Nai-post sa

G3R™ 750V SIC MOSFETs Nag-aalok ng Unparalleled Pagganap at Pananagutan

750V G3R SiC MOSFET

MGA DULLES, VA, Hunyo 04, 2021 — GeneSic's susunod na henerasyon 750V G3R™SiC MOSFETs ay maghahatid ng walang kapantay na antas ng pagganap, pagkabuo at kalidad na lumalagpas sa kanyang counterparts. System benepisyo isama mababang-estado drops sa operating temperatura, mas mabilis paglipat bilis, nadagdagan ang kapangyarihan density, minimal singsing (mababang EMI) at compact system laki. GeneSiC's G3R™, inaalok sa optimized mababang-inductance discrete pakete (SMD at sa pamamagitan ng butas), ay optimized upang mapatakbo na may pinakamababang kapangyarihan pagkawala sa ilalim ng lahat ng mga kondisyon ng operating at ultra-mabilis na paglipat ng bilis. Ang mga device na ito ay may malaking mas mahusay na antas ng pagganap kumpara sa mga kontemporaryo Sic MOSFETs.

750V G3R SiC MOSFET

"Mataas na kahusayan enerhiya paggamit ay naging isang kritikal na maihahatid sa susunod na henerasyon kapangyarihan converters at SiC power devices patuloy na ang mga pangunahing bahagi sa pagmamaneho rebolusyong ito. Pagkatapos ng taon ng pag-unlad trabaho patungo sa pagkamit ng pinakamababang sa estado pagtutol at matibay maikling circuit at avalanche pagganap, kami ay nasasabik na i-release ang pinakamahusay na gumaganap 750V Sic MOSFETs. Ang aming G3R paganahin™ ang kapangyarihan electronic designer upang matugunan ang mahirap na kahusayan, kapangyarihan density at kalidad layunin sa mga application tulad ng solar inverters, EV sa board chargers at server /telecom power supplies. Isang nakatitiyak na kalidad, suportado sa pamamagitan ng mabilis-na-palibot at automotive-kwalipikadong mataas na volyum pagmamanupaktura karagdagang pinahusay ang kanilang mga halaga ng proposisyon. ” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo sa GeneSic Semiconductor.

Mga Tampok –

  • Pinakamababang singil sa industriya (QG) at panloob na gate pagtutol (RG(INT))
  • Pinakamababang RDS(SA) baguhin sa temperatura
  • Mababang output kapasidad (COSS) at miler kakayahan (CGD)
  • 100% avalanche (UIL) sinubukan sa panahon ng produksyon
  • Industriya-nangungunang maikling circuit na may kakayahan
  • Mabilis at maaasahang katawan diode na may mababang VF at mababang QRR
  • Mataas at matatag na gate threshold boltahe (VTH) sa kabuuan ng lahat ng temperatura at drain-bias kondisyon
  • Advanced na packaging teknolohiya para sa mas mababang thermal pagtutol at mas mababang singsing
  • Pagmamanupaktura uniporme ng RDS(SA), VTH at breakdown boltahe (BV)
  • Komprehensibong produkto portfolio at mas ligtas na supply ng chain na may automotive-kwalipikadong mataas na volyum pagmamanupaktura

Mga aplikasyon –

  • Solar (PV) Mga Inverters
  • EV / HEV Onboard Chargers
  • Server & Telecom Power Supplies
  • Di-mapipigil na Mga Suplay ng Power (UPS)
  • DC-DC Converter
  • Lumipat mode power Supplies (SMPS)
  • Enerhiya Imbakan at Baterya Singilin
  • Induction pag-init

Lahat ng GeneSic Semiconductor's Sic MOSFETs ay naka-target para sa automotive application (AEC-Q101) at PPAP-may kakayahan.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ to-263-7 G3R&kalakalan SIC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ to-247-4 G3R&kalakalan SIC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ to-247-3 G3R&kalakalan SIC MOSFET

Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com

Lahat ng device ay magagamit para bumili sa pamamagitan ng awtorisadong distributor – www.genesicsemi.com/sales-support

Ang electronics

Newkark Farnell element14

Mouser electronics

Arrow electronics

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.

Nai-post sa

GeneSic's Industriya Nangungunang 6.5kV SIC MOSFETs – ang Vanguard para sa isang Bagong Alon ng application

6.5kV Sic mosfets

MGA DULLES, VA, Oktubre 20, 2020 — GeneSiC's release 6.5kV silicon carbide MOSFETs upang humantong ang forefront sa paghahatid ng mga antas ng pagganap, kahusayan at pagiging maaasahan sa daluyan-boltahe kapangyarihan conversion application tulad ng traksyon, pulsed kapangyarihan at smart grid imprastraktura.

GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors, ngayon announcements ang agarang availability ng 6.5kV SIC MOSFET bare chips – G2R300MT65-CAL at G2R325MS65-CAL. Full SiC module paggamit ng teknolohiyang ito ay sa lalong madaling panahon upang i-release. Ang mga aplikasyon ay inaasahang isama ang traksyon, pulsed kapangyarihan, smart grid imprastraktura at iba pang mga daluyan-boltahe kapangyarihan converters.

G2R300MT65-CAL – 6.5kV 300mΩ G2R™ SiC MOSFETT Bare Chip

G2R325MS65-KALMADO – 6.5kV 325mΩ G2R™ SIC MOSFET (na may Integrated-Schotky) Ipinanganak chip

G2R100MT65-CAL – 6.5kV 100mΩ G2R™ SiC MOSFETT Bare Chip

GeneSiC's makabagong mga tampok ng isang SiC double-implanted metal oxide semiconductor (DMOSFET) aparato istraktura na may isang junction barrier schotky (JBS) rectifier integrated sa Sic DMOSFET unit cell. Ito nangungunang-gilid na kapangyarihan aparato ay maaaring gamitin sa iba't ibang mga circuits ng kapangyarihan conversion sa susunod na henerasyon ng mga sistema ng pagbabalik-loob. Iba pang makabuluhang mga bentahe isama ang mas mahusay na bi-direksyon pagganap, temperatura independiyenteng paglipat, mababang paglipat at pag-uugali pagkalugi, nabawasan paglamig kinakailangan, superior pangmatagalang pagiging maaasahan, kadalahan ng paghahalintulad ng mga aparato at gastos benepisyo. GeneSiC teknolohiya ay nag-aalok ng mas malaking pagganap at din ay may potensyal na upang mabawasan ang net SiC materyal footprint sa kapangyarihan converters.

“GeneSiC's 6.5kV Sic MOSFETs ay dinisenyo at tela sa 6-pulgada wafers upang mapagtanto ang mababang-estado pagtutol, pinakamataas na kalidad, at nakahihigit presyo-pagganap index. Ito susunod na henerasyon MOSFETs teknolohiya pangako exemplar pagganap, superior rugged at pangmatagalang pagiging maaasahan sa daluyan-boltahe kapangyarihan conversion application.” sinabi Dr. Siddarth Sundaresan, VP ng Teknolohiya sa GeneSic Semiconductor.

GeneSiC's 6.5kV G2R™ SiC MOSFET teknolohiya tampok –

  • Mataas na avalanche (UIS) at maikling circuit ruggedness
  • Superior QG x rDS(SA) figure ng merit
  • Temperatura independiyenteng paglipat pagkawala
  • Mababang capacitances at mababang gate singilin
  • Mababang pagkalugi sa lahat ng temperatura
  • Normal-off matatag na operasyon hanggang sa 175°C
  • +20 V / -5 V gate drive

Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.