Transistors et redresseurs SiC haute température à usage général offerts à faible coût

Haute température (>210^OC) Les transistors et redresseurs de jonction dans des boîtiers métalliques de petit facteur de forme offrent des avantages de performances révolutionnaires pour une variété d'applications, y compris l'amplification, circuits à faible bruit et commandes d'actionneur de fond de trou

DULLES, Virginie, Mars 9, 2015 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate d'une gamme de, Transistors à jonction SiC haute température ainsi qu'une ligne de redresseurs dans des boîtiers métalliques TO-46. Ces composants discrets sont conçus et fabriqués pour fonctionner à des températures ambiantes supérieures à 215^OC. L'utilisation de haute température, Les transistors et redresseurs SiC à haute tension et à faible résistance à l'état passant réduiront la taille/le poids/le volume des applications électroniques nécessitant une gestion de puissance plus élevée à des températures élevées. Ces dispositifs sont destinés à être utilisés dans une grande variété d'applications, y compris une grande variété de circuits de fond de puits, instrumentation géothermique, actionnement du solénoïde, amplification à usage général, et alimentations à découpage.

Transistors à jonction SiC haute température (SJT) offert par GeneSiC présente des temps de montée/descente inférieurs à 10 nsec permettant >10 Commutation MHz ainsi qu'une zone de fonctionnement sûre à polarisation inverse carrée (RBSOA). Les pertes d'énergie transitoires et les temps de commutation sont indépendants de la température de jonction. Ces commutateurs sont sans oxyde de grille, normalement éteint, présenter un coefficient de température positif de résistance à l'état passant, et sont capables d'être entraînés par 0/+5 Pilotes de porte V TTL, contrairement aux autres commutateurs SiC. Les avantages uniques du SJT par rapport aux autres commutateurs SiC sont sa fiabilité à long terme plus élevée, >20 capacité de court-circuit usec, et une capacité d'avalanche supérieure. Ces appareils peuvent être utilisés comme amplificateurs efficaces car ils promettent une linéarité bien plus élevée que tout autre commutateur SiC.

Les redresseurs SiC Schottky à haute température proposés par GeneSiC présentent de faibles chutes de tension à l'état passant, et les courants de fuite les plus bas de l'industrie à des températures élevées. Avec température indépendante, caractéristiques de commutation de récupération inverse proches de zéro, Les redresseurs SiC Schottky sont des candidats idéaux pour une utilisation à haut rendement, circuits haute température. Les emballages de boîtes métalliques TO-46 ainsi que les processus d'emballage associés utilisés pour créer ces produits permettent une utilisation à long terme où une fiabilité élevée est critique.

“Les produits Transistor et Rectifier de GeneSiC sont conçus et fabriqués à partir de zéro pour permettre un fonctionnement à haute température. Ces SJT compacts TO-46 offrent des gains de courant élevés (>110), 0/+5 Contrôle TTL, et des performances robustes. Ces appareils offrent de faibles pertes de conduction et une linéarité élevée. Nous concevons notre gamme de redresseurs « SHT », offrir de faibles courants de fuite à haute température. Ces produits emballés dans des boîtes métalliques complètent nos produits TO-257 et CMS métalliques lancés l'année dernière pour offrir un petit facteur de forme, solutions résistantes aux vibrations” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.

Les produits lancés aujourd'hui comprennent:

240 Transistors de jonction SiC mOhm:

• 300 V tension de blocage. Numéro d'article GA05JT03-46
• 100 V tension de blocage. Numéro d'article GA05JT01-46
• Gain actuel (h_EF) >110
• T_jmax = 210^OC
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <10 nanosecondes typique.

Jusqu'à 4 Diodes Schottky Ampère Haute Température:

• 600 V tension de blocage. Numéro d'article GB02SHT06-46
• 300 V tension de blocage. Numéro d'article GB02SHT03-46
• 100 V tension de blocage. Numéro d'article GB02SHT01-46
• Charge capacitive totale 9 NC
• T_jmax = 210^OC.

Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/courant nominal et logé dans des boîtiers métalliques TO-46. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès des distributeurs agréés GeneSiC.

À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristor, ainsi que des modules à diodes silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle étendue et des connaissances techniques qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs d'alimentation SiC, avec des produits orientés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier en fond de trou, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans coupure. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix ​​D100 pour la commercialisation de thyristors SiC à ultra-haute tension.

Pour plus d'informations, veuillez visiter https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; et https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.