentation SiC continuent d'être les composants clés de cette révolution.. Après des années de travail de développement pour atteindre la plus faible résistance à l'état passant et des performances robustes en court-circuit et en avalanche, nous sommes ravis de lancer les MOSFET SiC 750 V les plus performants de l'industrie. Notre G3R™ permet aux concepteurs d'électronique de puissance de répondre aux défis d'efficacité, objectifs de densité de puissance et de qualité dans des applications telles que les onduleurs solaires, Chargeurs embarqués EV et alimentations serveur/télécom. Une qualité assurée, soutenu par des délais d'exécution rapides et une fabrication à haut volume qualifiée pour l'automobile améliore encore leur proposition de valeur. ” dit le docteur. Ranbir Singh, Président chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques –

  • La charge de porte la plus basse de l'industrie (Qg) et résistance de grille interne (RG(INT))
  • R le plus basDS(SUR) changer avec la température
  • Faible capacité de sortie (Cnous) et capacité de miller (CDG)
  • 100% avalanche (UIL) testé en production
  • Capacité de résistance aux courts-circuits de pointe
  • Diode de corps rapide et fiable avec un faible VF et Q faibleRR
  • Tension de seuil de porte élevée et stable (VE) dans toutes les conditions de température et de polarisation de drain
  • Technologie d'emballage avancée pour une résistance thermique et une sonnerie plus faibles
  • Uniformité de fabrication de RDS(SUR), VE et tension de claquage (BV)
  • Portefeuille de produits complet et chaîne d'approvisionnement plus sûre avec une fabrication à haut volume qualifiée pour l'automobile

Applications –

  • Solaire (PV) Onduleurs
  • VE / Chargeurs embarqués HEV
  • Serveur & Alimentations Télécom
  • Alimentations sans interruption (UPS)
  • Convertisseurs DC-DC
  • Alimentations à découpage (SMPS)
  • Stockage d'énergie et charge de batterie
  • Chauffage par induction

Tous les MOSFET SiC de GeneSiC Semiconductor sont destinés aux applications automobiles (AEC-q101) et compatible PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&commerce MOSFET SiC

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&commerce MOSFET SiC

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&commerce MOSFET SiC

Pour la fiche technique et d'autres ressources, visite – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ ou contactez sales@genesicsemi.com

Tous les appareils sont disponibles à l'achat auprès de distributeurs agréés – www.genesicsemi.com/sales-support

Electronique Digi-Key

Élément Newark Farnell14

Électronique Mouser

Arrow Electronics

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.

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GeneSiC remporte le prestigieux R&Prix ​​D100 pour le commutateur monolithique à transistor-redresseur basé sur SiC

DULLES, Virginie, décembre 5, 2019 — R&D Magazine a sélectionné GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA en tant que récipiendaire du prestigieux 2019 R&ré 100 Prix ​​pour le développement d'un commutateur monolithique à transistor-redresseur basé sur SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovateur clé dans les dispositifs de puissance à base de carbure de silicium a été honoré en annonçant qu'il a reçu la 2019 R&ré 100 Décerner. Ce prix récompense GeneSiC pour avoir introduit l'un des plus importants, les progrès de la recherche et du développement récemment introduits dans plusieurs disciplines au cours 2018. R&D Magazine a reconnu la technologie de dispositif d'alimentation SiC moyenne tension de GeneSiC pour sa capacité à intégrer de manière monolithique MOSFET et le redresseur Schottky sur une seule puce. Ces capacités obtenues par le dispositif de GeneSiC permettent aux chercheurs en électronique de puissance de développer des systèmes électroniques de puissance de nouvelle génération tels que des onduleurs et des convertisseurs CC-CC. Cela permettra des développements de produits au sein des véhicules électriques, infrastructure de recharge, industries des énergies renouvelables et du stockage d'énergie. GeneSiC a réservé des commandes de plusieurs clients pour la démonstration de matériel électronique de puissance avancé utilisant ces appareils et continue de développer sa famille de produits MOSFET en carbure de silicium. Le R&D sur la première version pour les applications de conversion de puissance ont été développés par le département américain. of Energy et collaboration avec Sandia National Laboratories.

Le concours technologique annuel organisé par R&D Magazine a évalué les entrées de diverses entreprises et acteurs de l'industrie, organismes de recherche et universités du monde entier. Les rédacteurs en chef du magazine et un panel d'experts extérieurs ont servi de juges, évaluer chaque entrée en fonction de son importance pour le monde de la science et de la recherche.

D'après R&Magazine D, gagner un R&ré 100 Le prix fournit une marque d'excellence connue de l'industrie, gouvernement, et le milieu universitaire comme preuve que le produit est l'une des idées les plus innovantes de l'année. Ce prix reconnaît GeneSiC en tant que leader mondial dans la création de produits basés sur la technologie qui font une différence dans notre façon de travailler et de vivre.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière. GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense. GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitantwww.genesicsemi.com.

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nov

DULLES, Virginie, Septembre 28, 2010 - Agence des projets de recherche avancée - Énergie (ARPA-E) a conclu un accord de coopération avec l'équipe dirigée par GeneSiC Semiconductor pour le développement du nouveau carbure de silicium à ultra haute tension (SiC) Dispositifs basés sur les thyristors. Ces dispositifs devraient être des catalyseurs clés pour l'intégration de centrales éoliennes et solaires à grande échelle dans le réseau intelligent de nouvelle génération..

«Ce prix hautement compétitif décerné à GeneSiC nous permettra d'étendre notre position de leader technique dans la technologie du carbure de silicium multi-kV., ainsi que notre engagement en faveur de solutions d'énergie alternative à l'échelle du réseau avec des solutions à semi-conducteurs,»A commenté le Dr. Ranbir Singh, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. «Les thyristors SiC multi-kV que nous développons sont la technologie clé permettant la réalisation de systèmes de transmission CA flexibles (Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau) éléments et haute tension DC (Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau) architectures envisagées vers une, efficace, Smart Grid du futur. Les thyristors à base de SiC de GeneSiC offrent une tension 10 fois plus élevée, 100X fréquences de commutation plus rapides et fonctionnement à température plus élevée dans les solutions de traitement de puissance FACTS et HVDC par rapport aux thyristors conventionnels à base de silicium. »

En avril 2010, GeneSiC a répondu à la livraison agile de la technologie d'alimentation électrique (EXPERT) sollicitation d'ARPA-E qui cherchait à investir dans des matériaux pour des avancées fondamentales dans les commutateurs haute tension qui ont le potentiel de dépasser les performances des convertisseurs de puissance existants tout en offrant des réductions de coûts. La proposition de la société intitulée "Thyristor commuté par anode en carbure de silicium pour la conversion de puissance moyenne tension" a été sélectionnée pour fournir un, état solide, conversion d'énergie moyenne tension pour les applications de haute puissance telles que les sous-stations électriques à semi-conducteurs et les générateurs d'éoliennes. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau 25-30 pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. Les innovations sélectionnées visaient à soutenir et à promouvoir les États-Unis. entreprises par le leadership technologique, grâce à un processus hautement compétitif.

Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur de nouvelle génération avec des propriétés largement supérieures au silicium conventionnel, comme la capacité de gérer dix fois la tension - et cent fois le courant - à des températures aussi élevées que 300 ° C. Ces caractéristiques le rendent parfaitement adapté aux applications de forte puissance telles que les véhicules hybrides et électriques, énergie renouvelable (éolien et solaire) installations, et systèmes de contrôle du réseau électrique.

Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau (>10kV) Carbure de silicium (SiC) Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau >5 Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Compensateurs VAR statiques et compensateurs série. Prix ​​D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau. Parmi les autres applications et avantages prometteurs de ces appareils, citons:

  • Systèmes de gestion de l'alimentation et de conditionnement d'énergie pour la conversion CC moyenne tension recherchés dans le cadre de la capacité navale future (FNC) de l'US Navy, Systèmes de lancement électromagnétiques, systèmes d'armes à haute énergie et imagerie médicale. La capacité de fréquence de fonctionnement 10-100X plus élevée permet des améliorations de taille sans précédent, poids, volume et finalement, coût de tels systèmes.
  • Une variété de stockage d'énergie, applications de physique à haute température et haute énergie. Les applications de stockage d'énergie et de réseau électrique reçoivent une attention croissante alors que le monde se concentre sur des solutions de gestion de l'énergie plus efficaces et plus rentables.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière.

“Nous sommes devenus un chef de file de la technologie SiC à ultra-haute tension en tirant parti de notre compétence de base dans la conception de dispositifs et de processus avec une vaste gamme de fabrication, caractérisation, et installations d'essai,»Conclut le Dr. Singh. «La position de GeneSiC a maintenant été validée par le DOE des États-Unis avec cette importante récompense consécutive.»

À propos de GeneSiC Semiconductor

Stratégiquement situé près de Washington, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SiC) dispositifs. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SJT) pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, DARPA, et le Département de la sécurité intérieure. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, fabrication, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, veuillez visiterwww.genesicsemi.com.