Nai-post sa

GeneSic's Industriya Nangungunang 6.5kV SIC MOSFETs – ang Vanguard para sa isang Bagong Alon ng application

6.5kV Sic mosfets

MGA DULLES, VA, Oktubre 20, 2020 — GeneSiC's release 6.5kV silicon carbide MOSFETs upang humantong ang forefront sa paghahatid ng mga antas ng pagganap, kahusayan at pagiging maaasahan sa daluyan-boltahe kapangyarihan conversion application tulad ng traksyon, pulsed kapangyarihan at smart grid imprastraktura.

GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors, ngayon announcements ang agarang availability ng 6.5kV SIC MOSFET bare chips – G2R300MT65-CAL at G2R325MS65-CAL. Full SiC module paggamit ng teknolohiyang ito ay sa lalong madaling panahon upang i-release. Ang mga aplikasyon ay inaasahang isama ang traksyon, pulsed kapangyarihan, smart grid imprastraktura at iba pang mga daluyan-boltahe kapangyarihan converters.

G2R300MT65-CAL – 6.5kV 300mΩ G2R™ SiC MOSFETT Bare Chip

G2R325MS65-KALMADO – 6.5kV 325mΩ G2R™ SIC MOSFET (na may Integrated-Schotky) Ipinanganak chip

G2R100MT65-CAL – 6.5kV 100mΩ G2R™ SiC MOSFETT Bare Chip

GeneSiC's makabagong mga tampok ng isang SiC double-implanted metal oxide semiconductor (DMOSFET) aparato istraktura na may isang junction barrier schotky (JBS) rectifier integrated sa Sic DMOSFET unit cell. Ito nangungunang-gilid na kapangyarihan aparato ay maaaring gamitin sa iba't ibang mga circuits ng kapangyarihan conversion sa susunod na henerasyon ng mga sistema ng pagbabalik-loob. Iba pang makabuluhang mga bentahe isama ang mas mahusay na bi-direksyon pagganap, temperatura independiyenteng paglipat, mababang paglipat at pag-uugali pagkalugi, nabawasan paglamig kinakailangan, superior pangmatagalang pagiging maaasahan, kadalahan ng paghahalintulad ng mga aparato at gastos benepisyo. GeneSiC teknolohiya ay nag-aalok ng mas malaking pagganap at din ay may potensyal na upang mabawasan ang net SiC materyal footprint sa kapangyarihan converters.

“GeneSiC's 6.5kV Sic MOSFETs ay dinisenyo at tela sa 6-pulgada wafers upang mapagtanto ang mababang-estado pagtutol, pinakamataas na kalidad, at nakahihigit presyo-pagganap index. Ito susunod na henerasyon MOSFETs teknolohiya pangako exemplar pagganap, superior rugged at pangmatagalang pagiging maaasahan sa daluyan-boltahe kapangyarihan conversion application.” sinabi Dr. Siddarth Sundaresan, VP ng Teknolohiya sa GeneSic Semiconductor.

GeneSiC's 6.5kV G2R™ SiC MOSFET teknolohiya tampok –

  • Mataas na avalanche (UIS) at maikling circuit ruggedness
  • Superior QG x rDS(SA) figure ng merit
  • Temperatura independiyenteng paglipat pagkawala
  • Mababang capacitances at mababang gate singilin
  • Mababang pagkalugi sa lahat ng temperatura
  • Normal-off matatag na operasyon hanggang sa 175°C
  • +20 V / -5 V gate drive

Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.

Nai-post sa

GeneSiC nanalo $2.53M mula sa ARPA-E patungo sa pag-unlad ng Silicon Carbide Thyristor-based na aparato

MGA DULLES, VA, Setyembre 28, 2010 – Advanced na Pananaliksik Proyekto Ahensiya – Enerhiya (ARPA-E) ay ipinasok sa isang Kasunduan sa Kooperative Kasunduan sa GeneSiC Semiconductor-humantong koponan patungo sa pagbuo ng nobelang ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) Thyristor batay aparato. Ang mga aparatong ito ay inaasahang maging key enable para sa pagsasama-sama ng malakihang hangin at solar power halaman sa susunod na henerasyon Smart Grid.

"Ang mataas na mapagkumpitensyang award na ito sa GeneSiC ay magpapahintulot sa amin na palawain ang aming teknikal na posisyon sa multi-kV Silicon Carbide teknolohiya, pati na rin ang aming pangako sa grid-scale alternatibong mga solusyon enerhiya na may solid estado solusyon," komento Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSiC. "Multi-kV Sic Thyristors namin pagbuo ay ang susi na nagbibigay-kakayahang teknolohiya patungo sa pagkaunawa ng Nababaluktot AC Transmission System (Katotohanan) mga elemento at Mataas na Boltahe DC (HVDC) arkitektura envisaged patungo sa isang integrated, mahusay na, Smart Grid ng hinaharap. GeneSiC's Sic-based Thyristors nag-aalok ng 10X mas mataas na boltahe, 100X mas mabilis na paglipat ng mga dalas at mas mataas na temperatura operasyon sa FACTS at HVDC power processing solusyon kumpara sa maginoo Silicon-based Thyristors."

Noong Abril 2010, GeneSiC tumugon sa Agile Paghahatid ng Electrical Power Teknolohiya (ADEPT) solicitation mula sa ARPA-E na naghangad na mamuhunan sa mga materyales para sa mga pangunahing advances sa mataas na boltahe switch na may potensyal na lumukso umiiral na kapangyarihan converter pagganap habang nag-aalok ng pagbabawas sa gastos. Ang panukala ng kumpanya na pinamagatang "Silicon Carbide Anode Switched Thyristor para sa daluyan ng voltage power conversion" ay pinili upang magbigay ng isang magaan na timbang, solid-estado, daluyan ng enerhiya pagbabalik-loob para sa mataas na kapangyarihan application tulad ng solid-estado electrical substations at hangin turbina generators. Deploying ang mga advanced na kapangyarihan semiconductor teknolohiya ay maaaring magbigay ng mas maraming bilang isang 25-30 porsyento pagbabawas sa koryente consumption sa pamamagitan ng nadagdagan kahusayan sa paghahatid ng electrical kapangyarihan. Makabagong-likha ang napiling suportahan at itaguyod ang US. mga negosyo sa pamamagitan ng teknolohikal na pamumuno, sa pamamagitan ng isang mataas na mapagkumpitensya proseso.

Silicon carbide ay isang susunod na henerasyon semiconductor materyal na may malawak na mas mataas na katangian upang maginoo silicon, tulad ng kakayahang hawakan nang sampung beses ang boltahe—at isandaang beses ang kasalukuyan—sa mga temperatura na kasingtaas 300ºC. Ang mga katangiang ito ay ginagawang angkop sa mataas na kapangyarihan aplikasyon tulad ng hybrid at electric sasakyan, renewable enerhiya (hangin at solar) mga instalasyon, at electrical-grid control system.

Ito ngayon ay mahusay na itinatag na ultra-mataas na boltahe (>10kV) Silicon Carbide (Sic) aparato teknolohiya ay i-play ng isang rebolusyonaryo papel sa susunod na henerasyon utility grid. Thyristor-based Sic device ay nag-aalok ng pinakamataas na on-state pagganap para sa >5 mga aparato ng kV, at malawak na angkop patungo sa daluyan ng daluyan ng kapangyarihan conversion circuits tulad ng Fault-Current Limiters, AC-DC converters, Static VAR Compensators at Serye Compensors. SiC batay sa Thyristors din nag-aalok ng pinakamahusay na pagkakataon ng maagang pag-aampon dahil sa kanilang mga pagkakatulad sa maginoo kapangyarihan grid elemento. Iba pang mga promising application at bentahe para sa mga device na ito isama:

  • Power-management at power-conditioning system para sa Medium Voltage DC conversion na hinangad sa ilalim ng Hinaharap Naval Capability (FNC) ng US Navy, Electro-magnetic ilunsad system, mataas na enerhiya armas system at medikal na imaging. Ang 10-100X mas mataas na operating kakayahan ay nagbibigay-daan sa walang kapantay na pagpapabuti sa laki, timbang, dami at sa huli, gastos ng naturang sistema.
  • Iba't-ibang imbakan ng enerhiya, mataas na temperatura at mataas na enerhiya physics application. Enerhiya imbakan at kapangyarihan grid application ay tumatanggap ng pagtaas ng pansin bilang mundo focus sa mas mahusay at cost-effective na enerhiya-pamamahala solusyon.

GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad.

“Lumitaw kami bilang lider sa ultra-mataas na boltahe Sic teknolohiya sa pamamagitan ng leveraging ang aming core competency sa aparato at proseso ng disenyo na may isang malawak na suite ng tela, katangian, at pagsubok pasilidad," concludes Dr. Singh. "Ang posisyon ni GeneSiC ay epektibong napatibay ng US DOE na may makabuluhang follow-on award."

Tungkol sa GeneSic Semiconductor

Estratehikong matatagpuan malapit sa Washington, DC sa mga Dulles, Virginia, GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan. Kasalukuyang mga proyekto sa pag-unlad isama ang mga high-temperatura rectifier, superJunction transistor (SJT) at isang malawak na iba't-ibang mga Thyristor batay aparato. GeneSiC ay may kalakasan / sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, at ang Department of Homeland Security. Ang kumpanya ay kasalukuyang dumaranas ng malaking paglago, at pagkuha ng kwalipikadong tauhan sa power-device at detector disenyo, tela, at pagsubok. Upang malaman ang higit pa, mangyaring bisitahinwww.genesicsemi.com.