Transistors à jonction SiC à maturation rapide avec gain de courant (b) > 130, Tensions de blocage jusqu'à 2700 V et fonctionnement stable à long terme
Caractéristiques statiques et de commutation de 1200 Transistors à jonction V SiC avec redresseurs Schottky intégrés sur puce
200 Transistors de jonction V SiC « Super » fonctionnant à 250 °C avec des pertes d'énergie extrêmement faibles pour les applications de conversion de puissance
Transistors à jonction en carbure de silicium et redresseurs Schottky optimisés pour un fonctionnement à 250 °C
Prix D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau