Circuits et assemblages haute tension pour bénéficier de puces SiC qui offrent des tensions nominales sans précédent et une commutation ultra-rapide
Dulles, Virginie., Nov 7, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annoncent la disponibilité immédiate de 8000 Redresseurs V SiC PiN; 8000 Redresseurs V SiC Schottky, 3300 Redresseurs V SiC Schottky et 6500 Thyristors V SiC au format matrice nue. Ces produits uniques représentent les dispositifs SiC à la tension la plus élevée du marché, et est spécifiquement destiné à l'instrumentation pétrolière et gazière, circuits multiplicateurs de tension et ensembles haute tension.
Les circuits ultra-haute tension contemporains souffrent d'une faible efficacité de circuit et de grandes tailles car les courants de récupération inverse des redresseurs au silicium déchargent les condensateurs connectés en parallèle. À des températures de jonction de redresseur plus élevées, cette situation s'aggrave encore car le courant de récupération inverse dans les redresseurs au silicium augmente avec la température. Avec assemblages haute tension à contraintes thermiques, les températures de jonction augmentent assez facilement même lorsque des courants modestes sont passés. Les redresseurs SiC haute tension offrent des caractéristiques uniques qui promettent de révolutionner les ensembles haute tension. GeneSiC 8000 V et 3300 Les redresseurs V Schottky présentent un courant de récupération inverse nul qui ne change pas avec la température. Cette tension relativement élevée dans un seul appareil permet une réduction des étages de multiplication de tension requis dans les circuits de générateurs à haute tension typiques, grâce à l'utilisation de tensions d'entrée CA plus élevées. Les caractéristiques de commutation quasi idéales permettent l'élimination / la réduction spectaculaire des réseaux d'équilibrage de tension et des circuits d'amortissement. 8000 Les redresseurs V PiN offrent des niveaux de courant plus élevés et des températures de fonctionnement plus élevées. 6500 Des puces V SiC Thyristor sont également disponibles pour accélérer R&D des nouveaux systèmes.
« Ces produits illustrent la forte avance de GeneSiC dans le développement de puces SiC dans les valeurs nominales multi-kV. Nous croyons que 8000 La cote V va au-delà de ce que les appareils au silicium peuvent offrir aux températures nominales, et permettra des avantages significatifs à nos clients. Faible FV de GeneSiC, Les redresseurs et thyristors SiC à faible capacité permettront des avantages au niveau du système qui n'étaient pas possibles auparavant” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.
8000 Points forts techniques du redresseur V/2 A SiC Bare Die PiN
- Tjmax = 210OC
- Courants de fuite inversés < 50 uA à 175OC
- Frais de recouvrement inversés 558 NC (typique).
8000 Points forts techniques du redresseur Schottky V / 50 mA SiC Bare Die
- Capacité totale 25 pF (typique, à -1 V, 25OC).
- Coefficient de température positif sur VF
- Tjmax = 175OC
6500 Points forts techniques de la matrice nue à thyristor V SiC
- Trois offres - 80 Ampères (GA080TH65-CAU); 60 Ampères (GA060TH65-CAU); et 40 Ampères (GA040TH65-CAU)
- Tjmax = 200OC
3300 Points forts techniques du redresseur à matrice nue V/0,3 A SiC
- Chute de 1.7 V à 0.3 UNE
- Coefficient de température positif sur VF
- Tjmax = 175OC
- Charge capacitive 52 NC (typique).
À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristor, ainsi que des produits redresseurs en silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle étendue et des connaissances techniques qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs d'alimentation SiC, avec des produits orientés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans coupure. GeneSiC a obtenu de nombreux contrats de recherche et développement d'agences gouvernementales américaines, y compris l'ARPA-E, Ministère de l'Énergie, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, DARPA, DTRA, et le Département de la sécurité intérieure, ainsi que les principaux entrepreneurs principaux du gouvernement. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix D100 pour la commercialisation de thyristors SiC à ultra-haute tension.
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