Mabilis na pagkahusga Sic Junction Transistor Na nagtatampok ng Kasalukuyang Makakuha ng (β) > 130, Pagharang ng mga Boltahe Hanggang sa 2700 V at Matatag na Pangmatagalang Operasyon
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
AN-10A Pagmamaneho SiC Junction Transistors (SJT) sa mga Off the Shelf Silicon IGBT Gate Driver: Konsepto ng Pagmamaneho sa Isang Antas
1200 V-class 4H-SiC “super” Mga Transistor ng Junction na may Kasalukuyang Mga Pakinabang ng 88 at Ultra mabilis na Paglipat ng kakayahan