Corrélation entre la durée de vie de la recombinaison des porteuses et la chute de tension directe dans les diodes 4H-SiC PiN
15 Les diodes kV SiC PiN atteignent 95% de limite d'avalanche et de fonctionnement stable à long terme
AN-2 1200 Diodes V SiC JBS avec charge de récupération inverse capacitive ultra-faible pour les applications à commutation rapide
Les MOSFET SiC 6,5 kV de GeneSiC, leaders du secteur – l'avant-garde d'une nouvelle vague d'applications