Tag: G3R™

MGA DULLES, VA, Pebrero 12, 2020 — Genesic Semiconductor susunod na henerasyon 1200V G3R™SiC MOSFETs sa RDS(SA) antas ng ranging mula sa 20 mΩ sa 350 mΩ maghatid ng walang katuturang mga antas ng pagganap, pagkabuo at kalidad na lumalagpas sa kanyang counterparts. System benepisyo isama ang mas mataas na kahusayan, mas mabilis paglipat dalas, nadagdagan ang kapangyarihan density, Nabawasan singsing (EMI) at compact system laki.

GeneSiC ay inihayag ang availability ng kanyang industriya-nangungunang 3rd henerasyon Silicon Carbide Mosfets na tampok industriya-nangungunang pagganap, pagkabuo at kalidad sa katigasan hindi kailanman nakita ang mga antas ng kahusayan at sistema ng pagiging maaasahan sa automotive at pang-industriya aplikasyon.

Ang mga G3R™ Sic MOSFETs, inaalok sa optimized mababang-inductance discrete pakete (SMD at sa pamamagitan ng butas), ay lubos na optimize para sa power system disenyo na nangangailangan ng mataas na kahusayan antas at ultra-mabilis na paglipat bilis. Ang mga device na ito ay may malaking mas mahusay na pagganap ng mga antas kumpara sa competing produkto. Isang nakatitiyak na kalidad, suportado sa pamamagitan ng mabilis-na-paligid mataas na volume pagmamanupaktura karagdagang pinahusay ang kanilang mga halaga ng proposition.

"Pagkatapos ng taon ng pag-unlad trabaho patungo sa pagkamit ng pinakamababang on-estado pagtutol at pinahusay na maikling circuit pagganap, kami ay nasasabik na i-release ang pinakamahusay na gumaganap ng industriya 1200V Sic MOSFETs na may higit sa 15+ i-discrete at barena chip produkto. Kung ang susunod na henerasyon kapangyarihan electronic sistema ay upang matugunan ang mahirap na kahusayan, kapangyarihan density at kalidad layunin sa mga application tulad ng automotive, pang-industriya, renewable enerhiya, transportasyon, IT at telecom, pagkatapos ay nangangailangan sila ng makabuluhang pinabuting pagganap ng device at pananagutan kumpara sa kasalukuyang magagamit na SiC MOSFETs” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo sa GeneSic Semiconductor.

Mga Tampok –

• Superior Q_G x r_DS(SA) figure-of-merit – G3R™ Sic MOSFETs tampok ang pinakamababang-estado pagtutol ng industriya na may isang mababang gate singilin, nagreresulta sa 20% mas mahusay na figure-of-merit kaysa sa anumang iba pang katulad na kakumpitente aparato
• Mababang pag-uugali pagkalugi sa lahat ng temperatura – GeneSiC's MOSFETs tampok ang pinakamalambot na temperatura depende sa paglaban ng on-state pagtutol upang mag-alok ng napakababang pag-uugali sa lahat ng temperatura; makabuluhang mas mahusay kaysa sa anumang iba pang mga tren at planar Sic MOSFETs sa merkado
• 100 % avalanche nasubukan – Robust UIL kakayahan ay isang kritikal na kinakailangan para sa karamihan ng mga application. GeneSic's 1200V Sic MOSFET discrete ay 100 % avalanche (UIL) sinubukan sa panahon ng produksyon
• Mababang gate singil at mababang panloob na gate pagtutol – Ang mga parameter na ito ay kritikal patungo sa pagkaunawa sa ultra-mabilis na paglipat at pagkamit ng pinakamataas na kahusayan (mababang Eon -Eoff) sa kabuuan ng isang malawak na hanay ng mga application paglipat ng mga dalas
• Normal-off matatag na operasyon hanggang sa 175°C – Lahat ng genesic's Sic MOSFETs ay dinisenyo at tela na may estado-ng-sining proseso upang maghatid ng mga produkto na matatag at maaasahan sa lahat ng mga kondisyon ng operating nang walang anumang malfunction panganib. Ang superior gate oxide kalidad ng mga device na ito ay pumipigil sa anumang threshold (V_TH) naaanalhin
• Mababang kapasidad ng device – G3R™ ay dinisenyo upang magmaneho nang mas mabilis at mas mahusay sa kanilang mababang aparato kapasidad – Ciss, Coss at Crs
• Mabilis at maaasahang katawan diode na may mababang intrinsic singil – GeneSiC's MOSFETs tampok benchmark mababang reverse pagbawi singil (Q_RR) sa lahat ng mga temperatura; 30% mas mahusay kaysa sa anumang katulad na rate ng kakumpitente aparato. Ito ay nag-aalok ng karagdagang pagbabawas sa kapangyarihan pagkalugi at mapalakas operating dalas
• Kadalya ng paggamit – G3R™ SiC MOSFETs ay dinisenyo upang maitaboy sa +15V / -5V gate drive. Ito ay nag-aalok ng pinakamalawak na pagkakatugma sa umiiral na komersyal na IGBT at Sic MOSFET gate driver

Mga aplikasyon –

• Electric Sasakyan – Power Tren at Singilin
• Solar Inverter at Enerhiya Imbakan
• Pang-industriya motor Drive
• Di-mapipigil na Suplay ng Power Supply (UPS)
• Lumipat mode power Supply (SMPS)
• Bi-directional DC-DC converters
• Smart Grid at HVDC
• Panimula heating at hinang
• Pulsed Power Application

Lahat ng device ay magagamit para bumili sa pamamagitan ng awtorisadong distributor – www.genesicsemi.com/sales-support

Ang electronics

Newkark Farnell element14

Mouser electronics

Arrow electronics

Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-mosfet o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com

Lahat ng GeneSic Semiconductor's Sic MOSFETs ay naka-target para sa automotive application (AEC-Q101) at PPAP-may kakayahan. Lahat ng device ay inaalok sa industriya standard D2PAK, TO-247 at SOT-227 pakete.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.