Versions GeneSiC 25 Transistors au carbure de silicium mOhm/1700 V

Commutateurs SiC offrant les pertes de conduction les plus faibles et une capacité de court-circuit supérieure libérés pour les circuits d'alimentation haute fréquence

Dulles, Virginie., oct 28, 2014 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate d'une famille de 1700V à faible résistance passante et 1200 Transistors à jonction V SiC en boîtiers TO-247. L'utilisation de la haute tension, haute fréquence, Les transistors de jonction SiC à haute température et à faible résistance à l'état passant augmenteront l'efficacité de conversion et réduiront la taille/le poids/le volume des applications d'électronique de puissance nécessitant des tensions de bus plus élevées. Ces dispositifs sont destinés à être utilisés dans une grande variété d'applications, y compris les micro-réseaux CC, Chargeurs rapides pour véhicules, serveur, alimentations télécoms et réseaux, alimentations sans interruption, onduleurs solaires, Systèmes d'énergie éolienne, et systèmes de commande de moteurs industriels.

Transistors de jonction SiC (SJT) offerts par GeneSiC présentent une capacité de commutation ultra-rapide (similaire à celui des MOSFET SiC), une zone de fonctionnement sûre à polarisation inverse carrée (RBSOA), ainsi que des pertes d'énergie transitoires et des temps de commutation indépendants de la température. Ces commutateurs sont sans oxyde de grille, normalement éteint, présenter un coefficient de température positif de résistance à l'état passant, et sont capables d'être conduits par des conducteurs de portes commerciales, contrairement aux autres commutateurs SiC. Les avantages uniques du SJT par rapport aux autres commutateurs SiC sont sa fiabilité à long terme plus élevée, >10 capacité de court-circuit usec, et une capacité d'avalanche supérieure

“Ces SJT améliorés offrent des gains de courant beaucoup plus élevés (>100), performances très stables et robustes par rapport aux autres commutateurs SiC. Les SJT de GeneSiC offrent des pertes de conduction extrêmement faibles aux courants nominaux en tant que pertes de coupure supérieures dans les circuits d'alimentation. Utilisation de l'appareil unique et des innovations de fabrication, Les produits Transistor de GeneSiC aident les concepteurs à obtenir une solution plus robuste,” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.

1700 Transistor de jonction V SiC libéré

• 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
• Gain actuel (h_EF) >90
• T_jmax = 175^OC
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <30 nanosecondes typique.

1200 Transistor de jonction V SiC libéré

• 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
• Gain actuel (h_EF) >90
• T_jmax = 175^OC
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <30 nanosecondes typique.

Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/courant nominal et logé dans sans halogène, Paquets TO-247 conformes RoHS. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès des distributeurs agréés GeneSiC.

Pour plus d'informations, veuillez visiter https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/