Nai-post sa sa pamamagitan ng Editor0

Pangkalahatang Layunin Mataas na Temperatura SiC Transistors at Rectifiers Inaalok sa Mababang Gastos

Mataas na temperatura (>210oC) Junction Transistors at Rectifiers sa maliit na form na metal ay maaaring mag-alok ng mga rebolusyonaryong benepisyo sa iba't ibang mga application kabilang ang amplification, mababang ingay circuitry at downhole actuator control

MGA DULLES, VA, Marso 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon announcements ang agarang availability ng isang linya ng compact, mataas na temperatura SiC Junction Transistors pati na rin ang isang linya ng mga rectifiers sa TO-46 metal ay maaaring pakete. Ang mga bahaging ito ay dinisenyo at manufactured upang mapatakbo sa ilalim ng ambient temperatura ng mas mataas kaysa sa 215oC. Ang paggamit ng mataas na temperatura, mataas na boltahe at mababang on-resistance na may kakayahang SiC Transistors at Rectifiers ay mabawasan ang laki / timbang / dami ng mga electronic application na nangangailangan ng mas mataas na kapangyarihan paghawak sa mataas na temperatura. Ang mga device na ito ay target na gamitin sa iba't ibang mga application kabilang ang isang malawak na iba't-ibang mga circuits ng pababa, geothermal instrumento, solenoyde aksyon, pangkalahatang layunin ng pagganap, at lumipat mode kapangyarihan supplies.

Mataas na Temperatura SiC Junction Transistors (SJT) inaalok ng GeneSiC exhibit sub-10 nsec rise / bumabagsak beses na nagbibigay-kakayahan >10 MHz paglipat pati na rin ang isang parisukat reverse bias ligtas na operasyon lugar (RBSOA). Ang transient enerhiya pagkalugi at paglipat ng oras ay malaya ng junction temperatura. Ang mga switch na ito ay gate-oxide libreng, normal-off, eksibit positibong temperatura co-mahusay na ng on-pagtutol, at may kakayahang itaboy sa pamamagitan ng 0/+5 V TTL gate driver, hindi tulad ng iba pang mga SiC switch. Natatanging mga bentahe ng SJT sa kaibahan sa iba pang mga SiC switch ay ang mas mataas na pangmatagalang pagiging maaasahan, >20 gamitin ang maikling circuit kakayahan, at nakahihigit avalanche kakayahan. Ang mga device na ito ay maaaring gamitin bilang mahusay na mga amplifiers bilang sila pangako ng isang mas mataas na linearity kaysa sa anumang iba pang SiC lumipat.

Mataas na Temperatura Sic Schotky Rectifiers na inaalok ng GeneSiC ipakita mababang-estado boltahe drops, at industriya pinakamababang leakage kasalukuyang sa mataas na temperatura. Gamit ang temperatura independiyenteng, malapit-zero reverse pagbawi paglipat katangian, Sic Schotky rectifier ay ideal na kandidato para gamitin sa mataas na kahusayan, mataas na temperatura circuits. Ang TO-46 metal ay maaaring pakete pati na rin ang kaugnay na mga proseso ng packaging na ginagamit upang lumikha ng mga produktong ito kritikal na paggamit kung saan mataas na pagiging maaasahan ay kritikal.

“GeneSiC's Transistor at Rectifier produkto ay dinisenyo at manufactured mula sa lupa hanggang sa paganahin ang mataas na temperatura operasyon. Ang mga compact to-46 pakete SJTs nag-aalok ng mataas na kasalukuyang makakuha ng (>110), 0/+5 V TTL control, at matibay na pagganap. Ang mga device na ito ay nag-aalok ng mababang pagkalugi pagkawala at mataas na linearity. Disenyo namin ang aming "SHT" linya ng mga rectifier, upang mag-alok ng mababang leakage kasalukuyang sa mataas na temperatura. Ang mga metal ay maaaring nakaimpake produkto augment ang aming TO-257 at metal SMD produkto inilabas noong nakaraang taon upang mag-alok ng maliit na form kadahilanan, vibration lumalaban solusyon” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.

Kabilang sa mga produktong inilabas ngayon ang:TO-46 SiC Transistor Diodes

240 mOhm Sic Junction Transistors:

  • 300 V pagharang boltahe. Numero ng Bahagi GA05JT03-46
  • 100 V pagharang boltahe. Numero ng Bahagi GA05JT01-46
  • Kasalukuyang Makakuha ng (hFE) >110
  • Tjmax = 210oC
  • Magbukas/Magpatay; Tumaas/ Mahulog beses <10 nanoseconds karaniwang.

Hanggang sa 4 Mataas na Temperatura Schottky diodes:

  • 600 V pagharang boltahe. Numero ng Bahagi GB02SHT06-46
  • 300 V pagharang boltahe. Numero ng Bahagi GB02SHT03-46
  • 100 V pagharang boltahe. Numero ng Bahagi GB02SHT01-46
  • Kabuuang capacitive singil 9 nC
  • Tjmax = 210oC.

Lahat ng device ay 100% sinubukan sa buong boltahe / kasalukuyang rating at bahay sa metal ay maaaring-to-46 pakete. Ang mga device ay agad makukuha mula sa Awtorisadong Distributor ng GeneSic.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor Inc.

GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, at global supplier ng isang malawak na hanay ng mga kapangyarihan semiconductors. Nito portfolio ng mga device ay kinabibilangan ng SiC-based na rectifier, transistor, at mga produkto ng thyristor, pati na rin ang Silicon diode module. GeneSiC ay bumuo ng malawakang intelektwal na ari-arian at teknikal na kaalaman na sumasakop sa pinakabagong mga advanced sa Sic power device, na may mga produkto target patungo sa alternatibong enerhiya, automotive, downhole langis pagmamaneho, kontrol ng motor, kapangyarihan supply, transportasyon, at hindi mapipigilan ang mga aplikasyon ng kapangyarihan. Sa 2011, ang kumpanya napanalunan ang prestihiyoso R&D100 award para sa commercializing ultra-mataas na boltahe Sic Thyristors.

Para sa karagdagang impormasyon, mangyaring bisitahin https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; at https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.