I-download ang Piling Gabay sa Pagpili ng Produkto
GeneSiC's G3R™ Sic Mosfets tampok industriya humahantong sa pagganap sa mataas na boltahe paglipat sa harness hindi kailanman nakita ang mga antas ng kahusayan, mataas na temperatura operasyon at sistema ng pananagutan.
Mga Tampok:
- Teknolohiya ng G3R™ para sa +15 V Gate Drive
- Superior QG x rDS(SA) Figure ng Merit
- Mababang Gate Charge at Device Capacitances
- Mababang Conduction Pagkawala sa Mataas na Temperatura
- Superior Avalanche at Maikling Circuit Ruggedness
- Normal-off-Stable Operation hanggang sa 175°C
- Mabilis at Maaasahang Katawan Diode
- Optimized Packaging sa Kelvin Source Connection
Mga Benepisyo:
- Superior Cost-Performance Index
- Nadagdagang Kapangyarihan density para sa Compact System
- Mababang Panloob na RG para sa Mataas na Paglipat ng Dalas ng Operasyon
- Nabawasan pagkawala para sa Mas Mataas na Sistema kahusayan
- Minimized Gate Singsing
- Pinahusay na Thermal Kakayahan
- Simple sa Drive
- Kadalahan ng Paghahambing nang walang Thermal Runaway
Mga aplikasyon:
- Electric Sasakyan – Power Train at Singilin
- Solar Inverters at Enerhiya Imbakan
- Smart Grid at HVDC
- Motor Drive
- Mataas na Boltahe DC-DC at AC-DC Converters
- Panimula heating at hinang
- Lumipat mode power Supplies
- Pulsed Power Applications
750V SiC MOSFET
| Sa paglaban, RDS(SA) | Ipinanganak chip | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |
|
| 10 mΩ | G3R10MT07-CAL | |||
| 12 mΩ | G4R12MT07-CAU | |||
| 60 mΩ | G3R60MT07J | G3R60MT07D | G3R60MT07K |
1200V SiC MOSFET
| Sa paglaban, RDS(SA) | Ipinanganak chip | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |  |
|
| 10 mΩ | G4R10MT12-CAU | ||||
| 12 mΩ | G3R12MT12-CAL | G3R12MT12K | |||
| 20 mΩ | G3R20MT12-CAL | G3R20MT12K | G3R20MT12N | ||
| 30 mΩ | G3R30MT12-CAL | G3R30MT12J | G3R30MT12K | ||
| 40 mΩ | G3R40MT12J | G3R40MT12D | G3R40MT12K | ||
| 75 mΩ | G3R75MT12J | G3R75MT12D | G3R75MT12K | ||
| 160 mΩ | G3R160MT12J | G3R160MT12D | |||
| 350 mΩ | G3R350MT12J | G3R350MT12D |
1700V SiC MOSFET
| Sa paglaban, RDS(SA) | Ipinanganak chip | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
| | | | |
|
| 20 mΩ | G3R20MT17-CAL | G3R20MT17K | G3R20MT17N | ||
| 45 mΩ | G3R45MT17-CAL | G3R45MT17D | G3R45MT17K | ||
| 160 mΩ | G3R160MT17J | G3R160MT17D | |||
| 450 mΩ | G3R450MT17J | G3R450MT17D | |||
| 1000 mΩ | G2R1000MT17J | G2R1000MT17D |
3300V SiC MOSFET
| Sa paglaban, RDS(SA) | Ipinanganak chip | TO-263-7 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|
| | |
|
| 50 mΩ | G2R50MT33-CAL | G2R50MT33K | |
| 120 mΩ | G2R120MT33J | ||
| 1000 mΩ | G2R1000MT33J |
6500V SiC MOSFET
| Sa paglaban, RDS(SA) | Ipinanganak chip |
|---|---|
|
|
| 300 mΩ | G2R300MT65-CAL |
| 325 mΩ | G2R325MS65-CAL |
