Mga Tala sa Aplikasyon:
AN-10A Pagmamaneho SiC Junction Transistors (SJT) sa mga Off the Shelf Silicon IGBT Gate Driver: Konsepto ng Pagmamaneho sa Isang Antas
Mayo 2013 AN-10A Pagmamaneho SiC Junction Transistors (SJT) sa mga Off the Shelf Silicon IGBT Gate Driver: Konsepto ng Pagmamaneho sa Isang Antas
AN-10B Pagmamaneho SiC Junction Transistors (SJT): Konsepto ng Dalawang Antas na Gate Drive
Hunyo 2013 AN-10B Pagmamaneho SiC Junction Transistors (SJT): Konsepto ng Dalawang Antas na Gate Drive
Lupon ng Double Pulse Switching
Sep 2014 Lupon ng Double Pulse Switching
Mataas na Power Gate Driver Board
Sep 2014 Mataas na Power Gate Driver Board
Mababang Power Gate Driver Board
Sep 2014 Mababang Power Gate Driver Board
Teknikal na Artikulo:
1200 V-class 4H-SiC “super” Mga Transistor ng Junction na may Kasalukuyang Mga Pakinabang ng 88 at Ultra mabilis na Paglipat ng kakayahan
Set, 20111200 V-class 4H-SiC “super” Mga Transistor ng Junction na may Kasalukuyang Mga Pakinabang ng 88 at Ultra mabilis na Paglipat ng kakayahan
1200 V SiC "Super" Junction Transistors na nagpapatakbo sa 250 °C na may napakababang enerhiya pagkawala para sa mga application ng power conversion
Nobyembre, 2011 1200 V SiC "Super" Junction Transistors na nagpapatakbo sa 250 °C na may napakababang enerhiya pagkawala para sa mga application ng power conversion
Pagsasamantala sa mataas na temperatura pangako ng SiC
Peb, 2012 Pagsasamantala sa mataas na temperatura pangako ng SiC
Silicon Carbide “super” Junction Transistors na Nagpapatakbo sa 500o C
Abr, 2012 Silicon Carbide “super” Junction Transistors na Nagpapatakbo sa 500o C
Katatagan ng Mga Katangian ng Elektrikal ng SiC "Super" Junction Transistors sa ilalim ng Pangmatagalang DC at Pulsed Operation sa iba't ibang Temperatura
Mayo, 2012 Katatagan ng Mga Katangian ng Elektrikal ng SiC "Super" Junction Transistors sa ilalim ng Pangmatagalang DC at Pulsed Operation sa iba't ibang Temperatura
