Nai-post sa

GeneSic's New 3rd Generation Sic MOSFETs Nagtatampok ang Pinakamahusay na Figure-of-Merits

MGA DULLES, VA, Pebrero 12, 2020 — Genesic Semiconductor susunod na henerasyon 1200V G3R™SiC MOSFETs sa RDS(SA) antas ng ranging mula sa 20 mΩ sa 350 mΩ maghatid ng walang katuturang mga antas ng pagganap, pagkabuo at kalidad na lumalagpas sa kanyang counterparts. System benepisyo isama ang mas mataas na kahusayan, mas mabilis paglipat dalas, nadagdagan ang kapangyarihan density, Nabawasan singsing (EMI) at compact system laki.

GeneSiC ay inihayag ang availability ng kanyang industriya-nangungunang 3rd henerasyon Silicon Carbide Mosfets na tampok industriya-nangungunang pagganap, pagkabuo at kalidad sa katigasan hindi kailanman nakita ang mga antas ng kahusayan at sistema ng pagiging maaasahan sa automotive at pang-industriya aplikasyon.

Ang mga G3R™ Sic MOSFETs, inaalok sa optimized mababang-inductance discrete pakete (SMD at sa pamamagitan ng butas), ay lubos na optimize para sa power system disenyo na nangangailangan ng mataas na kahusayan antas at ultra-mabilis na paglipat bilis. Ang mga device na ito ay may malaking mas mahusay na pagganap ng mga antas kumpara sa competing produkto. Isang nakatitiyak na kalidad, suportado sa pamamagitan ng mabilis-na-paligid mataas na volume pagmamanupaktura karagdagang pinahusay ang kanilang mga halaga ng proposition.

"Pagkatapos ng taon ng pag-unlad trabaho patungo sa pagkamit ng pinakamababang on-estado pagtutol at pinahusay na maikling circuit pagganap, kami ay nasasabik na i-release ang pinakamahusay na gumaganap ng industriya 1200V Sic MOSFETs na may higit sa 15+ i-discrete at barena chip produkto. Kung ang susunod na henerasyon kapangyarihan electronic sistema ay upang matugunan ang mahirap na kahusayan, kapangyarihan density at kalidad layunin sa mga application tulad ng automotive, pang-industriya, renewable enerhiya, transportasyon, IT at telecom, pagkatapos ay nangangailangan sila ng makabuluhang pinabuting pagganap ng device at pananagutan kumpara sa kasalukuyang magagamit na SiC MOSFETs” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo sa GeneSic Semiconductor.

Mga Tampok –

  • Superior QG x rDS(SA) figure-of-merit – G3R™ Sic MOSFETs tampok ang pinakamababang-estado pagtutol ng industriya na may isang mababang gate singilin, nagreresulta sa 20% mas mahusay na figure-of-merit kaysa sa anumang iba pang katulad na kakumpitente aparato
  • Mababang pag-uugali pagkalugi sa lahat ng temperatura – GeneSiC's MOSFETs tampok ang pinakamalambot na temperatura depende sa paglaban ng on-state pagtutol upang mag-alok ng napakababang pag-uugali sa lahat ng temperatura; makabuluhang mas mahusay kaysa sa anumang iba pang mga tren at planar Sic MOSFETs sa merkado
  • 100 % avalanche nasubukan – Robust UIL kakayahan ay isang kritikal na kinakailangan para sa karamihan ng mga application. GeneSic's 1200V Sic MOSFET discrete ay 100 % avalanche (UIL) sinubukan sa panahon ng produksyon
  • Mababang gate singil at mababang panloob na gate pagtutol – Ang mga parameter na ito ay kritikal patungo sa pagkaunawa sa ultra-mabilis na paglipat at pagkamit ng pinakamataas na kahusayan (mababang Eon -Eoff) sa kabuuan ng isang malawak na hanay ng mga application paglipat ng mga dalas
  • Normal-off matatag na operasyon hanggang sa 175°C – Lahat ng genesic's Sic MOSFETs ay dinisenyo at tela na may estado-ng-sining proseso upang maghatid ng mga produkto na matatag at maaasahan sa lahat ng mga kondisyon ng operating nang walang anumang malfunction panganib. Ang superior gate oxide kalidad ng mga device na ito ay pumipigil sa anumang threshold (VTH) naaanalhin
  • Mababang kapasidad ng device – G3R™ ay dinisenyo upang magmaneho nang mas mabilis at mas mahusay sa kanilang mababang aparato kapasidad – Ciss, Coss at Crs
  • Mabilis at maaasahang katawan diode na may mababang intrinsic singil – GeneSiC's MOSFETs tampok benchmark mababang reverse pagbawi singil (QRR) sa lahat ng mga temperatura; 30% mas mahusay kaysa sa anumang katulad na rate ng kakumpitente aparato. Ito ay nag-aalok ng karagdagang pagbabawas sa kapangyarihan pagkalugi at mapalakas operating dalas
  • Kadalya ng paggamit – G3R™ SiC MOSFETs ay dinisenyo upang maitaboy sa +15V / -5V gate drive. Ito ay nag-aalok ng pinakamalawak na pagkakatugma sa umiiral na komersyal na IGBT at Sic MOSFET gate driver

Mga aplikasyon –

  • Electric Sasakyan – Power Tren at Singilin
  • Solar Inverter at Enerhiya Imbakan
  • Pang-industriya motor Drive
  • Di-mapipigil na Suplay ng Power Supply (UPS)
  • Lumipat mode power Supply (SMPS)
  • Bi-directional DC-DC converters
  • Smart Grid at HVDC
  • Panimula heating at hinang
  • Pulsed Power Application

Lahat ng device ay magagamit para bumili sa pamamagitan ng awtorisadong distributor – www.genesicsemi.com/sales-support

Ang electronics

Newkark Farnell element14

Mouser electronics

Arrow electronics

Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-mosfet o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com

Lahat ng GeneSic Semiconductor's Sic MOSFETs ay naka-target para sa automotive application (AEC-Q101) at PPAP-may kakayahan. Lahat ng device ay inaalok sa industriya standard D2PAK, TO-247 at SOT-227 pakete.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.

Nai-post sa

Mataas na kasalukuyang may kakayahang 650V, 1200V at 1700V Sic Schotky MPS™ diodes sa mini-module SOT-227 pakete

MGA DULLES, VA, Mayo 11, 2019 — Ang GeneSiC ay nagiging isang lider ng merkado sa mataas na kasalukuyang may kakayahang (100 A at 200 Isang) SiC schottky diodes in SOT-227 mini-module

GeneSiC ay ipinakilala GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 at GC2X100MPS06-227; ang pinakamataas na kasalukuyang rated industriya 650V at 1700V SiC schottky diodes, pagdaragdag sa umiiral na 1200V SiC schottky diode mini-module portfolio – GB2X50MPS12-227 at GB2X100MPS12-227. Ang mga diode ng SiC na ito ay pumalit sa mga diode ng ultra mabilis na pagbawi na nakabase sa siliniyum, nagbibigay-kakayahan sa mga inhinyero upang bumuo ng paglipat circuits na may mas mahusay na kahusayan at mas mataas na kapangyarihan density. Application ay inaasahang isama ang electric sasakyan mabilis singilin, motor drive, mga suplay ng kapangyarihan sa transportasyon, mataas na kapangyarihan pagwawasto at pang industriya supply ng kapangyarihan.

Bilang karagdagan sa nakahiwalay na base-plate ng SOT-227 mini-module package, Ang mga bagong inilabas na diodes na ito ay nagtatampok ng mababang pasulong na boltahe drop, zero pasulong pagbawi, zero reverse pagbawi, mababang junction kapasidad at ay rated para sa isang pinakamataas na temperatura ng operating temperatura ng 175°C. GeneSiC ikatlong henerasyon SiC schotky diode teknolohiya ay nagbibigay ng industriya na humahantong sa avalanche ruggedness at surgeon kasalukuyang (Kung mangangaso) pagkabubulag, pinagsama sa mataas na kalidad na automotive kwalipikadong 6 pulgada na gawa at advanced na mataas na pagiging maaasahan discrete assembly technology.

Ang mga SiC diode na ito ay pin-compatible na direktang kapalit sa iba pang mga diode na magagamit sa SOT-227 (mini-module) pakete. Benepisyo mula sa kanilang mas mababang kapangyarihan pagkalugi (cooler operasyon) at mataas na dalas paglipat ng kakayahan, designer ay maaari na ngayon makamit ang mas mataas na kahusayan sa conversion kahusayan at mas mataas na kapangyarihan density sa disenyo.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad. GeneSiC ang Inc. develops Silicon Carbide (Sic) batay sa semiconductor aparato para sa mataas na temperatura, radiation, at kapangyarihan grid application. Kabilang dito ang pagbuo ng mga rectifier, MGA FET, bipolar aparato pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may access sa isang malawak na suite ng semiconductor disenyo, tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad para sa mga tulad device. GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer. Ang kumpanya ay nakikilala mismo sa pamamagitan ng pagbibigay ng mataas na kalidad ng mga produkto na partikular na tinedyer sa mga kinakailangan ng bawat customer. GeneSiC ay may prime/sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO kabilang ang ARPA-E, US Dept ng Enerhiya, navy, DARPA, Dept ng Homeland Security, Dept ng Commerce at iba pang mga departamento sa loob ng US Dept. ng pagtatanggol. GeneSiC ay patuloy na mabilis na mapahusay ang mga kagamitan at tauhan imprastraktura sa kanyang Dulles, Virginia pasilidad. Ang kumpanya ay agresibong pagkuha tauhan na karanasan sa compound semiconductor aparato tela, semiconductor pagsubok at detector disenyo. Karagdagang impormasyon tungkol sa kumpanya at mga produkto nito ay maaaring makuha sa pamamagitan ng pagtawag GeneSiC sa 703-996-8200 o sa pamamagitan ng pagbisitawww.genesicsemi.com.