Nai-post sa

5Ika-650 850V Sic Schotky MPS™ Diodes para sa Best-in-Class kahusayan

Gen5 650V SiC Schottky MPS™

MGA DULLES, VA, Mayo 28, 2021 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at global supplier ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductor aparato, announcements ang availability ng ika-5 henerasyon (GE** serye) SiC Schottky MPS™ rectifiers that are setting up a new benchmark with their superior price-performance index, industry-leading surge current and avalanche robustness, and high quality manufacturing.

“GeneSiC was one of the first SiC manufacturers to commercially supply SiC Schottky rectifiers in 2011. After more than a decade of supplying high-performance and high-quality SiC rectifiers in the industry, we are excited to release our 5th generation of SiC Schottky MPS™ (Merged-PiN-Schottky) diodes that offer industry-leading performance in all aspects to meet the high efficiency and power density goals in applications like server/telecom power supplies and battery chargers. The revolutionary feature that makes our 5th Generation (GE** serye) SiC Schottky MPS™ diodes stand out among its peers is the low built-in voltage (also known as knee-voltage);it enables lowest diode conduction losses at all load conditions – crucial for applications demanding high-efficiency energy usage. In contrast to other competitor SiC diodes also designed to offer low-knee characteristics, an additional feature of our Gen5 diode designs is that they still maintain that high level of avalanche (UIL) ruggedness that our customers have come to expect from GeneSiC’s Gen3 (GC*** series) and Gen4 (GD*** series) SiC Schottky MPS™” sinabi Dr. Siddarth Sundaresan, Vice President of Technology at GeneSiC Semiconductor.

Mga Tampok –

  • Low Built-In Voltage – Lowest Conduction Losses for All Load Conditions
  • Superior Figure of Merit – QC x VF
  • Optimal Price Performance
  • Pinahusay na Surgeon Kasalukuyang Kakayahan
  • 100% Avalanche (UIL) Tested
  • Low Thermal Resistance for Cooler Operation
  • Zero Forward and Reverse Recovery
  • Temperature Independent Fast Switching
  • Positive Temperature Coefficient of VF

Mga aplikasyon –

  • Mapalakas diode sa Power Factor Pagwawasto (PFC)
  • Server and Telecom Power Supplies
  • Solar Inverters
  • Di-mapipigil na Mga Suplay ng Power (UPS)
  • Battery Chargers
  • Freewheeling / Anti-kahilera Diode sa Inverters

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

Lahat ng device ay magagamit para bumili sa pamamagitan ng awtorisadong distributor – www.genesicsemi.com/sales-support

Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.

Nai-post sa

GeneSiC nanalo ang prestihiyoso R&D100 Award para sa SiC-Based Monolithic Transistor-Rectifier Switch

MGA DULLES, VA, Disyembre 5, 2019 — R&D Magazine ay napili GeneSic Semiconductor Inc. ng mga Dulles, VA bilang isang tatanggap ng prestihiyoso 2019 R&D 100 Award for development of SiC-Based Monolithic Transistor-Rectifier Switch.

GeneSiC ang Inc, a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored with the announcement that it has been awarded the prestigious 2019 R&D 100 Award. Ito award kinikilala GeneSiC para sa pagpapakilala ng isa sa mga pinaka-makabuluhang, bagong ipinakilala pananaliksik at pag-unlad advances sa maramihang disiplina sa panahon ng 2018. R&D Magazine recognized GeneSiC’s medium voltage SiC power device technology for its ability to monolithically integrate MOSFET and Schottky rectifier on a single chip. These capabilities achieved by GeneSiC’s device critically enable power electronics researchers to develop next-generation power electronic systems like inverters and DC-DC converters. This will allow product developments within electric vehicles, charging infrastructure, renewable energy and energy storage industries. GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these devices and continues to develop its family of Silicon Carbide MOSFET products. Ang R&D on early version for power conversion applications were developed through US Dept. of Energy and collaboration with Sandia National Laboratories.

The annual technology competition run by R&D Magazine sinuri entry mula sa iba't-ibang mga kumpanya at industriya manlalaro, pananaliksik organisasyon at unibersidad sa buong mundo. Ang mga editor ng magasin at isang panel ng mga eksperto ay nagsilbing mga hukom, sinusuri ang bawat entry sa mga tuntunin ng kahalagahan nito sa mundo ng agham at pananaliksik.

Ayon sa R&magasin, nanalo ng R&D 100 Award ay nagbibigay ng isang marka ng kahusayan na kilala sa industriya, pamahalaan, at akademia bilang patunay na ang produkto ay isa sa mga pinaka-makabagong ideya ng taon. Kinikilala ng award na ito ang GeneSiC bilang isang pandaigdigang lider sa paglikha ng mga produktong teknolohiya na gumagawa ng kaibhan sa kung paano tayo nagtatrabaho at nabubuhay.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad. GeneSiC ang Inc. develops Silicon Carbide (Sic) batay sa semiconductor aparato para sa mataas na temperatura, radiation, at kapangyarihan grid application. Kabilang dito ang pagbuo ng mga rectifier, MGA FET, bipolar aparato pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may access sa isang malawak na suite ng semiconductor disenyo, tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad para sa mga tulad device. GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer. Ang kumpanya ay nakikilala mismo sa pamamagitan ng pagbibigay ng mataas na kalidad ng mga produkto na partikular na tinedyer sa mga kinakailangan ng bawat customer. GeneSiC ay may prime/sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO kabilang ang ARPA-E, US Dept ng Enerhiya, navy, DARPA, Dept ng Homeland Security, Dept ng Commerce at iba pang mga departamento sa loob ng US Dept. ng pagtatanggol. GeneSiC ay patuloy na mabilis na mapahusay ang mga kagamitan at tauhan imprastraktura sa kanyang Dulles, Virginia pasilidad. Ang kumpanya ay agresibong pagkuha tauhan na karanasan sa compound semiconductor aparato tela, semiconductor pagsubok at detector disenyo. Karagdagang impormasyon tungkol sa kumpanya at mga produkto nito ay maaaring makuha sa pamamagitan ng pagtawag GeneSiC sa 703-996-8200 o sa pamamagitan ng pagbisitawww.genesicsemi.com.

Nai-post sa

Mataas na kasalukuyang may kakayahang 650V, 1200V at 1700V Sic Schotky MPS™ diodes sa mini-module SOT-227 pakete

MGA DULLES, VA, Mayo 11, 2019 — Ang GeneSiC ay nagiging isang lider ng merkado sa mataas na kasalukuyang may kakayahang (100 A at 200 Isang) SiC schottky diodes in SOT-227 mini-module

GeneSiC ay ipinakilala GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 at GC2X100MPS06-227; ang pinakamataas na kasalukuyang rated industriya 650V at 1700V SiC schottky diodes, pagdaragdag sa umiiral na 1200V SiC schottky diode mini-module portfolio – GB2X50MPS12-227 at GB2X100MPS12-227. Ang mga diode ng SiC na ito ay pumalit sa mga diode ng ultra mabilis na pagbawi na nakabase sa siliniyum, nagbibigay-kakayahan sa mga inhinyero upang bumuo ng paglipat circuits na may mas mahusay na kahusayan at mas mataas na kapangyarihan density. Application ay inaasahang isama ang electric sasakyan mabilis singilin, motor drive, mga suplay ng kapangyarihan sa transportasyon, mataas na kapangyarihan pagwawasto at pang industriya supply ng kapangyarihan.

Bilang karagdagan sa nakahiwalay na base-plate ng SOT-227 mini-module package, Ang mga bagong inilabas na diodes na ito ay nagtatampok ng mababang pasulong na boltahe drop, zero pasulong pagbawi, zero reverse pagbawi, mababang junction kapasidad at ay rated para sa isang pinakamataas na temperatura ng operating temperatura ng 175°C. GeneSiC ikatlong henerasyon SiC schotky diode teknolohiya ay nagbibigay ng industriya na humahantong sa avalanche ruggedness at surgeon kasalukuyang (Kung mangangaso) pagkabubulag, pinagsama sa mataas na kalidad na automotive kwalipikadong 6 pulgada na gawa at advanced na mataas na pagiging maaasahan discrete assembly technology.

Ang mga SiC diode na ito ay pin-compatible na direktang kapalit sa iba pang mga diode na magagamit sa SOT-227 (mini-module) pakete. Benepisyo mula sa kanilang mas mababang kapangyarihan pagkalugi (cooler operasyon) at mataas na dalas paglipat ng kakayahan, designer ay maaari na ngayon makamit ang mas mataas na kahusayan sa conversion kahusayan at mas mataas na kapangyarihan density sa disenyo.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad. GeneSiC ang Inc. develops Silicon Carbide (Sic) batay sa semiconductor aparato para sa mataas na temperatura, radiation, at kapangyarihan grid application. Kabilang dito ang pagbuo ng mga rectifier, MGA FET, bipolar aparato pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may access sa isang malawak na suite ng semiconductor disenyo, tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad para sa mga tulad device. GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer. Ang kumpanya ay nakikilala mismo sa pamamagitan ng pagbibigay ng mataas na kalidad ng mga produkto na partikular na tinedyer sa mga kinakailangan ng bawat customer. GeneSiC ay may prime/sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO kabilang ang ARPA-E, US Dept ng Enerhiya, navy, DARPA, Dept ng Homeland Security, Dept ng Commerce at iba pang mga departamento sa loob ng US Dept. ng pagtatanggol. GeneSiC ay patuloy na mabilis na mapahusay ang mga kagamitan at tauhan imprastraktura sa kanyang Dulles, Virginia pasilidad. Ang kumpanya ay agresibong pagkuha tauhan na karanasan sa compound semiconductor aparato tela, semiconductor pagsubok at detector disenyo. Karagdagang impormasyon tungkol sa kumpanya at mga produkto nito ay maaaring makuha sa pamamagitan ng pagtawag GeneSiC sa 703-996-8200 o sa pamamagitan ng pagbisitawww.genesicsemi.com.

Nai-post sa

GeneSic release industriya pinakamahusay na gumaganap 1700V Sic Schottky MPS™ diodes

MGA DULLES, VA, Enero 7, 2019 — GeneSiC release ng isang komprehensibong portfolio ng kanyang ikatlong henerasyon 1700V Sic Schotky MPS™ diodes sa TO-247-2 pakete

GeneSiC ay ipinakilala GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 at GB50MPS17-247; ang pinakamahusay na gumaganap 1700V SiC diodes magagamit sa popular na TO-247-2 sa pamamagitan ng hole pakete. Ang mga ito 1700V SiC diodes palitan ang silicon-based ultra-mabilis na pagbawi diodes at iba pang lumang henerasyon 1700V SiC JBS, nagbibigay-kakayahan sa mga inhinyero upang bumuo ng paglipat circuits na may mas mahusay na kahusayan at mas mataas na kapangyarihan density. Application ay inaasahang isama ang electric sasakyan mabilis singilin, motor drive, transportasyon kapangyarihan supplies at renewable enerhiya.

GB50MPS17-247 ay isang 1700V 50A Sic merged-PiN-schotky diode, ang pinakamataas na kasalukuyang rate ng industriya discrete SiC kapangyarihan diode. Ang mga bagong inilabas na diodes tampok mababang pasulong boltahe drop, zero pasulong pagbawi, zero reverse pagbawi, mababang junction kapasidad at ay rated para sa isang pinakamataas na temperatura ng operating temperatura ng 175°C. GeneSiC ikatlong henerasyon SiC schotky diode teknolohiya ay nagbibigay ng industriya na humahantong sa avalanche ruggedness at surgeon kasalukuyang (Kung mangangaso) pagkabubulag, pinagsama sa mataas na kalidad automotive kwalipikadong 6-pulgadang natagpuan at advanced na mataas na pagiging maaasahan discrete assembly teknolohiya.

Ang mga sic diodes na ito ay pin-compatible direktang kapalit sa iba pang mga diodes na magagamit sa TO-247-2 pakete. Benepisyo mula sa kanilang mas mababang kapangyarihan pagkalugi (cooler operasyon) at mataas na dalas paglipat ng kakayahan, designer ay maaari na ngayon makamit ang mas mataas na kahusayan sa conversion kahusayan at mas mataas na kapangyarihan density sa disenyo.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad. GeneSiC ang Inc. develops Silicon Carbide (Sic) batay sa semiconductor aparato para sa mataas na temperatura, radiation, at kapangyarihan grid application. Kabilang dito ang pagbuo ng mga rectifier, MGA FET, bipolar aparato pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may access sa isang malawak na suite ng semiconductor disenyo, tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad para sa mga tulad device. GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer. Ang kumpanya ay nakikilala mismo sa pamamagitan ng pagbibigay ng mataas na kalidad ng mga produkto na partikular na tinedyer sa mga kinakailangan ng bawat customer. GeneSiC ay may prime/sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO kabilang ang ARPA-E, US Dept ng Enerhiya, navy, DARPA, Dept ng Homeland Security, Dept ng Commerce at iba pang mga departamento sa loob ng US Dept. ng pagtatanggol. GeneSiC ay patuloy na mabilis na mapahusay ang mga kagamitan at tauhan imprastraktura sa kanyang Dulles, Virginia pasilidad. Ang kumpanya ay agresibong pagkuha tauhan na karanasan sa compound semiconductor aparato tela, semiconductor pagsubok at detector disenyo. Karagdagang impormasyon tungkol sa kumpanya at mga produkto nito ay maaaring makuha sa pamamagitan ng pagtawag GeneSiC sa 703-996-8200 o sa pamamagitan ng pagbisitawww.genesicsemi.com.