Mataas na Boltahe circuits at assemblies upang makinabang mula sa SiC chips na nag aalok ng walang uliran rating boltahe at ultra mataas na bilis ng paglipat
Dulles, Virginia., Nobyembre 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ipahayag ang agarang availability ng 8000 V SiC PiN Rectifiers; 8000 V SiC Schottky Rectifiers, 3300 V SiC Schottky Rectifiers at 6500 V SiC Thyristors sa hubad mamatay format. Ang mga natatanging produkto ay kumakatawan sa pinakamataas na boltahe SiC aparato sa merkado, at ay partikular na naka target patungo sa langis at gas instrumentation, boltahe multiplier circuits at mataas na boltahe assembly.
Kontemporaryong ultra mataas na boltahe circuits magdusa mula sa mababang circuit efficiencies at malalaking sukat dahil ang reverse recovery currents mula sa Silicon rectifiers discharge ang parallel konektado capacitors. Sa mas mataas na rectifier junction temperatura, sitwasyong ito worsens karagdagang dahil ang reverse recovery kasalukuyang sa Silicon rectifiers ay nagdaragdag sa temperatura. Sa thermally hadlang mataas na boltahe assemblies, junction temperatura tumaas lubos madali kahit na kapag disente kasalukuyang ay lumipas. Mataas na Boltahe SiC rectifiers nag aalok ng mga natatanging katangian na nangangako upang revolutionize ang mataas na boltahe assemblies. GeneSiC ni 8000 V at 3300 V Schottky rectifiers tampok zero reverse recovery kasalukuyang na hindi nagbabago sa temperatura. Ito medyo mataas na boltahe sa isang solong aparato ay nagbibigay daan sa isang pagbabawas sa boltahe pagpaparami yugto kinakailangan sa tipikal na mataas na boltahe generator circuits, sa pamamagitan ng paggamit ng mas mataas na AC input boltahe. Ang malapit sa ideal na mga katangian ng paglipat ay nagpapahintulot sa pag aalis / dramatikong pagbabawas ng boltahe pagbabalanse ng mga network at snubber circuit. 8000 V PiN Rectifiers nag aalok ng mas mataas na kasalukuyang antas at mas mataas na temperatura ng pagpapatakbo. 6500 Ang V SiC Thyristor chips ay magagamit din upang mapabilis ang R&D ng mga bagong sistema.
"Ang mga produktong ito ay nagpapakita ng malakas na lead ng GeneSiC sa pag unlad ng SiC chips sa mga rating ng multi kV. Naniniwala kami na ang 8000 Ang rating ng V ay lampas sa kung ano ang maaaring mag alok ng mga aparatong Silicon sa rated na temperatura, at ay magbibigay daan sa makabuluhang mga benepisyo sa aming mga customer. GeneSic's mababang VF, mababang capacitance SiC Rectifiers at Thyristors ay paganahin ang mga benepisyo ng antas ng system hindi posible bago” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.
8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Mga Tampok na Teknikal
- Tjmax = 210oC
- Reverse Leakage Currents < 50 uA ha 175oC
- Reverse Recovery Charge 558 nC (karaniwang).
8000 V/50 mA SiC Bare Die Schottky Rectifier Mga Mahahalagang Teknikal
- Kabuuang Capacitance 25 pF (karaniwang, ha -1 V, 25oC).
- Positibong temperatura kape sa VF
- Tjmax = 175oC
6500 V SiC Thyristor Bare Die Mga Teknikal na Highlight
- Tatlong handog – 80 Mga Amperes (GA080TH65-CAU); 60 Mga Amperes (GA060TH65-CAU); at 40 Mga Amperes (GA040TH65-CAU)
- Tjmax = 200oC
3300 V/0.3 A SiC Bare Die Rectifier Mga Tampok sa Teknikal
- On-state Drop ng 1.7 V sa 0.3 Isang
- Positibong temperatura kape sa VF
- Tjmax = 175oC
- Singil sa capacitive 52 nC (karaniwang).
Tungkol sa GeneSic Semiconductor Inc.
GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, at global supplier ng isang malawak na hanay ng mga kapangyarihan semiconductors. Nito portfolio ng mga device ay kinabibilangan ng SiC-based na rectifier, transistor, at mga produkto ng thyristor, pati na rin silicon rectifier produkto. GeneSiC ay bumuo ng malawakang intelektwal na ari-arian at teknikal na kaalaman na sumasakop sa pinakabagong mga advanced sa Sic power device, na may mga produkto target patungo sa alternatibong enerhiya, automotive, down ng langis pagmamaneho, kontrol ng motor, kapangyarihan supply, transportasyon, at hindi mapipigilan ang mga aplikasyon ng kapangyarihan. GeneSiC ay nakakuha ng maraming pananaliksik at pag-unlad kontrata mula sa mga ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang ARPA-E, Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, DTRA, at ang Department of Homeland Security, pati na rin ang mga pangunahing kontratista ng pamahalaan. Sa 2011, ang kumpanya napanalunan ang prestihiyoso R&D100 award para sa commercializing ultra-mataas na boltahe Sic Thyristors.
Para sa karagdagang impormasyon, mangyaring bisitahin https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie
