Hybrid SiC Schotky Rectifier/Si IGBT Module mula sa GeneSiC ay nagbibigay-kakayahan sa 175°C operasyon
1200 V SiC "Super" Junction Transistors na nagpapatakbo sa 250 °C na may napakababang enerhiya pagkawala para sa mga application ng power conversion
Katatagan ng Mga Katangian ng Elektrikal ng SiC "Super" Junction Transistors sa ilalim ng Pangmatagalang DC at Pulsed Operation sa iba't ibang Temperatura