G3R™ 750V SIC MOSFETs Nag-aalok ng Unparalleled Pagganap at Pananagutan

MGA DULLES, VA, Hunyo 04, 2021 — GeneSic's susunod na henerasyon 750V G3R™SiC MOSFETs ay maghahatid ng walang kapantay na antas ng pagganap, pagkabuo at kalidad na lumalagpas sa kanyang counterparts. System benepisyo isama mababang-estado drops sa operating temperatura, mas mabilis paglipat bilis, nadagdagan ang kapangyarihan density, minimal singsing (mababang EMI) at compact system laki. GeneSiC's G3R™, inaalok sa optimized mababang-inductance discrete pakete (SMD at sa pamamagitan ng butas), ay optimized upang mapatakbo na may pinakamababang kapangyarihan pagkawala sa ilalim ng lahat ng mga kondisyon ng operating at ultra-mabilis na paglipat ng bilis. Ang mga device na ito ay may malaking mas mahusay na antas ng pagganap kumpara sa mga kontemporaryo Sic MOSFETs.

750V G3R SiC MOSFET

"Mataas na kahusayan enerhiya paggamit ay naging isang kritikal na maihahatid sa susunod na henerasyon kapangyarihan converters at SiC power devices patuloy na ang mga pangunahing bahagi sa pagmamaneho rebolusyong ito. Pagkatapos ng taon ng pag-unlad trabaho patungo sa pagkamit ng pinakamababang sa estado pagtutol at matibay maikling circuit at avalanche pagganap, kami ay nasasabik na i-release ang pinakamahusay na gumaganap 750V Sic MOSFETs. Ang aming G3R paganahin™ ang kapangyarihan electronic designer upang matugunan ang mahirap na kahusayan, kapangyarihan density at kalidad layunin sa mga application tulad ng solar inverters, EV sa board chargers at server /telecom power supplies. Isang nakatitiyak na kalidad, suportado sa pamamagitan ng mabilis-na-palibot at automotive-kwalipikadong mataas na volyum pagmamanupaktura karagdagang pinahusay ang kanilang mga halaga ng proposisyon. ” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo sa GeneSic Semiconductor.

Mga Tampok –

  • Pinakamababang singil sa industriya (QG) at panloob na gate pagtutol (RG(INT))
  • Pinakamababang RDS(SA) baguhin sa temperatura
  • Mababang output kapasidad (COSS) at miler kakayahan (CGD)
  • 100% avalanche (UIL) sinubukan sa panahon ng produksyon
  • Industriya-nangungunang maikling circuit na may kakayahan
  • Mabilis at maaasahang katawan diode na may mababang VF at mababang QRR
  • Mataas at matatag na gate threshold boltahe (VTH) sa kabuuan ng lahat ng temperatura at drain-bias kondisyon
  • Advanced na packaging teknolohiya para sa mas mababang thermal pagtutol at mas mababang singsing
  • Pagmamanupaktura uniporme ng RDS(SA), VTH at breakdown boltahe (BV)
  • Komprehensibong produkto portfolio at mas ligtas na supply ng chain na may automotive-kwalipikadong mataas na volyum pagmamanupaktura

Mga aplikasyon –

  • Solar (PV) Mga Inverters
  • EV / HEV Onboard Chargers
  • Server & Telecom Power Supplies
  • Di-mapipigil na Mga Suplay ng Power (UPS)
  • DC-DC Converter
  • Lumipat mode power Supplies (SMPS)
  • Enerhiya Imbakan at Baterya Singilin
  • Induction pag-init

Lahat ng GeneSic Semiconductor's Sic MOSFETs ay naka-target para sa automotive application (AEC-Q101) at PPAP-may kakayahan.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ to-263-7 G3R&kalakalan SIC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ to-247-4 G3R&kalakalan SIC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ to-247-3 G3R&kalakalan SIC MOSFET

Para sa datasheet at iba pang mga mapagkukunan, bisitahin ang – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ o makipag-ugnay sa sales@genesicsemi.com

Lahat ng device ay magagamit para bumili sa pamamagitan ng awtorisadong distributor – www.genesicsemi.com/sales-support

Ang electronics

Newkark Farnell element14

Mouser electronics

Arrow electronics

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at mundo lider sa Silicon Carbide teknolohiya, habang din invested sa mataas na kapangyarihan Silicon teknolohiya. Ang pandaigdigang nangungunang tagagawa ng pang-industriya at pagtatanggol sistema ay depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiyang, at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. Humahawak kami ng mga patent sa malawak na puwang kapangyarihan aparato teknolohiya; isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $1 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2022. Ang aming pangunahing kakumpetensya ay upang magdagdag ng higit pang halaga sa aming mga customer’ tapusin ang produkto. Ang aming pagganap at gastos metrics ay nagtatakda ng mga pamantayan sa industriya ng Silicon Carbide.