MGA DULLES, VA, Nobyembre 12, 2008 – Ang US Department of Energy ay iginawad GeneSic Semiconductor dalawang magkahiwalay na grants kabuuang $1.5M para sa pagbuo ng mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga device na magsisilbing key enable para sa hangin- at solar-power integration sa kuryente ng bansa grid.
"Ang mga award na ito ay nagpapakita ng tiwala ng DOE sa kakayahan ng GeneSiC, pati na rin ang kanyang pangako sa alternatibong mga solusyon ng enerhiya," tala Dr. rantso singh, pangulo ng GeneSiC. "Isang integrated, mahusay na kapangyarihan grid ay kritikal sa enerhiya ng bansa hinaharap — at ang Sic devices namin pagbuo ay kritikal para sa pagdaig sa mga hindi pagkakapantay-pantay ng mga teknolohiya ng silicon."
Ang unang award ay isang $750k Phase II SBIR grant para sa pagbuo ng mabilis, ultra-mataas na boltahe Sic bipolar aparato. Ang pangalawa ay isang $750k Phase II STTR grant para sa pagbuo ng optika gated mataas na kapangyarihan Sic switch.
Silicon carbide ay isang susunod na henerasyon semiconductor materyal na may kakayahanupang hawakan ang 10x ang boltahe at 100x ang kasalukuyang silicon, paggawa ng ito sa isip angkop sa mataas na kapangyarihan application tulad ng renewable enerhiya (hangin at solar) instalasyon at electrical-grid control system.
Partikular na, ang dalawang award ay para sa:
- Pagbuo ng mataas na dalas, multi-kilovolt SiC gate-off (GTO) kapangyarihan aparato. Pamahalaan at komersyal na aplikasyon isama ang power-management at kondisyon sistema para sa mga ships, ang industriya ng utility, at medikal na imaging.
- Disenyo at tela ng optika gated mataas na boltahe, mataas na kapangyarihan Sic lumipat ng mga aparato. Paggamit ng fiber-optics upang lumipat ng kapangyarihan ay isang mainam na solusyon para sa mga kapaligiran na plagued sa pamamagitan ng electro-magnetic interference (EMI), at application na nangangailangan ng ultra-boltahe.
Ang Sic device GeneSiC ay pagbuo ng isang iba't ibang mga imbakan ng enerhiya, kapangyarihan grid, at mga aplikasyong militar, na kung saan ay tumatanggap ng pagtaas ng pansin bilang mundo focus sa mas mahusay at cost-effective na enerhiya-pamamahala solusyon.
Batay sa labas ng Washington, DC sa mga Dulles, Virginia, GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan. Kasalukuyang mga proyekto sa pag-unlad isama ang mga high-temperatura rectifier, patlang-epekto transistors (MGA FET) at bipolar aparato, pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may kalakasan / sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang Kagawaran ng Enerhiya, navy, DARPA, at ang Department of Homeland Security. Ang kumpanya ay kasalukuyang dumaranas ng malaking paglago, at pagkuha ng kwalipikadong tauhan sa power-device at detector disenyo, tela, at pagsubok. Upang malaman ang higit pa, mangyaring bisitahin www.genesicsemi.com.
