Prix D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau, Prix D100 pour les dispositifs SiC dans les applications d'énergie solaire et éolienne connectées au réseau
DULLES, Virginie, Novembre 1, 2010 –Dans une offre unique en son genre, GeneSiC Semiconductor announces the availability of a family of 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors for use in power…
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DULLES, Virginie, Septembre 28, 2010 - Agence des projets de recherche avancée - Énergie (ARPA-E) has entered into a Cooperative Agreement with the GeneSiC Semiconductor-led team towards the development of the novel…
L'énergie renouvelable permet à GeneSiC Semiconductor de gagner 1,5 million de dollars du département américain de l'Énergie
DULLES, Virginie, Novembre 12, 2008 – Le département américain de l'Énergie a accordé à GeneSiC Semiconductor deux subventions distinctes totalisant 1,5 million de dollars pour le développement de carbure de silicium haute tension (SiC) devices that…
GeneSiC Semiconductor reçoit plusieurs subventions SBIR et STTR du département américain de l'Énergie
DULLES, Virginie, Octobre 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., un innovateur en plein essor de la haute température, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SiC) dispositifs, announced that is has been awarded three separate…
