Nai-post sa 2019-06-102019-06-101200 V-class 4H-SiC “super” Mga Transistor ng Junction na may Kasalukuyang Mga Pakinabang ng 88 at Ultra mabilis na Paglipat ng kakayahan Set, 20111200 V-class 4H-SiC “super” Mga Transistor ng Junction na may Kasalukuyang Mga Pakinabang ng 88 at Ultra mabilis na Paglipat ng kakayahan
Nai-post sa 2019-06-102019-06-101200 V SiC "Super" Junction Transistors na nagpapatakbo sa 250 °C na may napakababang enerhiya pagkawala para sa mga application ng power conversion Nobyembre, 2011 1200 V SiC "Super" Junction Transistors na nagpapatakbo sa 250 °C na may napakababang enerhiya pagkawala para sa mga application ng power conversion
Nai-post sa 2019-06-102019-06-10Pagsasamantala sa mataas na temperatura pangako ng SiC Peb, 2012 Pagsasamantala sa mataas na temperatura pangako ng SiC
Nai-post sa 2019-06-102019-06-10Silicon Carbide “super” Junction Transistors na Nagpapatakbo sa 500o C Abr, 2012 Silicon Carbide “super” Junction Transistors na Nagpapatakbo sa 500o C
Nai-post sa 2019-06-102019-06-10Katatagan ng Mga Katangian ng Elektrikal ng SiC "Super" Junction Transistors sa ilalim ng Pangmatagalang DC at Pulsed Operation sa iba't ibang Temperatura Mayo, 2012 Katatagan ng Mga Katangian ng Elektrikal ng SiC "Super" Junction Transistors sa ilalim ng Pangmatagalang DC at Pulsed Operation sa iba't ibang Temperatura
Nai-post sa 2019-06-102019-06-10Sic "Super" Junction Transistors sa Ultra-Mabilis (< 15 ns) Paglipat ng Kakayahan Mayo, 2012 Sic "Super" Junction Transistors sa Ultra-Mabilis (< 15 ns) Paglipat ng Kakayahan
Nai-post sa 2019-06-102019-06-10Katangian ng Katatagan ng Kasalukuyang Makakuha at Avalanche-Mode Operation ng 4H-Sic BJTs Oktubre, 2012 Katangian ng Katatagan ng Kasalukuyang Makakuha at Avalanche-Mode Operation ng 4H-Sic BJTs
Nai-post sa 2019-06-102019-06-1010 kV Sic BJTs – static, paglipat at pananagutan katangian Mayo, 2013 10 kV Sic BJTs – static, paglipat at pananagutan katangian
Nai-post sa 2019-06-102019-06-10Mabilis na pagkahusga Sic Junction Transistor Na nagtatampok ng Kasalukuyang Makakuha ng (β) > 130, Pagharang ng mga Boltahe Hanggang sa 2700 V at Matatag na Pangmatagalang Operasyon Oktubre, 2013 Mabilis na pagkahusga Sic Junction Transistor Na nagtatampok ng Kasalukuyang Makakuha ng (β) > 130, Pagharang ng mga Boltahe Hanggang sa 2700 V at Matatag na Pangmatagalang Operasyon
Nai-post sa 2019-06-102019-06-10Silicon Carbide Junction Transistors at Schotky Rectifiers optimize para sa 250 °C operasyon Abr, 2014 Silicon Carbide Junction Transistors at Schotky Rectifiers optimize para sa 250 °C operasyon