Nai-post sa

G3R™ 750V SIC MOSFETs Nag-aalok ng Unparalleled Pagganap at Pananagutan

750V G3R SiC MOSFET

MGA DULLES, VA, Hunyo 04, 2021 — GeneSic's susunod na henerasyon 750V G3R™SiC MOSFETs ay maghahatid ng walang kapantay na antas ng pagganap, pagkabuo at kalidad na lumalagpas sa kanyang counterparts. System benepisyo isama mababang-estado drops sa operating temperatura, mas mabilis paglipat bilis, nadagdagan ang kapangyarihan density, minimal singsing (mababang EMI) at compact system laki. GeneSiC's G3R™, inaalok sa optimized mababang-inductance discrete pakete (SMD at sa pamamagitan ng butas), ay optimized upang mapatakbo na may pinakamababang kapangyarihan pagkawala sa ilalim ng lahat ng mga kondisyon ng operating at ultra-mabilis na paglipat ng bilis. Ang mga device na ito ay may malaking mas mahusay na antas ng pagganap kumpara sa mga kontemporaryo Sic MOSFETs.

750V G3R SiC MOSFET

"Mataas na kahusayan enerhiya paggamit ay naging isang kritikal na maihahatid sa susunod na henerasyon kapangyarihan converters at SiC power devices patuloy na ang mga pangunahing bahagi sa pagmamaneho rebolusyong ito. Pagkatapos ng taon ng pag-unlad trabaho patungo sa pagkamit ng pinakamababang sa estado pagtutol at matibay maikling circuit at avalanche pagganap, kami ay nasasabik na i-release ang pinakamahusay na gumaganap 750V Sic MOSFETs. Ang aming G3R paganahin™ ang kapangyarihan electronic designer upang matugunan ang mahirap na kahusayan, kapangyarihan density at kalidad layunin sa mga application tulad ng solar inverters, EV sa board chargers at server /telecom power supplies. Isang nakatitiyak na kalidad, suportado sa pamamagitan ng mabilis-na-palibot at automotive-kwalipikadong mataas na volyum pagmamanupaktura karagdagang pinahusay ang kanilang mga halaga ng proposisyon. ” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo sa GeneSic Semiconductor.

Mga Tampok –

  • Pinakamababang singil sa industriya (QG) at panloob na gate pagtutol (RG(INT))
  • Pinakamababang RDS(SA) baguhin sa temperatura
  • Mababang output kapasidad (COSS) at miler kakayahan (CGD)
  • 100% avalanche (UIL) sinubukan sa panahon ng produksyon
  • Industriya-nangungunang maikling circuit na may kakayahan
  • Mabilis at maaasahang katawan diode na may mababang VF at mababang QRR
  • Mataas at matatag na gate threshold boltahe (VTH) sa kabuuan ng lahat ng temperatura at drain-bias kondisyon
  • Advanced na packaging teknolohiya para sa mas mababang thermal pagtutol at mas mababang singsing
  • Pagmamanupaktura uniporme ng RDS(SA), VTH at breakdown boltahe (BV)
  • Komprehensibong produkto portfolio at mas ligtas na supply ng chain na may automotive-kwalipikadong mataas na volyum pagmamanupaktura

Mga aplikasyon –

  • Solar (PV) Mga Inverters
  • EV / HEV Onboard Chargers
  • Server & Telecom Power Supplies
  • Di-mapipigil na Mga Suplay ng Power (UPS)
  • DC-DC Converter
  • Lumipat mode power Supplies (SMPS)
  • Enerhiya Imbakan at Baterya Singilin
  • Induction pag-init

Lahat ng GeneSic Semiconductor's Sic MOSFETs ay naka-target para sa automotive application (AEC-Q101) at PPAP-may kakayahan.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ to-263-7 G3R&kalakalan SIC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ to-247-4 G3R&kalakalan SIC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ to-247-3 G3R&kalakalan SIC MOSFET

Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com

Lahat ng device ay magagamit para bumili sa pamamagitan ng awtorisadong distributor – www.genesicsemi.com/sales-support

Ang electronics

Newkark Farnell element14

Mouser electronics

Arrow electronics

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.

Nai-post sa

GeneSic's New 3rd Generation Sic MOSFETs Nagtatampok ang Pinakamahusay na Figure-of-Merits

MGA DULLES, VA, Pebrero 12, 2020 — Genesic Semiconductor susunod na henerasyon 1200V G3R™SiC MOSFETs sa RDS(SA) antas ng ranging mula sa 20 mΩ sa 350 mΩ maghatid ng walang katuturang mga antas ng pagganap, pagkabuo at kalidad na lumalagpas sa kanyang counterparts. System benepisyo isama ang mas mataas na kahusayan, mas mabilis paglipat dalas, nadagdagan ang kapangyarihan density, Nabawasan singsing (EMI) at compact system laki.

GeneSiC ay inihayag ang availability ng kanyang industriya-nangungunang 3rd henerasyon Silicon Carbide Mosfets na tampok industriya-nangungunang pagganap, pagkabuo at kalidad sa katigasan hindi kailanman nakita ang mga antas ng kahusayan at sistema ng pagiging maaasahan sa automotive at pang-industriya aplikasyon.

Ang mga G3R™ Sic MOSFETs, inaalok sa optimized mababang-inductance discrete pakete (SMD at sa pamamagitan ng butas), ay lubos na optimize para sa power system disenyo na nangangailangan ng mataas na kahusayan antas at ultra-mabilis na paglipat bilis. Ang mga device na ito ay may malaking mas mahusay na pagganap ng mga antas kumpara sa competing produkto. Isang nakatitiyak na kalidad, suportado sa pamamagitan ng mabilis-na-paligid mataas na volume pagmamanupaktura karagdagang pinahusay ang kanilang mga halaga ng proposition.

"Pagkatapos ng taon ng pag-unlad trabaho patungo sa pagkamit ng pinakamababang on-estado pagtutol at pinahusay na maikling circuit pagganap, kami ay nasasabik na i-release ang pinakamahusay na gumaganap ng industriya 1200V Sic MOSFETs na may higit sa 15+ i-discrete at barena chip produkto. Kung ang susunod na henerasyon kapangyarihan electronic sistema ay upang matugunan ang mahirap na kahusayan, kapangyarihan density at kalidad layunin sa mga application tulad ng automotive, pang-industriya, renewable enerhiya, transportasyon, IT at telecom, pagkatapos ay nangangailangan sila ng makabuluhang pinabuting pagganap ng device at pananagutan kumpara sa kasalukuyang magagamit na SiC MOSFETs” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo sa GeneSic Semiconductor.

Mga Tampok –

  • Superior QG x rDS(SA) figure-of-merit – G3R™ Sic MOSFETs tampok ang pinakamababang-estado pagtutol ng industriya na may isang mababang gate singilin, nagreresulta sa 20% mas mahusay na figure-of-merit kaysa sa anumang iba pang katulad na kakumpitente aparato
  • Mababang pag-uugali pagkalugi sa lahat ng temperatura – GeneSiC's MOSFETs tampok ang pinakamalambot na temperatura depende sa paglaban ng on-state pagtutol upang mag-alok ng napakababang pag-uugali sa lahat ng temperatura; makabuluhang mas mahusay kaysa sa anumang iba pang mga tren at planar Sic MOSFETs sa merkado
  • 100 % avalanche nasubukan – Robust UIL kakayahan ay isang kritikal na kinakailangan para sa karamihan ng mga application. GeneSic's 1200V Sic MOSFET discrete ay 100 % avalanche (UIL) sinubukan sa panahon ng produksyon
  • Mababang gate singil at mababang panloob na gate pagtutol – Ang mga parameter na ito ay kritikal patungo sa pagkaunawa sa ultra-mabilis na paglipat at pagkamit ng pinakamataas na kahusayan (mababang Eon -Eoff) sa kabuuan ng isang malawak na hanay ng mga application paglipat ng mga dalas
  • Normal-off matatag na operasyon hanggang sa 175°C – Lahat ng genesic's Sic MOSFETs ay dinisenyo at tela na may estado-ng-sining proseso upang maghatid ng mga produkto na matatag at maaasahan sa lahat ng mga kondisyon ng operating nang walang anumang malfunction panganib. Ang superior gate oxide kalidad ng mga device na ito ay pumipigil sa anumang threshold (VTH) naaanalhin
  • Mababang kapasidad ng device – G3R™ ay dinisenyo upang magmaneho nang mas mabilis at mas mahusay sa kanilang mababang aparato kapasidad – Ciss, Coss at Crs
  • Mabilis at maaasahang katawan diode na may mababang intrinsic singil – GeneSiC's MOSFETs tampok benchmark mababang reverse pagbawi singil (QRR) sa lahat ng mga temperatura; 30% mas mahusay kaysa sa anumang katulad na rate ng kakumpitente aparato. Ito ay nag-aalok ng karagdagang pagbabawas sa kapangyarihan pagkalugi at mapalakas operating dalas
  • Kadalya ng paggamit – G3R™ SiC MOSFETs ay dinisenyo upang maitaboy sa +15V / -5V gate drive. Ito ay nag-aalok ng pinakamalawak na pagkakatugma sa umiiral na komersyal na IGBT at Sic MOSFET gate driver

Mga aplikasyon –

  • Electric Sasakyan – Power Tren at Singilin
  • Solar Inverter at Enerhiya Imbakan
  • Pang-industriya motor Drive
  • Di-mapipigil na Suplay ng Power Supply (UPS)
  • Lumipat mode power Supply (SMPS)
  • Bi-directional DC-DC converters
  • Smart Grid at HVDC
  • Panimula heating at hinang
  • Pulsed Power Application

Lahat ng device ay magagamit para bumili sa pamamagitan ng awtorisadong distributor – www.genesicsemi.com/sales-support

Ang electronics

Newkark Farnell element14

Mouser electronics

Arrow electronics

Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-mosfet o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com

Lahat ng GeneSic Semiconductor's Sic MOSFETs ay naka-target para sa automotive application (AEC-Q101) at PPAP-may kakayahan. Lahat ng device ay inaalok sa industriya standard D2PAK, TO-247 at SOT-227 pakete.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.

Nai-post sa

GeneSic's 3300V at 1700V 1000mΩ Sic MOSFETs Rebolusyon ang Miniaturization ng Auxiliary Power Supplies

MGA DULLES, VA, Disyembre 4, 2020 — GeneSiC announcements availability ng industriya-nangungunang 3300V at 1700V discrete Sic MOSFETs na optimize upang makamit ang walang kapantay na miniaturization, pagiging maaasahan at enerhiya pagtitipid sa pang-industriya bahay pag-iingat kapangyarihan.

GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at global supplier ng isang komprehensibong portfolio ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors, ngayon announcements ang agarang availability ng susunod na henerasyon 3300V at 1700V 1000mΩ SiC MOSFETs – G2R1000MT17J, G2R100MT17D, at G2R100MT33J. Ang mga Sic MOSFETs paganahin ang mas mataas na antas ng pagganap, batay sa flagship figure ng Merit (fom) na mapahusay at simplify na sistema ng kapangyarihan sa buong enerhiya imbakan, renewable enerhiya, pang-industriya motors, pangkalahatang layunin inverters at pang-industriya pag-iilawa. Produkto inilabas ay:

G2R1000MT33J – 3300V 1000mΩ-263-7 SIC MOSFET

G2R100MT17D – 1700V 1000mΩ to-247-3 SIC MOSFET

G2R100MT17J – 1700V 1000mΩ to-263-7 Sic MOSFET

G3R450MT17D – 1700V 450mΩ-247-3 SIC MOSFET

G3R450MT17J – 1700V 450mΩ-263-7 Sic MOSFET

GeneSic's bagong 3300V at 1700V Sic MOSFETs, makukuha sa 1000mΩ at 450mΩ mga pagpipilian bilang SMD at Sa pamamagitan ng Hole discrete pakete, ay lubos na optimize para sa power system disenyo na nangangailangan ng mataas na kahusayan antas at ultra-mabilis na paglipat bilis. Ang mga device na ito ay may malaking mas mahusay na pagganap ng mga antas kumpara sa competing produkto. Isang nakatitiyak na kalidad, suportado sa pamamagitan ng mabilis-na-paligid mataas na volume pagmamanupaktura karagdagang mapahusay ang kanilang mga halaga ng proposition.

"Sa mga application tulad ng 1500V solar inverters, ang MOSFET sa auxiliary kapangyarihan supply ay maaaring magkaroon upang mapaglabanan ang mga boltahe sa hanay ng 2500V, depende sa boltahe ng input, lumiliko ratio ng transformer at ang output boltahe. Mataas na breakdown boltahe MOSFETs halata ang pangangailangan para sa serye konektado lumipat sa Flyback, Mapalakas at Pasulong converters sa gayon ay pagbabawas ng mga bahagi-count at pagbabawas ng circuit kumplikadong. GeneSiC's 3300V at 1700V discrete Sic MOSFETs payagan ang mga designer na gamitin ang mas simpleng solong switch batay sa topology at kasabay nito ay nagbibigay ng mga customer na may maaasahang, compact at cost-effective system” sinabi Sumit Jadav, Senior Applications Manager sa GeneSic Semiconductor.

Mga Tampok –

  • Superior presyo-pagganap index
  • Flagship QG x rDS(SA) figure ng merit
  • Mababang intrinsic capacitance at mababang gate singilin
  • Mababang pagkalugi sa lahat ng temperatura
  • Mataas na avalanche at maikling circuit ruggedness
  • Benchmark threshold boltahe para sa normal-off matatag na operasyon hanggang sa 175°C

Mga aplikasyon –

  • Renewable enerhiya (solar inverters) at enerhiya imbakan
  • Pang-industriya motors (AC servos)
  • Pangkalahatang layunin inverters
  • Pang-industriya pag-iilawa
  • Piezo driver
  • Ion-beam generators

Lahat ng device ay magagamit para bumili sa pamamagitan ng awtorisadong distributor – www.genesicsemi.com/sales-support

Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-mosfet o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.