Catégorie: Nouvelles

Combinaison transistor-diode SiC co-emballée dans un boîtier robuste, isolé, 4-plombé, l'emballage mini-module réduit les pertes d'énergie à la mise sous tension et permet des conceptions de circuits flexibles pour les convertisseurs de puissance haute fréquence

DULLES, Virginie, Peut 13, 2015 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate de 20 mOhm-1200 V SiC jonction transistor-diodes dans un isolé, 4-Emballage mini-module au plomb qui permet des pertes d'énergie de mise en marche extrêmement faibles tout en offrant une flexibilité, conceptions modulaires dans les convertisseurs de puissance à haute fréquence. L'utilisation de la haute fréquence, Les transistors et redresseurs SiC à haute tension et à faible résistance à l'état passant réduiront la taille/le poids/le volume des applications électroniques nécessitant une gestion de puissance plus élevée à des fréquences de fonctionnement élevées. Ces appareils sont destinés à être utilisés dans une grande variété d'applications, y compris les appareils de chauffage à induction, générateurs de plasma, chargeurs rapides, Convertisseurs DC-DC, et alimentations à découpage.

Transistors de jonction SiC co-packagés (SJT)-Les redresseurs SiC proposés par GeneSiC sont uniquement applicables aux applications de commutation inductive, car les SJT sont les seuls commutateurs à large bande interdite >10 capacité de court-circuit répétitif microsec, même à 80% des tensions nominales (par exemple. 960 V pour un 1200 V appareil). En plus des temps de montée/descente inférieurs à 10 ns et d'une zone de fonctionnement sûre à polarisation inverse carrée (RBSOA), le terminal Gate Return dans la nouvelle configuration améliore considérablement la capacité de réduire les énergies de commutation. Cette nouvelle classe de produits offre des pertes d'énergie transitoires et des temps de commutation indépendants de la température de jonction. Les transistors de jonction SiC de GeneSiC sont sans oxyde de grille, normalement éteint, présenter un coefficient de température positif de résistance à l'état passant, et sont capables d'être entraînés à de faibles tensions de grille, contrairement aux autres commutateurs SiC.
Les redresseurs SiC Schottky utilisés dans ces mini-modules présentent de faibles chutes de tension à l'état passant, bonnes valeurs nominales de courant de surtension et courants de fuite les plus faibles de l'industrie à des températures élevées. Avec température indépendante, caractéristiques de commutation de récupération inverse proches de zéro, Les redresseurs SiC Schottky sont des candidats idéaux pour une utilisation dans des circuits à haut rendement.
“Les produits SiC Transistor et Rectifier de GeneSiC sont conçus et fabriqués pour réaliser de faibles pertes à l'état passant et de commutation. Une combinaison de ces technologies dans un package innovant promet des performances exemplaires dans les circuits d'alimentation exigeant des dispositifs à large bande interdite. L'emballage du mini-module offre une grande flexibilité de conception pour une utilisation dans une variété de circuits d'alimentation comme H-Bridge, Onduleurs Flyback et multi-niveaux” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.
Le produit sorti aujourd'hui comprend
20 Transistor/Redresseur à jonction SiC mOhm/1200 V (GA50SICP12-227):
• Ensemble SOT-227/mini-bloc/Isotop isolé
• Gain de courant de transistor (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (limité par l'emballage)
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <10 nanosecondes typique.

Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/courant nominal. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès de GeneSiC Distributeurs autorisés.

Pour plus d'informations, veuillez visiter: https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-modules-copack/

À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristor, ainsi que des modules à diodes silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle étendue et des connaissances techniques qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs d'alimentation SiC, avec des produits orientés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier en fond de trou, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans coupure. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix ​​D100 pour la commercialisation de thyristors SiC à ultra-haute tension.

Haute température (>210^OC) Les transistors et redresseurs de jonction dans des boîtiers métalliques de petit facteur de forme offrent des avantages de performances révolutionnaires pour une variété d'applications, y compris l'amplification, circuits à faible bruit et commandes d'actionneur de fond de trou

DULLES, Virginie, Mars 9, 2015 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate d'une gamme de, Transistors à jonction SiC haute température ainsi qu'une ligne de redresseurs dans des boîtiers métalliques TO-46. Ces composants discrets sont conçus et fabriqués pour fonctionner à des températures ambiantes supérieures à 215^OC. L'utilisation de haute température, Les transistors et redresseurs SiC à haute tension et à faible résistance à l'état passant réduiront la taille/le poids/le volume des applications électroniques nécessitant une gestion de puissance plus élevée à des températures élevées. Ces dispositifs sont destinés à être utilisés dans une grande variété d'applications, y compris une grande variété de circuits de fond de puits, instrumentation géothermique, actionnement du solénoïde, amplification à usage général, et alimentations à découpage.

Transistors à jonction SiC haute température (SJT) offert par GeneSiC présente des temps de montée/descente inférieurs à 10 nsec permettant >10 Commutation MHz ainsi qu'une zone de fonctionnement sûre à polarisation inverse carrée (RBSOA). Les pertes d'énergie transitoires et les temps de commutation sont indépendants de la température de jonction. Ces commutateurs sont sans oxyde de grille, normalement éteint, présenter un coefficient de température positif de résistance à l'état passant, et sont capables d'être entraînés par 0/+5 Pilotes de porte V TTL, contrairement aux autres commutateurs SiC. Les avantages uniques du SJT par rapport aux autres commutateurs SiC sont sa fiabilité à long terme plus élevée, >20 capacité de court-circuit usec, et une capacité d'avalanche supérieure. Ces appareils peuvent être utilisés comme amplificateurs efficaces car ils promettent une linéarité bien plus élevée que tout autre commutateur SiC.

Les redresseurs SiC Schottky à haute température proposés par GeneSiC présentent de faibles chutes de tension à l'état passant, et les courants de fuite les plus bas de l'industrie à des températures élevées. Avec température indépendante, caractéristiques de commutation de récupération inverse proches de zéro, Les redresseurs SiC Schottky sont des candidats idéaux pour une utilisation à haut rendement, circuits haute température. Les emballages de boîtes métalliques TO-46 ainsi que les processus d'emballage associés utilisés pour créer ces produits permettent une utilisation à long terme où une fiabilité élevée est critique.

“Les produits Transistor et Rectifier de GeneSiC sont conçus et fabriqués à partir de zéro pour permettre un fonctionnement à haute température. Ces SJT compacts TO-46 offrent des gains de courant élevés (>110), 0/+5 Contrôle TTL, et des performances robustes. Ces appareils offrent de faibles pertes de conduction et une linéarité élevée. Nous concevons notre gamme de redresseurs « SHT », offrir de faibles courants de fuite à haute température. Ces produits emballés dans des boîtes métalliques complètent nos produits TO-257 et CMS métalliques lancés l'année dernière pour offrir un petit facteur de forme, solutions résistantes aux vibrations” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.

Les produits lancés aujourd'hui comprennent:

240 Transistors de jonction SiC mOhm:

• 300 V tension de blocage. Numéro d'article GA05JT03-46
• 100 V tension de blocage. Numéro d'article GA05JT01-46
• Gain actuel (h_EF) >110
• T_jmax = 210^OC
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <10 nanosecondes typique.

Jusqu'à 4 Diodes Schottky Ampère Haute Température:

• 600 V tension de blocage. Numéro d'article GB02SHT06-46
• 300 V tension de blocage. Numéro d'article GB02SHT03-46
• 100 V tension de blocage. Numéro d'article GB02SHT01-46
• Charge capacitive totale 9 NC
• T_jmax = 210^OC.

Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/courant nominal et logé dans des boîtiers métalliques TO-46. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès des distributeurs agréés GeneSiC.

À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristor, ainsi que des modules à diodes silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle étendue et des connaissances techniques qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs d'alimentation SiC, avec des produits orientés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier en fond de trou, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans coupure. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix ​​D100 pour la commercialisation de thyristors SiC à ultra-haute tension.

Pour plus d'informations, veuillez visiter https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; et https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

La carte de commande de grille optimisée pour des vitesses de commutation élevées et des modèles basés sur le comportement permettent aux ingénieurs de conception en électronique de puissance de vérifier et de quantifier les avantages des SJT dans l'évaluation au niveau de la carte et la simulation de circuits

DULLES, VIRGINIE., Nov 19, 2014 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate de la carte d'évaluation Gate Driver et a étendu sa prise en charge de la conception pour les commutateurs aux pertes les plus faibles de l'industrie - le transistor de jonction SiC (SJT) – avec un modèle LTSPICE IV entièrement qualifié. Utilisation de la nouvelle carte Gate Driver, les concepteurs de circuits de conversion de puissance peuvent vérifier les avantages de moins de 15 nanosecondes, caractéristiques de commutation indépendantes de la température des transistors à jonction SiC, avec de faibles pertes de puissance du conducteur. Intégration des nouveaux modèles SPICE, les concepteurs de circuits peuvent facilement évaluer les avantages que les SJT de GeneSiC offrent pour atteindre un niveau d'efficacité plus élevé que ce qui est possible avec des dispositifs de commutation de puissance au silicium conventionnels pour des dispositifs de classe comparable.

Les transistors à jonction SiC ont des caractéristiques très différentes de celles des autres technologies de transistors SiC, ainsi que des transistors au silicium. Des cartes de commande de grille pouvant fournir de faibles pertes de puissance tout en offrant des vitesses de commutation élevées étaient nécessaires pour fournir des solutions d'entraînement permettant d'utiliser les avantages des transistors à jonction SiC. GeneSiC est entièrement isolé GA03IDDJT30-FR4 La carte de commande de porte prend en charge 0/12 V et un signal TTL pour conditionner de manière optimale les formes d'onde de tension/courant requises pour fournir de petits temps de montée/descente, tout en minimisant l'exigence de courant continu pour maintenir le SJT normalement éteint conducteur pendant l'état activé. La configuration des broches et les facteurs de forme sont similaires à ceux des autres transistors SiC. GeneSiC a également publié des fichiers Gerber et des nomenclatures aux utilisateurs finaux pour leur permettre d'intégrer les avantages des innovations de conception de pilotes réalisées.

Les SJT offrent des caractéristiques d'état passant et de commutation qui se comportent bien, facilitant la création de modèles SPICE basés sur le comportement qui s'accordent remarquablement bien avec les modèles physiques sous-jacents. Utiliser des modèles basés sur la physique bien établis et compris, Les paramètres SPICE ont été publiés après des tests approfondis avec le comportement de l'appareil. Les modèles SPICE de GeneSiC sont comparés aux données mesurées expérimentalement sur toutes les fiches techniques de l'appareil et sont applicables à tous 1200 V et 1700 Sortie des transistors à jonction V SiC.
Les SJT de GeneSiC sont capables de fournir des fréquences de commutation supérieures à 15 fois plus élevé que les solutions à base d'IGBT. Leurs fréquences de commutation plus élevées peuvent permettre des éléments magnétiques et capacitifs plus petits, réduisant ainsi la taille globale, poids et coût des systèmes électroniques de puissance.

Ce modèle SPICE de transistor à jonction SiC s'ajoute à la suite complète d'outils d'aide à la conception de GeneSiC, documentation technique, et des informations sur la fiabilité pour fournir aux ingénieurs en électronique de puissance les ressources de conception nécessaires pour mettre en œuvre la gamme complète de transistors et de redresseurs à jonction SiC de GeneSiC dans la prochaine génération de systèmes d'alimentation.

Les fiches techniques Gate Driver Board de GeneSiC et les modèles SJT SPICE peuvent être téléchargés à partir de https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

Commutateurs SiC offrant les pertes de conduction les plus faibles et une capacité de court-circuit supérieure libérés pour les circuits d'alimentation haute fréquence

Dulles, Virginie., oct 28, 2014 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate d'une famille de 1700V à faible résistance passante et 1200 Transistors à jonction V SiC en boîtiers TO-247. L'utilisation de la haute tension, haute fréquence, Les transistors de jonction SiC à haute température et à faible résistance à l'état passant augmenteront l'efficacité de conversion et réduiront la taille/le poids/le volume des applications d'électronique de puissance nécessitant des tensions de bus plus élevées. Ces dispositifs sont destinés à être utilisés dans une grande variété d'applications, y compris les micro-réseaux CC, Chargeurs rapides pour véhicules, serveur, alimentations télécoms et réseaux, alimentations sans interruption, onduleurs solaires, Systèmes d'énergie éolienne, et systèmes de commande de moteurs industriels.

Transistors de jonction SiC (SJT) offerts par GeneSiC présentent une capacité de commutation ultra-rapide (similaire à celui des MOSFET SiC), une zone de fonctionnement sûre à polarisation inverse carrée (RBSOA), ainsi que des pertes d'énergie transitoires et des temps de commutation indépendants de la température. Ces commutateurs sont sans oxyde de grille, normalement éteint, présenter un coefficient de température positif de résistance à l'état passant, et sont capables d'être conduits par des conducteurs de portes commerciales, contrairement aux autres commutateurs SiC. Les avantages uniques du SJT par rapport aux autres commutateurs SiC sont sa fiabilité à long terme plus élevée, >10 capacité de court-circuit usec, et une capacité d'avalanche supérieure

“Ces SJT améliorés offrent des gains de courant beaucoup plus élevés (>100), performances très stables et robustes par rapport aux autres commutateurs SiC. Les SJT de GeneSiC offrent des pertes de conduction extrêmement faibles aux courants nominaux en tant que pertes de coupure supérieures dans les circuits d'alimentation. Utilisation de l'appareil unique et des innovations de fabrication, Les produits Transistor de GeneSiC aident les concepteurs à obtenir une solution plus robuste,” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.

1700 Transistor de jonction V SiC libéré

• 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
• Gain actuel (h_EF) >90
• T_jmax = 175^OC
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <30 nanosecondes typique.

1200 Transistor de jonction V SiC libéré

• 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
• Gain actuel (h_EF) >90
• T_jmax = 175^OC
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <30 nanosecondes typique.

Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/courant nominal et logé dans sans halogène, Paquets TO-247 conformes RoHS. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès des distributeurs agréés GeneSiC.

Pour plus d'informations, veuillez visiter https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

Le transistor et les redresseurs SiC de GeneSiC offrent des avantages significatifs pour atteindre les objectifs de la Défi de la petite boîte

L'état de l'art. Transistors de puissance au carbure de silicium & Redresseurs. Disponible. À présent!

GeneSiC dispose d'un large portefeuille de produits disponibles dès maintenant dans le monde entier auprès des meilleurs distributeurs

Puce de matrice nue forme de dispositifs SiC disponibles directement de l'usine (veuillez remplir le formulaire ci-dessous)

Discret SJT et Redresseurs dans les cotes de température commerciales (175°C)

Discret Coup SJTsable Redresseurs HiT en haute température (jusqu'à 250°C)

GeneSiC offre la plus grande variété de produits SiC - dans des produits emballés ainsi que sous forme de puces nues pour permettre une plus grande flexibilité de conception et d'innovation. GeneSiC s'efforce en permanence de garder une longueur d'avance en introduisant de nouveaux, produits innovants. Si vous ne voyez pas le produit exact que vous recherchez aujourd'hui, vous pouvez le voir dans un proche avenir.

La promesse d'une température élevée dans les transistors SiC réalisée grâce à des boîtiers compatibles aux normes de l'industrie améliorera considérablement les actionneurs et les alimentations de fond et aérospatiaux

Dulles, Virginie., déc 10, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semiconducteurs de puissance annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate via ses distributeurs et directement une famille emballée haute température 600 Transistors à jonction V SiC (SJT) dans le 3-50 Ampères courants nominaux dans les boîtiers à montage traversant et en surface conformes aux normes de l'industrie JEDEC. Incorporant ces hautes températures, faible résistance à l'enclenchement, Transistors SiC haute fréquence en boîtiers hermétiques, les soudures et l'encapsulation à haute température augmenteront l'efficacité de conversion et réduiront la taille/le poids/le volume des applications de conversion de puissance à haute température.

Alimentation haute température contemporaine, les circuits de commande de moteur et d'actionneur utilisés dans les applications pétrolières/gazeuses/de fond et aérospatiales souffrent du manque de disponibilité d'une solution viable de carbure de silicium à haute température. Les transistors au silicium souffrent d'une faible efficacité de circuit et de grandes tailles car ils souffrent de courants de fuite élevés et de faibles caractéristiques de commutation médiocres. Ces deux paramètres s'aggravent à des températures de jonction plus élevées. Avec des environnements thermiquement contraints, les températures de jonction augmentent assez facilement même lorsque des courants modestes sont passés. Les transistors SiC hermétiquement emballés offrent des caractéristiques uniques qui promettent de révolutionner la capacité des applications de fond de trou et aérospatiales. GeneSiC 650 Les transistors à jonction SiC V/3-50 A présentent des temps de commutation proches de zéro qui ne changent pas avec la température. La 210^OLes dispositifs à température nominale de jonction C offrent des marges de température relativement importantes pour les applications fonctionnant dans des environnements extrêmes.

Les transistors de jonction proposés par GeneSiC présentent une capacité de commutation ultra-rapide, une zone de fonctionnement sûre à polarisation inverse carrée (RBSOA), ainsi que des pertes d'énergie transitoires et des temps de commutation indépendants de la température. Ces commutateurs sont sans oxyde de grille, normalement éteint, présenter un coefficient de température positif de résistance à l'état passant, et sont capables d'être motivés par des impératifs commerciaux, couramment disponible 15 Pilotes de grille V IGBT, contrairement aux autres commutateurs SiC. Tout en offrant une compatibilité avec les pilotes SiC JFET, Les transistors à jonction SiC peuvent être facilement mis en parallèle en raison de leurs caractéristiques transitoires correspondantes.

“Alors que les concepteurs d'applications de fond de puits et aérospatiales continuent de repousser les limites de la fréquence de fonctionnement, tout en exigeant des rendements de circuit élevés, ils ont besoin de commutateurs SiC qui peuvent offrir un standard de performance, fiabilité et uniformité de production. Utilisation de l'appareil unique et des innovations de fabrication, Les produits SJT de GeneSiC aident les concepteurs à réaliser tout cela dans une solution plus robuste. Ces produits complètent le redresseur hermétique SiC commercialisé l'année dernière par GeneSiC, et les produits à matrice nue sortis plus tôt cette année, tout en ouvrant la voie pour nous offrir une température élevée, faible inductance, modules de puissance dans un futur proche ” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.

TO-257 isolé avec 600 Dans les SJT:

• 65 mOhms/20 ampères (2N7639-GA); 170 mOhms/8 A (2N7637-GA); et 425 mOhms/4 A (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^OC
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <50 nanosecondes typique.
• Matrice nue correspondante GA20JT06-CAL (dans 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (dans 2N7637-GA); et GA05JT06-CAL (dans 2N7635-GA)

Paquet de prototype TO-258 non isolé avec 600 SJT

• 25 mOhms/50 ampères (Paquet prototype GA50JT06-258)
• T_jmax = 210^OC
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <50 nanosecondes typique.
• Matrice nue correspondante GA50JT06-CAL (dans GA50JT06-258)

Montage en surface TO-276 (CMS0.5) avec 600 SJT

• 65 mOhms/20 ampères (2N7640-GA); 170 mOhms/8 A (2N7638-GA); et 425 mOhms/4 A (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^OC
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <50 nanosecondes typique.

Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/intensité nominale et logé dans des boîtiers hermétiques. Le support technique et les modèles de circuits SPICE sont offerts. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès de GeneSiC Directement et/ou via ses Distributeurs Agréés.

À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristor, ainsi que des produits redresseurs en silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle étendue et des connaissances techniques qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs d'alimentation SiC, avec des produits orientés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans coupure. GeneSiC a obtenu de nombreux contrats de recherche et développement d'agences gouvernementales américaines, y compris l'ARPA-E, Ministère de l'Énergie, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, DARPA, DTRA, et le Département de la sécurité intérieure, ainsi que les principaux entrepreneurs principaux du gouvernement. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix ​​D100 pour la commercialisation de thyristors SiC à ultra-haute tension.

Pour plus d'informations, veuillez visiter https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

Haute tension, Diodes SiC Schottky sans récupération inverse pour activer de manière critique les onduleurs solaires et les assemblages haute tension en offrant les capacités de montage en surface les plus petites

Dulles, Virginie., Nov 19, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) Power Semiconductors annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate d'une famille de PME standard (JEDEC DO-214AA) redresseurs SiC emballés dans le 650 - 3300 Gamme V. Incorporant ces haute tension, sans récupération inverse, Les diodes SiC à haute fréquence et haute température augmenteront l'efficacité de la conversion et réduiront la taille / le poids / le volume des assemblages multi-kV. Ces produits sont destinés aux micro-onduleurs solaires ainsi qu'aux circuits multiplicateurs de tension utilisés dans une large gamme de rayons X, Alimentations pour laser et générateur de particules.

Les onduleurs micro-solaires contemporains et les circuits multiplicateurs de tension peuvent souffrir de faibles rendements de circuit et de grandes tailles en raison des courants de récupération inversés des redresseurs au silicium.. À des températures de jonction de redresseur plus élevées, cette situation s'aggrave car le courant de récupération inverse dans les redresseurs au silicium augmente avec la température. Avec assemblages haute tension à contraintes thermiques, les températures de jonction augmentent assez facilement même lorsque des courants modestes sont passés. Les redresseurs SiC haute tension offrent des caractéristiques uniques qui promettent de révolutionner les micro-onduleurs solaires et les assemblages haute tension. GeneSiC 650 V / 1 A; 1200 V / 2 A et 3300 Les redresseurs Schottky V / 0,3 A présentent un courant de récupération inverse nul qui ne change pas avec la température. La 3300 Les appareils évalués en V offrent une tension relativement élevée dans un seul appareil permettant une réduction des étages de multiplication de tension requis dans les circuits de générateur haute tension typiques, grâce à l'utilisation de tensions d'entrée CA plus élevées. Les caractéristiques de commutation quasi idéales permettent l'élimination / la réduction spectaculaire des réseaux d'équilibrage de tension et des circuits d'amortissement. La PME (DO-214AA) le boîtier surmoulé présente un facteur de forme standard pour les assemblages de montage en surface.

«Ces offres de produits sont le fruit d’années d’efforts de développement soutenus chez GeneSiC pour proposer des appareils et des packages convaincants.. Nous pensons que le facteur de forme SMB est un différenciateur clé pour le marché des micro-onduleurs solaires et multiplicateur de tension, et permettra des avantages significatifs à nos clients. Faible FV de GeneSiC, Les redresseurs SiC Schottky à faible capacité et les boîtiers SMB améliorés permettent ce produit révolutionnaire” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.

1200 Diode Schottky V / 2 A SMB SiC (GB02SLT12-214) Faits saillants techniques

• VF typique = 1.5 V
• T_jmax = 175^OC
• Charge de récupération inversée = 14 NC.

3300 Diode Schottky V / 0,3 A SMB SiC (GAP3SLT33-214) Faits saillants techniques

• VF typique = 1.7 V
• T_jmax = 175^OC
• Charge de récupération inversée = 52 NC.

650 Diode Schottky V / 1 A SMB SiC (GB01SLT06-214) Faits saillants techniques

• VF typique = 1.5 V
• T_jmax = 175^OC
• Charge de récupération inversée = 7 NC.

Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/courant nominal et logé dans sans halogène, SMB conforme RoHS (DO-214AA) paquets. Le support technique et les modèles de circuits SPICE sont offerts. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès des distributeurs agréés GeneSiC.

À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristor, ainsi que des produits redresseurs en silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle étendue et des connaissances techniques qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs d'alimentation SiC, avec des produits orientés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans coupure. GeneSiC a obtenu de nombreux contrats de recherche et développement d'agences gouvernementales américaines, y compris l'ARPA-E, Ministère de l'Énergie, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, DARPA, DTRA, et le Département de la sécurité intérieure, ainsi que les principaux entrepreneurs principaux du gouvernement. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix ​​D100 pour la commercialisation de thyristors SiC à ultra-haute tension.

Pour plus d'informations, veuillez visiter https://192.168.88.14/index.php / produits-sic / schottky

Assemblages haute tension pour bénéficier de ces redresseurs à faible capacité offrant des courants de récupération inverse nuls indépendants de la température dans des boîtiers isolés

Chutes de la rivière Thief / Dulles, Virginie., Peut 28, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annoncent la disponibilité immédiate de 3300 Redresseurs Schottky SiC V/0,3 Ampère – le GAP3SLT33-220FP. Ce produit unique représente le redresseur SiC à tension la plus élevée du marché, et est spécifiquement destiné aux circuits multiplicateurs de tension et aux assemblages haute tension utilisés dans une large gamme de rayons X, Alimentations pour laser et générateur de particules.

Les circuits multiplicateurs de tension contemporains souffrent de faibles rendements de circuit et de grandes tailles car les courants de récupération inverses des redresseurs au silicium déchargent les condensateurs connectés en parallèle. À des températures de jonction de redresseur plus élevées, cette situation s'aggrave car le courant de récupération inverse dans les redresseurs au silicium augmente avec la température. Avec assemblages haute tension à contraintes thermiques, les températures de jonction augmentent assez facilement même lorsque des courants modestes sont passés. Les redresseurs SiC haute tension offrent des caractéristiques uniques qui promettent de révolutionner les ensembles haute tension. GeneSiC 3300 Les redresseurs Schottky V / 0,3 A présentent un courant de récupération inverse nul qui ne change pas avec la température. Cette tension relativement élevée dans un seul appareil permet une réduction des étages de multiplication de tension requis dans les circuits de générateurs à haute tension typiques, grâce à l'utilisation de tensions d'entrée CA plus élevées. Les caractéristiques de commutation quasi idéales permettent l'élimination / la réduction spectaculaire des réseaux d'équilibrage de tension et des circuits d'amortissement. Le boîtier isolé surmoulé TO-220 Full Pack présente un facteur de forme standard de l'industrie avec un espacement accru des broches dans les assemblages à trous traversants.

"Cette offre de produits est le fruit d'années d'efforts soutenus chez GeneSiC. Nous croyons que 3300 La cote V est un différenciateur clé pour le marché des générateurs haute tension, et permettra des avantages significatifs à nos clients. Faible FV de GeneSiC, Les redresseurs Schottky SiC à faible capacité permettent à ce produit révolutionnaire” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.

3300 Points forts techniques du redresseur SiC V/0,3 A

• Chute de 1.7 V à 0.3 UNE
• Coefficient de température positif sur VF
• T_jmax = 175^OC
• Charge capacitive 52 NC (typique).

Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/courant nominal et logé dans sans halogène, Norme industrielle TO-220FP conforme à RoHS (Pack complet) paquets. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès du distributeur agréé de GeneSiC, Digikey.

À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristor, ainsi que des produits redresseurs en silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle étendue et des connaissances techniques qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs d'alimentation SiC, avec des produits orientés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans coupure. GeneSiC a obtenu de nombreux contrats de recherche et développement d'agences gouvernementales américaines, y compris l'ARPA-E, Ministère de l'Énergie, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, DARPA, DTRA, et le Département de la sécurité intérieure, ainsi que les principaux entrepreneurs principaux du gouvernement. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix ​​D100 pour la commercialisation de thyristors SiC à ultra-haute tension.

Pour plus d'informations, veuillez visiter www.genesicsemi.com

Circuits et assemblages haute tension pour bénéficier de puces SiC qui offrent des tensions nominales sans précédent et une commutation ultra-rapide

Dulles, Virginie., Nov 7, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annoncent la disponibilité immédiate de 8000 Redresseurs V SiC PiN; 8000 Redresseurs V SiC Schottky, 3300 Redresseurs V SiC Schottky et 6500 Thyristors V SiC au format matrice nue. Ces produits uniques représentent les dispositifs SiC à la tension la plus élevée du marché, et est spécifiquement destiné à l'instrumentation pétrolière et gazière, circuits multiplicateurs de tension et ensembles haute tension.

Les circuits ultra-haute tension contemporains souffrent d'une faible efficacité de circuit et de grandes tailles car les courants de récupération inverse des redresseurs au silicium déchargent les condensateurs connectés en parallèle. À des températures de jonction de redresseur plus élevées, cette situation s'aggrave encore car le courant de récupération inverse dans les redresseurs au silicium augmente avec la température. Avec assemblages haute tension à contraintes thermiques, les températures de jonction augmentent assez facilement même lorsque des courants modestes sont passés. Les redresseurs SiC haute tension offrent des caractéristiques uniques qui promettent de révolutionner les ensembles haute tension. GeneSiC 8000 V et 3300 Les redresseurs V Schottky présentent un courant de récupération inverse nul qui ne change pas avec la température. Cette tension relativement élevée dans un seul appareil permet une réduction des étages de multiplication de tension requis dans les circuits de générateurs à haute tension typiques, grâce à l'utilisation de tensions d'entrée CA plus élevées. Les caractéristiques de commutation quasi idéales permettent l'élimination / la réduction spectaculaire des réseaux d'équilibrage de tension et des circuits d'amortissement. 8000 Les redresseurs V PiN offrent des niveaux de courant plus élevés et des températures de fonctionnement plus élevées. 6500 Des puces V SiC Thyristor sont également disponibles pour accélérer R&D des nouveaux systèmes.

« Ces produits illustrent la forte avance de GeneSiC dans le développement de puces SiC dans les valeurs nominales multi-kV. Nous croyons que 8000 La cote V va au-delà de ce que les appareils au silicium peuvent offrir aux températures nominales, et permettra des avantages significatifs à nos clients. Faible FV de GeneSiC, Les redresseurs et thyristors SiC à faible capacité permettront des avantages au niveau du système qui n'étaient pas possibles auparavant” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.

8000 Points forts techniques du redresseur V/2 A SiC Bare Die PiN

• T_jmax = 210^OC
• Courants de fuite inversés < 50 uA à 175^OC
• Frais de recouvrement inversés 558 NC (typique).

8000 Points forts techniques du redresseur Schottky V / 50 mA SiC Bare Die

• Capacité totale 25 pF (typique, à -1 V, 25^OC).
• Coefficient de température positif sur VF
• T_jmax = 175^OC

6500 Points forts techniques de la matrice nue à thyristor V SiC

• Trois offres - 80 Ampères (GA080TH65-CAU); 60 Ampères (GA060TH65-CAU); et 40 Ampères (GA040TH65-CAU)
• T_jmax = 200^OC

3300 Points forts techniques du redresseur à matrice nue V/0,3 A SiC

• Chute de 1.7 V à 0.3 UNE
• Coefficient de température positif sur VF
• T_jmax = 175^OC
• Charge capacitive 52 NC (typique).

À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristor, ainsi que des produits redresseurs en silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle étendue et des connaissances techniques qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs d'alimentation SiC, avec des produits orientés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans coupure. GeneSiC a obtenu de nombreux contrats de recherche et développement d'agences gouvernementales américaines, y compris l'ARPA-E, Ministère de l'Énergie, Marine, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, DARPA, DTRA, et le Département de la sécurité intérieure, ainsi que les principaux entrepreneurs principaux du gouvernement. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix ​​D100 pour la commercialisation de thyristors SiC à ultra-haute tension.

Pour plus d'informations, veuillez visiter https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie