Redresseurs Schottky en carbure de silicium étendus à 3300 Tensions nominales

Assemblages haute tension pour bénéficier de ces redresseurs à faible capacité offrant des courants de récupération inverse nuls indépendants de la température dans des boîtiers isolés

Chutes de la rivière Thief / Dulles, Virginie., Peut 28, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annoncent la disponibilité immédiate de 3300 Redresseurs Schottky SiC V/0,3 Ampère – le GAP3SLT33-220FP. Ce produit unique représente le redresseur SiC à tension la plus élevée du marché, et est spécifiquement destiné aux circuits multiplicateurs de tension et aux assemblages haute tension utilisés dans une large gamme de rayons X, Alimentations pour laser et générateur de particules.3300 Diode Schottky V SiC GeneSiC

Les circuits multiplicateurs de tension contemporains souffrent de faibles rendements de circuit et de grandes tailles car les courants de récupération inverses des redresseurs au silicium déchargent les condensateurs connectés en parallèle. À des températures de jonction de redresseur plus élevées, cette situation s'aggrave car le courant de récupération inverse dans les redresseurs au silicium augmente avec la température. Avec assemblages haute tension à contraintes thermiques, les températures de jonction augmentent assez facilement même lorsque des courants modestes sont passés. Les redresseurs SiC haute tension offrent des caractéristiques uniques qui promettent de révolutionner les ensembles haute tension. GeneSiC 3300 Les redresseurs Schottky V / 0,3 A présentent un courant de récupération inverse nul qui ne change pas avec la température. Cette tension relativement élevée dans un seul appareil permet une réduction des étages de multiplication de tension requis dans les circuits de générateurs à haute tension typiques, grâce à l'utilisation de tensions d'entrée CA plus élevées. Les caractéristiques de commutation quasi idéales permettent l'élimination / la réduction spectaculaire des réseaux d'équilibrage de tension et des circuits d'amortissement. Le boîtier isolé surmoulé TO-220 Full Pack présente un facteur de forme standard de l'industrie avec un espacement accru des broches dans les assemblages à trous traversants.3300 Diode Schottky V SiC SMB GeneSiC

"Cette offre de produits est le fruit d'années d'efforts soutenus chez GeneSiC. Nous croyons que 3300 La cote V est un différenciateur clé pour le marché des générateurs haute tension, et permettra des avantages significatifs à nos clients. Faible FV de GeneSiC, Les redresseurs Schottky SiC à faible capacité permettent à ce produit révolutionnaire” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.

3300 Points forts techniques du redresseur SiC V/0,3 A

  • Chute de 1.7 V à 0.3 UNE
  • Coefficient de température positif sur VF
  • Tjmax = 175OC
  • Charge capacitive 52 NC (typique).

Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/courant nominal et logé dans sans halogène, Norme industrielle TO-220FP conforme à RoHS (Pack complet) paquets. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès du distributeur agréé de GeneSiC, Digikey.

À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristor, ainsi que des produits redresseurs en silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle étendue et des connaissances techniques qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs d'alimentation SiC, avec des produits orientés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans coupure. GeneSiC a obtenu de nombreux contrats de recherche et développement d'agences gouvernementales américaines, y compris l'ARPA-E, Ministère de l'Énergie, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, DARPA, DTRA, et le Département de la sécurité intérieure, ainsi que les principaux entrepreneurs principaux du gouvernement. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix ​​D100 pour la commercialisation de thyristors SiC à ultra-haute tension.

Pour plus d'informations, veuillez visiter www.genesicsemi.com