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Les MOSFET G3R ™ SiC de GeneSiC présentent des performances de pointe en matière de commutation haute tension pour harnacher des niveaux d'efficacité jamais vus auparavant, fonctionnement à haute température et fiabilité du système.
Caractéristiques:
- Technologie G3R ™ pour +15 V Gate Drive
- Supérieur Qg x RDS(SUR) Symbole de mérite
- Faibles capacités de charge et de l'appareil
- Faibles pertes de conduction à haute température
- Robustesse supérieure aux avalanches et aux courts-circuits
- Fonctionnement stable normalement éteint jusqu'à 175 ° C
- Diode de corps rapide et fiable
- Emballage optimisé avec connexion à la source Kelvin
Avantages:
- Indice coût-performance supérieur
- Augmentation de la densité de puissance pour un système compact
- R interne faibleg pour un fonctionnement à haute fréquence de commutation
- Réduction des pertes pour une meilleure efficacité du système
- Sonnerie de porte minimisée
- Capacités thermiques améliorées
- Simple à conduire
- Facilité de mise en parallèle sans fugue thermique
Applications:
- Véhicules électriques - Groupe motopropulseur et recharge
- Onduleurs solaires et stockage d'énergie
- Smart Grid et HVDC
- Entraînements à moteur
- Convertisseurs CC-CC et CA-CC haute tension
- Chauffage et soudage par induction
- Alimentations à découpage
- Applications de puissance pulsée
750V SiC MOSFET
| Sur la résistance, RDS(SUR) | Puce nue | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |
|
| 10 mΩ | G3R10MT07-CAL | |||
| 12 mΩ | G4R12MT07-CAU | |||
| 60 mΩ | G3R60MT07J | G3R60MT07D | G3R60MT07K |
1200V SiC MOSFET
| Sur la résistance, RDS(SUR) | Puce nue | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |  |
|
| 10 mΩ | G4R10MT12-CAU | ||||
| 12 mΩ | G3R12MT12-CAL | G3R12MT12K | |||
| 20 mΩ | G3R20MT12-CAL | G3R20MT12K | G3R20MT12N | ||
| 30 mΩ | G3R30MT12-CAL | G3R30MT12J | G3R30MT12K | ||
| 40 mΩ | G3R40MT12J | G3R40MT12D | G3R40MT12K | ||
| 75 mΩ | G3R75MT12J | G3R75MT12D | G3R75MT12K | ||
| 160 mΩ | G3R160MT12J | G3R160MT12D | |||
| 350 mΩ | G3R350MT12J | G3R350MT12D |
1700V SiC MOSFET
| Sur la résistance, RDS(SUR) | Puce nue | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
| | | | |
|
| 20 mΩ | G3R20MT17-CAL | G3R20MT17K | G3R20MT17N | ||
| 45 mΩ | G3R45MT17-CAL | G3R45MT17D | G3R45MT17K | ||
| 160 mΩ | G3R160MT17J | G3R160MT17D | |||
| 450 mΩ | G3R450MT17J | G3R450MT17D | |||
| 1000 mΩ | G2R1000MT17J | G2R1000MT17D |
3300V SiC MOSFET
| Sur la résistance, RDS(SUR) | Puce nue | TO-263-7 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|
| | |
|
| 50 mΩ | G2R50MT33-CAL | G2R50MT33K | |
| 120 mΩ | G2R120MT33J | ||
| 1000 mΩ | G2R1000MT33J |
6500V SiC MOSFET
| Sur la résistance, RDS(SUR) | Puce nue |
|---|---|
|
|
| 300 mΩ | G2R300MT65-CAL |
| 325 mΩ | G2R325MS65-CAL |
