1200 Transistors de jonction V SiC « Super » fonctionnant à 250 °C avec des pertes d'énergie extrêmement faibles pour les applications de conversion de puissance
Caractérisation de la stabilité du gain de courant et du fonctionnement en mode avalanche des BJT 4H-SiC
Transistors à jonction en carbure de silicium et redresseurs Schottky optimisés pour un fonctionnement à 250 °C
Transistors à jonction SiC à maturation rapide avec gain de courant (b) > 130, Tensions de blocage jusqu'à 2700 V et fonctionnement stable à long terme
Caractéristiques statiques et de commutation de 1200 Transistors à jonction V SiC avec redresseurs Schottky intégrés sur puce