GeneSiC nanalo $2.53M mula sa ARPA-E patungo sa pag-unlad ng Silicon Carbide Thyristor-based na aparato
Hybrid SiC Schotky Rectifier/Si IGBT Module mula sa GeneSiC ay nagbibigay-kakayahan sa 175°C operasyon
1200 V-class 4H-SiC “super” Mga Transistor ng Junction na may Kasalukuyang Mga Pakinabang ng 88 at Ultra mabilis na Paglipat ng kakayahan