GeneSiC ang Inc, isang mahalagang innovator sa Silicon Carbide batay kapangyarihan aparato ay pinarangalan noong nakaraang linggo sa anunsyo na ito ay iginawad ang prestihiyoso 2011 R&D 100 Award. Ito award kinikilala GeneSiC para sa pagpapakilala ng isa sa mga pinaka-makabuluhang, bagong ipinakilala pananaliksik at pag-unlad advances sa maramihang disiplina sa panahon ng 2010. R&D Magazine kinikilala GeneSiC's Ultra-High Voltage Sic Thyristor para sa kanyang kakayahan upang makamit ang pagharang ng mga boltahe at dalas ay hindi kailanman gumagamit bago patungo sa kapangyarihan electronic demonstrasyon. Ang boltahe rating ng >6.5kV, on-state kasalukuyang rating ng 80 A at operating dalas ng >5 kHz ay mas mataas kaysa sa mga dati ipinakilala sa merkado. Ang mga kakayahang ito na nakamit ng GenesiC's Thyristors kritikal na paganahin ang kapangyarihan electronics mananaliksik upang bumuo ng grid-nakatali inverters, Nabaluktot
AC Transmission System (Katotohanan) at Mataas na Boltahe DC System (HVDC). Ito ay magpapahintulot sa mga bagong imbensyon at mga pag-unlad ng produkto sa loob ng panibagong enerhiya, solar inverters, hangin kapangyarihan inverters, at enerhiya imbakan industriya. Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSiC Semiconductor comented "Ito ay inaasahan na ang malaking-scale market sa solid-estado electrical substations at hangin turbina generators ay bukas up pagkatapos ng mga mananaliksik sa kapangyarihan conversion ay ganap na mapagtanto ang mga benepisyo ng Sic Thyristors. Ginagamit ng mga unang henerasyong ito si Sic Thyristors ang pinakamababang boltahe at iba't ibang pagtutol na nakamit sa Sic Thyristors. Balak naming i-release ang mga darating na henerasyon ng SiC Thyristors optimize para sa Gate-controlled Turn Off kakayahan at pulsed kapangyarihan kakayahan at >10kV rating. Habang patuloy kaming bumuo ng mataas na temperatura ultra-mataas na boltahe packaging solusyon, ang kasalukuyang 6.5kV Thyristors ay nakapakete sa mga modulo na may ganap na malutas na mga contact, limitado sa 150oC junction temperatura." Dahil ang produktong ito ay inilunsad noong Oktubre 2010, GeneSiC ay may booked order mula sa maramihang mga customer patungo sa pagpapamalas ng advanced na kapangyarihan electronics hardware gamit ang mga Silicon Carbide Thyristors. GeneSiC ay patuloy na bumuo ng kanyang pamilya ng Silicon Carbide Thyristor produkto. Ang R&D sa maagang bersyon para sa power conversion application ay binuo sa pamamagitan ng SBIR pagpopondo suporta mula sa US Dept. ng Enerhiya. Higit pang mga advanced, Pulsed Power optimize SiC Thyristors ay binuo sa ilalim ng isa pang SBIR kontrata sa ARDEC, HUKBONG US. Paggamit ng mga teknikal na pag-unlad na ito, panloob na pamumuhunan mula sa GeneSiC at komersyal na mga order mula sa maramihang mga customer, GeneSiC ay nagawang mag-alok ng mga UHV Thyristors bilang komersyal na mga produkto.
Ang ika-49 na taunang teknolohiya kumpetisyon tumakbo sa pamamagitan ng R&D Magazine sinuri entry mula sa iba't-ibang mga kumpanya at industriya manlalaro, pananaliksik organisasyon at unibersidad sa buong mundo. Ang mga editor ng magasin at isang panel ng mga eksperto ay nagsilbing mga hukom, sinusuri ang bawat entry sa mga tuntunin ng kahalagahan nito sa mundo ng agham at pananaliksik.
Ayon sa R&magasin, nanalo ng R&D 100 Award ay nagbibigay ng isang marka ng kahusayan na kilala sa industriya, pamahalaan, at akademia bilang patunay na ang produkto ay isa sa mga pinaka-makabagong ideya ng taon. Kinikilala ng award na ito ang GeneSiC bilang isang pandaigdigang lider sa paglikha ng mga produktong teknolohiya na gumagawa ng kaibhan sa kung paano tayo nagtatrabaho at nabubuhay.
Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.
GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad. GeneSiC ang Inc. develops Silicon Carbide (Sic) batay sa semiconductor aparato para sa mataas na temperatura, radiation, at kapangyarihan grid application. Kabilang dito ang pagbuo ng mga rectifier, MGA FET, bipolar aparato pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may access sa isang malawak na suite ng semiconductor disenyo, tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad para sa mga tulad device. GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer. Ang kumpanya ay nakikilala mismo sa pamamagitan ng pagbibigay ng mataas na kalidad ng mga produkto na partikular na tinedyer sa mga kinakailangan ng bawat customer. GeneSiC ay may prime/sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO kabilang ang ARPA-E, US Dept ng Enerhiya, navy, DARPA, Dept ng Homeland Security, Dept ng Commerce at iba pang mga departamento sa loob ng US Dept. ng pagtatanggol. GeneSiC ay patuloy na mabilis na mapahusay ang mga kagamitan at tauhan imprastraktura sa kanyang Dulles, Virginia pasilidad. Ang kumpanya ay agresibong pagkuha tauhan na karanasan sa compound semiconductor aparato tela, semiconductor pagsubok at detector disenyo. Karagdagang impormasyon tungkol sa kumpanya at mga produkto nito ay maaaring makuha sa pamamagitan ng pagtawag GeneSiC sa 703-996-8200 o sa pamamagitan ng pagbisitawww.genesicsemi.com.
