Multi-kHz, Ultra-Mataas na Boltahe Silicon Carbide Thyristors sample sa US Mananaliksik

MGA DULLES, VA, Nobyembre 1, 2010 –Sa una sa kanyang uri ng handog, GeneSiC Semiconductor ibinalita ang availability ng isang pamilya ng 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors para gamitin sa kapangyarihan electronics para sa Smart Grid application. Rebolusyonaryo pagganap bentahe ng mga kapangyarihan aparato ay inaasahang gastusin key innovations sa utility-scale kapangyarihan electronics hardware upang dagdagan ang accessibility at pagsasamantala ng Distribution Enerhiya Resources (DER). "Hanggang ngayon, multi-kV Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan aparato ay hindi bukas na magagamit sa US mananaliksik upang ganap na samantalahin ang mga kilalang bentahe– pangalan 2-10kHz operating frequencies sa 5-15kV rating – ng SiC-based na mga aparato ng kapangyarihan.". rantso singh, Pangulo ng GeneSiC. "GeneSiC ay kamakailan-lamang na nakumpleto paghahatid ng maraming 6.5kV/40A, 6.5kV/60A at 6.5kV/80A Thyristors sa maramihang mga customer na nagsasagawa ng pananaliksik sa panibagong enerhiya, Army at Naval power system application. Ang mga sic device na may mga rating na ito ay inaalok na ngayon ng mas malawak na."

Silicon Carbide batay sa Thyristors nag-aalok ng 10X mas mataas na boltahe, 100X mas mabilis paglipat ng mga dalas at mas mataas na temperatura operasyon kumpara sa maginoo Silicon-based Thyristors. Target na mga application pananaliksik pagkakataon para sa mga device na ito isama ang pangkalahatang layunin ng daluyan ng voltage kapangyarihan conversion (MVDC), Grid-nakatali solar inverters, hangin kapangyarihan inverters, pulsed kapangyarihan, sistema ng armas, Kontrol ng ignisyon, at mag-trigger control. Ito ngayon ay mahusay na itinatag na ultra-mataas na boltahe (>10kV) Silicon Carbide (Sic) aparato teknolohiya ay i-play ng isang rebolusyonaryo papel sa susunod na henerasyon utility grid. Thyristor-based Sic device ay nag-aalok ng pinakamataas na on-state pagganap para sa >5 mga aparato ng kV, at malawak na angkop patungo sa daluyan ng daluyan ng kapangyarihan conversion circuits tulad ng Fault-Current Limiters, AC-DC converters, Static VAR compensators at Serye Compensors. SiC batay sa Thyristors din nag-aalok ng pinakamahusay na pagkakataon ng maagang pag-aampon dahil sa kanilang mga pagkakatulad sa maginoo kapangyarihan grid elemento. Deploying ang mga advanced na kapangyarihan semiconductor teknolohiya ay maaaring magbigay ng mas maraming bilang isang 25-30 porsyento pagbabawas sa koryente consumption sa pamamagitan ng nadagdagan kahusayan sa paghahatid ng electrical kapangyarihan.

Dr. Singh ay patuloy "Ito ay inaasahan na ang mga malalaking merkado sa solid-estado electrical substations at hangin turbina generators ay bukas up pagkatapos ng mga mananaliksik sa kapangyarihan conversion ay ganap na mapagtanto ang mga benepisyo ng Sic Thyristors. Ginagamit ng mga unang henerasyong ito si Sic Thyristors ang pinakamababang boltahe at iba't ibang pagtutol na nakamit sa Sic Thyristors. Balak naming i-release ang darating na mga henerasyon ng SiC Thyristors optimize para sa Gate-controlled Turn Off kakayahan at >10kV rating. Habang patuloy kaming bumuo ng mataas na temperatura ultra-mataas na boltahe packaging solusyon, ang kasalukuyang 6.5kV Thyristors ay nakapakete sa mga modulo na may ganap na malutas na mga contact, limitado sa 150oC junction temperatura." GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad.

Matatagpuan malapit sa Washington, DC sa mga Dulles, Virginia, GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan. Kasalukuyang mga proyekto sa pag-unlad isama ang mga high-temperatura rectifier, superJunction transistor (SJT) at isang malawak na iba't-ibang mga Thyristor batay aparato. GeneSiC ay may kalakasan / sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, at ang Department of Homeland Security. Ang kumpanya ay kasalukuyang dumaranas ng malaking paglago, at pagkuha ng kwalipikadong tauhan sa power-device at detector disenyo, tela, at pagsubok. Upang malaman ang higit pa, mangyaring bisitahin www.genesicsemi.com.