GeneSiC Release 25 mOhm/1700 V Silicon Carbide Transistors

SiC switch nag-aalok ng pinakamababang pag-uugali pagkawala at mas mataas na maikling circuit kakayahan na inilabas para sa Mataas na Dalas kapangyarihan Circuits

Dulles, Virginia., Oktubre 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon ibinalita ang agarang availability ng isang pamilya ng mababang-on-paglaban 1700V at 1200 V SiC Junction Transistors sa TO-247 pakete. Ang paggamit ng mataas na boltahe, mataas na dalas, mataas na temperatura at mababang on resistance capable SiC Junction Transistors ay dagdagan ang conversion kahusayan at mabawasan ang laki / timbang / dami ng kapangyarihan electronics application na nangangailangan ng mas mataas na bus boltahe. Ang mga aparatong ito ay naka target para magamit sa isang malawak na iba't ibang mga application kabilang ang DC microgrids, Sasakyan Mabilis na charger, server ng server, Telecom at Networking Power Supplies, walang putol na suplay ng kuryente, solar inverters, Mga sistema ng kapangyarihan ng hangin, at pang industriya na mga sistema ng kontrol ng motor.

Mga Transistor ng SiC Junction (SJT) inaalok ng GeneSiC exhibit ultra mabilis na kakayahan sa paglipat (katulad ng sa SiC MOSFETs), isang parisukat na reverse biased ligtas na lugar ng operasyon (RBSOA), pati na rin ang temperatura independiyenteng panandaliang pagkawala ng enerhiya at paglipat ng mga oras. Ang mga switch na ito ay gate-oxide libreng, normal-off, eksibit positibong temperatura co-mahusay na ng on-pagtutol, at may kakayahang mapadpad ng mga komersyal na gate driver, hindi tulad ng iba pang mga SiC switch. Natatanging mga bentahe ng SJT sa kaibahan sa iba pang mga SiC switch ay ang mas mataas na pangmatagalang pagiging maaasahan, >10 gamitin ang maikling circuit kakayahan, at nakahihigit avalanche kakayahan

“Ang mga pinabuting SJTs nag-aalok ng mas mataas na kasalukuyang makakuha ng (>100), mataas na matatag at matatag na pagganap kumpara sa iba pang mga SiC switch. GeneSiC's SJTs nag-aalok ng lubhang mababang pag-uugali pagkawala sa rate ng kasalukuyang bilang superior-off pagkawala sa kapangyarihan circuits. Paggamit ng natatanging aparato at tela makabagong-likha, GeneSiC's Transistor produkto ay tumutulong sa mga designer makamit ang isang mas matibay na solusyon,” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.

1700 V SiC Junction Transistor inilabas

• 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
• Kasalukuyang Makakuha ng (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• Magbukas/Magpatay; Tumaas/ Mahulog beses <30 nanoseconds karaniwang.

1200 V SiC Junction Transistor inilabas

• 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
• Kasalukuyang Makakuha ng (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• Magbukas/Magpatay; Tumaas/ Mahulog beses <30 nanoseconds karaniwang.

Lahat ng device ay 100% sinubukan sa buong boltahe / kasalukuyang mga rating at bahay sa Halogen-Free, RoHS komplikadong TO-247 pakete. Ang mga device ay agad makukuha mula sa Awtorisadong Distributor ng GeneSic.

Para sa karagdagang impormasyon, Bisitahin lamang ang https://192.168.88.14/komersyal-sic/sic-junction-transistor/