Nai-post sa

G3R™ 750V SIC MOSFETs Nag-aalok ng Unparalleled Pagganap at Pananagutan

750V G3R SiC MOSFET

MGA DULLES, VA, Hunyo 04, 2021 — GeneSic's susunod na henerasyon 750V G3R™SiC MOSFETs ay maghahatid ng walang kapantay na antas ng pagganap, pagkabuo at kalidad na lumalagpas sa kanyang counterparts. System benepisyo isama mababang-estado drops sa operating temperatura, mas mabilis paglipat bilis, nadagdagan ang kapangyarihan density, minimal singsing (mababang EMI) at compact system laki. GeneSiC's G3R™, inaalok sa optimized mababang-inductance discrete pakete (SMD at sa pamamagitan ng butas), ay optimized upang mapatakbo na may pinakamababang kapangyarihan pagkawala sa ilalim ng lahat ng mga kondisyon ng operating at ultra-mabilis na paglipat ng bilis. Ang mga device na ito ay may malaking mas mahusay na antas ng pagganap kumpara sa mga kontemporaryo Sic MOSFETs.

750V G3R SiC MOSFET

"Mataas na kahusayan enerhiya paggamit ay naging isang kritikal na maihahatid sa susunod na henerasyon kapangyarihan converters at SiC power devices patuloy na ang mga pangunahing bahagi sa pagmamaneho rebolusyong ito. Pagkatapos ng taon ng pag-unlad trabaho patungo sa pagkamit ng pinakamababang sa estado pagtutol at matibay maikling circuit at avalanche pagganap, kami ay nasasabik na i-release ang pinakamahusay na gumaganap 750V Sic MOSFETs. Ang aming G3R paganahin™ ang kapangyarihan electronic designer upang matugunan ang mahirap na kahusayan, kapangyarihan density at kalidad layunin sa mga application tulad ng solar inverters, EV sa board chargers at server /telecom power supplies. Isang nakatitiyak na kalidad, suportado sa pamamagitan ng mabilis-na-palibot at automotive-kwalipikadong mataas na volyum pagmamanupaktura karagdagang pinahusay ang kanilang mga halaga ng proposisyon. ” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo sa GeneSic Semiconductor.

Mga Tampok –

  • Pinakamababang singil sa industriya (QG) at panloob na gate pagtutol (RG(INT))
  • Pinakamababang RDS(SA) baguhin sa temperatura
  • Mababang output kapasidad (COSS) at miler kakayahan (CGD)
  • 100% avalanche (UIL) sinubukan sa panahon ng produksyon
  • Industriya-nangungunang maikling circuit na may kakayahan
  • Mabilis at maaasahang katawan diode na may mababang VF at mababang QRR
  • Mataas at matatag na gate threshold boltahe (VTH) sa kabuuan ng lahat ng temperatura at drain-bias kondisyon
  • Advanced na packaging teknolohiya para sa mas mababang thermal pagtutol at mas mababang singsing
  • Pagmamanupaktura uniporme ng RDS(SA), VTH at breakdown boltahe (BV)
  • Komprehensibong produkto portfolio at mas ligtas na supply ng chain na may automotive-kwalipikadong mataas na volyum pagmamanupaktura

Mga aplikasyon –

  • Solar (PV) Mga Inverters
  • EV / HEV Onboard Chargers
  • Server & Telecom Power Supplies
  • Di-mapipigil na Mga Suplay ng Power (UPS)
  • DC-DC Converter
  • Lumipat mode power Supplies (SMPS)
  • Enerhiya Imbakan at Baterya Singilin
  • Induction pag-init

Lahat ng GeneSic Semiconductor's Sic MOSFETs ay naka-target para sa automotive application (AEC-Q101) at PPAP-may kakayahan.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ to-263-7 G3R&kalakalan SIC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ to-247-4 G3R&kalakalan SIC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ to-247-3 G3R&kalakalan SIC MOSFET

Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com

Lahat ng device ay magagamit para bumili sa pamamagitan ng awtorisadong distributor – www.genesicsemi.com/sales-support

Ang electronics

Newkark Farnell element14

Mouser electronics

Arrow electronics

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.

Nai-post sa

GeneSic's New 3rd Generation Sic MOSFETs Nagtatampok ang Pinakamahusay na Figure-of-Merits

MGA DULLES, VA, Pebrero 12, 2020 — Genesic Semiconductor susunod na henerasyon 1200V G3R™SiC MOSFETs sa RDS(SA) antas ng ranging mula sa 20 mΩ sa 350 mΩ maghatid ng walang katuturang mga antas ng pagganap, pagkabuo at kalidad na lumalagpas sa kanyang counterparts. System benepisyo isama ang mas mataas na kahusayan, mas mabilis paglipat dalas, nadagdagan ang kapangyarihan density, Nabawasan singsing (EMI) at compact system laki.

GeneSiC ay inihayag ang availability ng kanyang industriya-nangungunang 3rd henerasyon Silicon Carbide Mosfets na tampok industriya-nangungunang pagganap, pagkabuo at kalidad sa katigasan hindi kailanman nakita ang mga antas ng kahusayan at sistema ng pagiging maaasahan sa automotive at pang-industriya aplikasyon.

Ang mga G3R™ Sic MOSFETs, inaalok sa optimized mababang-inductance discrete pakete (SMD at sa pamamagitan ng butas), ay lubos na optimize para sa power system disenyo na nangangailangan ng mataas na kahusayan antas at ultra-mabilis na paglipat bilis. Ang mga device na ito ay may malaking mas mahusay na pagganap ng mga antas kumpara sa competing produkto. Isang nakatitiyak na kalidad, suportado sa pamamagitan ng mabilis-na-paligid mataas na volume pagmamanupaktura karagdagang pinahusay ang kanilang mga halaga ng proposition.

"Pagkatapos ng taon ng pag-unlad trabaho patungo sa pagkamit ng pinakamababang on-estado pagtutol at pinahusay na maikling circuit pagganap, kami ay nasasabik na i-release ang pinakamahusay na gumaganap ng industriya 1200V Sic MOSFETs na may higit sa 15+ i-discrete at barena chip produkto. Kung ang susunod na henerasyon kapangyarihan electronic sistema ay upang matugunan ang mahirap na kahusayan, kapangyarihan density at kalidad layunin sa mga application tulad ng automotive, pang-industriya, renewable enerhiya, transportasyon, IT at telecom, pagkatapos ay nangangailangan sila ng makabuluhang pinabuting pagganap ng device at pananagutan kumpara sa kasalukuyang magagamit na SiC MOSFETs” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo sa GeneSic Semiconductor.

Mga Tampok –

  • Superior QG x rDS(SA) figure-of-merit – G3R™ Sic MOSFETs tampok ang pinakamababang-estado pagtutol ng industriya na may isang mababang gate singilin, nagreresulta sa 20% mas mahusay na figure-of-merit kaysa sa anumang iba pang katulad na kakumpitente aparato
  • Mababang pag-uugali pagkalugi sa lahat ng temperatura – GeneSiC's MOSFETs tampok ang pinakamalambot na temperatura depende sa paglaban ng on-state pagtutol upang mag-alok ng napakababang pag-uugali sa lahat ng temperatura; makabuluhang mas mahusay kaysa sa anumang iba pang mga tren at planar Sic MOSFETs sa merkado
  • 100 % avalanche nasubukan – Robust UIL kakayahan ay isang kritikal na kinakailangan para sa karamihan ng mga application. GeneSic's 1200V Sic MOSFET discrete ay 100 % avalanche (UIL) sinubukan sa panahon ng produksyon
  • Mababang gate singil at mababang panloob na gate pagtutol – Ang mga parameter na ito ay kritikal patungo sa pagkaunawa sa ultra-mabilis na paglipat at pagkamit ng pinakamataas na kahusayan (mababang Eon -Eoff) sa kabuuan ng isang malawak na hanay ng mga application paglipat ng mga dalas
  • Normal-off matatag na operasyon hanggang sa 175°C – Lahat ng genesic's Sic MOSFETs ay dinisenyo at tela na may estado-ng-sining proseso upang maghatid ng mga produkto na matatag at maaasahan sa lahat ng mga kondisyon ng operating nang walang anumang malfunction panganib. Ang superior gate oxide kalidad ng mga device na ito ay pumipigil sa anumang threshold (VTH) naaanalhin
  • Mababang kapasidad ng device – G3R™ ay dinisenyo upang magmaneho nang mas mabilis at mas mahusay sa kanilang mababang aparato kapasidad – Ciss, Coss at Crs
  • Mabilis at maaasahang katawan diode na may mababang intrinsic singil – GeneSiC's MOSFETs tampok benchmark mababang reverse pagbawi singil (QRR) sa lahat ng mga temperatura; 30% mas mahusay kaysa sa anumang katulad na rate ng kakumpitente aparato. Ito ay nag-aalok ng karagdagang pagbabawas sa kapangyarihan pagkalugi at mapalakas operating dalas
  • Kadalya ng paggamit – G3R™ SiC MOSFETs ay dinisenyo upang maitaboy sa +15V / -5V gate drive. Ito ay nag-aalok ng pinakamalawak na pagkakatugma sa umiiral na komersyal na IGBT at Sic MOSFET gate driver

Mga aplikasyon –

  • Electric Sasakyan – Power Tren at Singilin
  • Solar Inverter at Enerhiya Imbakan
  • Pang-industriya motor Drive
  • Di-mapipigil na Suplay ng Power Supply (UPS)
  • Lumipat mode power Supply (SMPS)
  • Bi-directional DC-DC converters
  • Smart Grid at HVDC
  • Panimula heating at hinang
  • Pulsed Power Application

Lahat ng device ay magagamit para bumili sa pamamagitan ng awtorisadong distributor – www.genesicsemi.com/sales-support

Ang electronics

Newkark Farnell element14

Mouser electronics

Arrow electronics

Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-mosfet o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com

Lahat ng GeneSic Semiconductor's Sic MOSFETs ay naka-target para sa automotive application (AEC-Q101) at PPAP-may kakayahan. Lahat ng device ay inaalok sa industriya standard D2PAK, TO-247 at SOT-227 pakete.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.

Nai-post sa

GeneSic's 3300V at 1700V 1000mΩ Sic MOSFETs Rebolusyon ang Miniaturization ng Auxiliary Power Supplies

MGA DULLES, VA, Disyembre 4, 2020 — GeneSiC announcements availability ng industriya-nangungunang 3300V at 1700V discrete Sic MOSFETs na optimize upang makamit ang walang kapantay na miniaturization, pagiging maaasahan at enerhiya pagtitipid sa pang-industriya bahay pag-iingat kapangyarihan.

GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at global supplier ng isang komprehensibong portfolio ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors, ngayon announcements ang agarang availability ng susunod na henerasyon 3300V at 1700V 1000mΩ SiC MOSFETs – G2R1000MT17J, G2R100MT17D, at G2R100MT33J. Ang mga Sic MOSFETs paganahin ang mas mataas na antas ng pagganap, batay sa flagship figure ng Merit (fom) na mapahusay at simplify na sistema ng kapangyarihan sa buong enerhiya imbakan, renewable enerhiya, pang-industriya motors, pangkalahatang layunin inverters at pang-industriya pag-iilawa. Produkto inilabas ay:

G2R1000MT33J – 3300V 1000mΩ-263-7 SIC MOSFET

G2R100MT17D – 1700V 1000mΩ to-247-3 SIC MOSFET

G2R100MT17J – 1700V 1000mΩ to-263-7 Sic MOSFET

G3R450MT17D – 1700V 450mΩ-247-3 SIC MOSFET

G3R450MT17J – 1700V 450mΩ-263-7 Sic MOSFET

GeneSic's bagong 3300V at 1700V Sic MOSFETs, makukuha sa 1000mΩ at 450mΩ mga pagpipilian bilang SMD at Sa pamamagitan ng Hole discrete pakete, ay lubos na optimize para sa power system disenyo na nangangailangan ng mataas na kahusayan antas at ultra-mabilis na paglipat bilis. Ang mga device na ito ay may malaking mas mahusay na pagganap ng mga antas kumpara sa competing produkto. Isang nakatitiyak na kalidad, suportado sa pamamagitan ng mabilis-na-paligid mataas na volume pagmamanupaktura karagdagang mapahusay ang kanilang mga halaga ng proposition.

"Sa mga application tulad ng 1500V solar inverters, ang MOSFET sa auxiliary kapangyarihan supply ay maaaring magkaroon upang mapaglabanan ang mga boltahe sa hanay ng 2500V, depende sa boltahe ng input, lumiliko ratio ng transformer at ang output boltahe. Mataas na breakdown boltahe MOSFETs halata ang pangangailangan para sa serye konektado lumipat sa Flyback, Mapalakas at Pasulong converters sa gayon ay pagbabawas ng mga bahagi-count at pagbabawas ng circuit kumplikadong. GeneSiC's 3300V at 1700V discrete Sic MOSFETs payagan ang mga designer na gamitin ang mas simpleng solong switch batay sa topology at kasabay nito ay nagbibigay ng mga customer na may maaasahang, compact at cost-effective system” sinabi Sumit Jadav, Senior Applications Manager sa GeneSic Semiconductor.

Mga Tampok –

  • Superior presyo-pagganap index
  • Flagship QG x rDS(SA) figure ng merit
  • Mababang intrinsic capacitance at mababang gate singilin
  • Mababang pagkalugi sa lahat ng temperatura
  • Mataas na avalanche at maikling circuit ruggedness
  • Benchmark threshold boltahe para sa normal-off matatag na operasyon hanggang sa 175°C

Mga aplikasyon –

  • Renewable enerhiya (solar inverters) at enerhiya imbakan
  • Pang-industriya motors (AC servos)
  • Pangkalahatang layunin inverters
  • Pang-industriya pag-iilawa
  • Piezo driver
  • Ion-beam generators

Lahat ng device ay magagamit para bumili sa pamamagitan ng awtorisadong distributor – www.genesicsemi.com/sales-support

Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-mosfet o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.

Nai-post sa

GeneSic's Industriya Nangungunang 6.5kV SIC MOSFETs – ang Vanguard para sa isang Bagong Alon ng application

6.5kV Sic mosfets

MGA DULLES, VA, Oktubre 20, 2020 — GeneSiC's release 6.5kV silicon carbide MOSFETs upang humantong ang forefront sa paghahatid ng mga antas ng pagganap, kahusayan at pagiging maaasahan sa daluyan-boltahe kapangyarihan conversion application tulad ng traksyon, pulsed kapangyarihan at smart grid imprastraktura.

GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors, ngayon announcements ang agarang availability ng 6.5kV SIC MOSFET bare chips – G2R300MT65-CAL at G2R325MS65-CAL. Full SiC module paggamit ng teknolohiyang ito ay sa lalong madaling panahon upang i-release. Ang mga aplikasyon ay inaasahang isama ang traksyon, pulsed kapangyarihan, smart grid imprastraktura at iba pang mga daluyan-boltahe kapangyarihan converters.

G2R300MT65-CAL – 6.5kV 300mΩ G2R™ SiC MOSFETT Bare Chip

G2R325MS65-KALMADO – 6.5kV 325mΩ G2R™ SIC MOSFET (na may Integrated-Schotky) Ipinanganak chip

G2R100MT65-CAL – 6.5kV 100mΩ G2R™ SiC MOSFETT Bare Chip

GeneSiC's makabagong mga tampok ng isang SiC double-implanted metal oxide semiconductor (DMOSFET) aparato istraktura na may isang junction barrier schotky (JBS) rectifier integrated sa Sic DMOSFET unit cell. Ito nangungunang-gilid na kapangyarihan aparato ay maaaring gamitin sa iba't ibang mga circuits ng kapangyarihan conversion sa susunod na henerasyon ng mga sistema ng pagbabalik-loob. Iba pang makabuluhang mga bentahe isama ang mas mahusay na bi-direksyon pagganap, temperatura independiyenteng paglipat, mababang paglipat at pag-uugali pagkalugi, nabawasan paglamig kinakailangan, superior pangmatagalang pagiging maaasahan, kadalahan ng paghahalintulad ng mga aparato at gastos benepisyo. GeneSiC teknolohiya ay nag-aalok ng mas malaking pagganap at din ay may potensyal na upang mabawasan ang net SiC materyal footprint sa kapangyarihan converters.

“GeneSiC's 6.5kV Sic MOSFETs ay dinisenyo at tela sa 6-pulgada wafers upang mapagtanto ang mababang-estado pagtutol, pinakamataas na kalidad, at nakahihigit presyo-pagganap index. Ito susunod na henerasyon MOSFETs teknolohiya pangako exemplar pagganap, superior rugged at pangmatagalang pagiging maaasahan sa daluyan-boltahe kapangyarihan conversion application.” sinabi Dr. Siddarth Sundaresan, VP ng Teknolohiya sa GeneSic Semiconductor.

GeneSiC's 6.5kV G2R™ SiC MOSFET teknolohiya tampok –

  • Mataas na avalanche (UIS) at maikling circuit ruggedness
  • Superior QG x rDS(SA) figure ng merit
  • Temperatura independiyenteng paglipat pagkawala
  • Mababang capacitances at mababang gate singilin
  • Mababang pagkalugi sa lahat ng temperatura
  • Normal-off matatag na operasyon hanggang sa 175°C
  • +20 V / -5 V gate drive

Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.

Nai-post sa

GeneSiC nanalo ang prestihiyoso R&D100 Award para sa SiC-Based Monolithic Transistor-Rectifier Switch

MGA DULLES, VA, Disyembre 5, 2019 — R&D Magazine ay napili GeneSic Semiconductor Inc. ng mga Dulles, VA bilang isang tatanggap ng prestihiyoso 2019 R&D 100 Award for development of SiC-Based Monolithic Transistor-Rectifier Switch.

GeneSiC ang Inc, a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored with the announcement that it has been awarded the prestigious 2019 R&D 100 Award. Ito award kinikilala GeneSiC para sa pagpapakilala ng isa sa mga pinaka-makabuluhang, bagong ipinakilala pananaliksik at pag-unlad advances sa maramihang disiplina sa panahon ng 2018. R&D Magazine recognized GeneSiC’s medium voltage SiC power device technology for its ability to monolithically integrate MOSFET and Schottky rectifier on a single chip. These capabilities achieved by GeneSiC’s device critically enable power electronics researchers to develop next-generation power electronic systems like inverters and DC-DC converters. This will allow product developments within electric vehicles, charging infrastructure, renewable energy and energy storage industries. GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these devices and continues to develop its family of Silicon Carbide MOSFET products. Ang R&D on early version for power conversion applications were developed through US Dept. of Energy and collaboration with Sandia National Laboratories.

The annual technology competition run by R&D Magazine sinuri entry mula sa iba't-ibang mga kumpanya at industriya manlalaro, pananaliksik organisasyon at unibersidad sa buong mundo. Ang mga editor ng magasin at isang panel ng mga eksperto ay nagsilbing mga hukom, sinusuri ang bawat entry sa mga tuntunin ng kahalagahan nito sa mundo ng agham at pananaliksik.

Ayon sa R&magasin, nanalo ng R&D 100 Award ay nagbibigay ng isang marka ng kahusayan na kilala sa industriya, pamahalaan, at akademia bilang patunay na ang produkto ay isa sa mga pinaka-makabagong ideya ng taon. Kinikilala ng award na ito ang GeneSiC bilang isang pandaigdigang lider sa paglikha ng mga produktong teknolohiya na gumagawa ng kaibhan sa kung paano tayo nagtatrabaho at nabubuhay.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad. GeneSiC ang Inc. develops Silicon Carbide (Sic) batay sa semiconductor aparato para sa mataas na temperatura, radiation, at kapangyarihan grid application. Kabilang dito ang pagbuo ng mga rectifier, MGA FET, bipolar aparato pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may access sa isang malawak na suite ng semiconductor disenyo, tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad para sa mga tulad device. GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer. Ang kumpanya ay nakikilala mismo sa pamamagitan ng pagbibigay ng mataas na kalidad ng mga produkto na partikular na tinedyer sa mga kinakailangan ng bawat customer. GeneSiC ay may prime/sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO kabilang ang ARPA-E, US Dept ng Enerhiya, navy, DARPA, Dept ng Homeland Security, Dept ng Commerce at iba pang mga departamento sa loob ng US Dept. ng pagtatanggol. GeneSiC ay patuloy na mabilis na mapahusay ang mga kagamitan at tauhan imprastraktura sa kanyang Dulles, Virginia pasilidad. Ang kumpanya ay agresibong pagkuha tauhan na karanasan sa compound semiconductor aparato tela, semiconductor pagsubok at detector disenyo. Karagdagang impormasyon tungkol sa kumpanya at mga produkto nito ay maaaring makuha sa pamamagitan ng pagtawag GeneSiC sa 703-996-8200 o sa pamamagitan ng pagbisitawww.genesicsemi.com.